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1. 发明专利

JP2020150242A 半導体装置审中-公开
公开(公告)号：JP2020150242A
公开(公告)日：2020-09-17
申请号：JP2019049192
申请日：2019-03-15
申请人：株式会社東芝 , 東芝デバイス&ストレージ株式会社
发明人：深津茂人 , 古川大 , 河野洋志 , 鈴木拓馬 , 朝羽俊介
IPC分类号： H01L29/12 , H01L21/28 , H01L21/283 , H01L21/316 , H01L29/78
摘要：【課題】ゲートリーク電流の低減が可能な半導体装置を提供する。【解決手段】実施形態の半導体装置は、炭化珪素層と、ゲート電極と、第1の酸化シリコン層と、第1の酸化シリコン層とゲート電極との間に設けられた第2の酸化シリコン層とを有し、第1の酸化シリコン層は第1の窒素濃度と第1の厚さを有し、第2の酸化シリコン層は第1の窒素濃度よりも低い第2の窒素濃度と第2の厚さを有し、炭化珪素層とゲート電極との間に設けられたゲート絶縁層と、を備え、ゲート電極の端部と炭化珪素層との間の第2の厚さは、ゲート電極の中央部と炭化珪素層との間の第2の厚さよりも厚い。【選択図】図2

2. 发明专利

JP6351531B2 半導体発光素子有权
公开(公告)号：JP6351531B2
公开(公告)日：2018-07-04
申请号：JP2015060064
申请日：2015-03-23
申请人：株式会社東芝 , 東芝デバイス&ストレージ株式会社
发明人：田島純平 , 大野浩志 , 朝羽俊介 , 布上真也
IPC分类号： H01L33/36
CPC分类号： H01L27/0255 , H01L25/167 , H01L27/0248 , H01L27/15 , H01L27/153 , H01L33/06 , H01L33/32 , H01L33/382 , H01L33/62

3. 发明专利

JP2019169487A 半導体装置、半導体装置の製造方法、インバータ回路、駆動装置、車両、及び、昇降機审中-公开
公开(公告)号：JP2019169487A
公开(公告)日：2019-10-03
申请号：JP2018053609
申请日：2018-03-21
申请人：株式会社東芝
发明人：清水達雄 , 飯島良介 , 伊藤俊秀 , 朝羽俊介 , 中林幸雄 , 深津茂人
IPC分类号： H01L29/12 , H01L29/739 , H01L21/336 , H01L29/78
摘要：【課題】キャリアの移動度が高い半導体装置を提供する。【解決手段】実施形態の半導体装置は、炭化珪素層と、ゲート電極と、炭化珪素層とゲート電極との間に設けられたゲート絶縁層と、炭化珪素層の中に設けられ、窒素(N)を含有する第1の領域と、第1の領域とゲート絶縁層との間に設けられ、窒素(N)、リン(P)、ヒ素(As)、アンチモン(Sb)、スカンジウム(Sc)、イットリウム(Y)、ランタン(La)、ランタノイド(Ce、Pr、Nd、Pm、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb、Lu)、水素(H)、重水素(D)、フッ素(F)から成る群から選ばれる少なくとも一つの元素を含有する第2の領域と、を備える。【選択図】図1

4. 发明专利

JP2019145606A 半導体装置および半導体装置の製造方法审中-公开
公开(公告)号：JP2019145606A
公开(公告)日：2019-08-29
申请号：JP2018026796
申请日：2018-02-19
申请人：株式会社東芝
发明人：朝羽俊介 , 木本真一 , 大橋輝之
IPC分类号： H01L21/336 , H01L29/423 , H01L29/49 , H01L29/417 , H01L21/3205 , H01L21/768 , H01L23/532 , H01L23/522 , H01L29/78
摘要：【課題】本発明が解決しようとする課題は、半導体チップ上の領域を有効に活用すること可能である半導体装置および半導体装置の製造方法を提供することにある。【解決手段】本発明の半導体装置は、半導体層上に絶縁層を有し、絶縁層上に第1のセル領域と第2のセル領域を含む半導体チップと、前記第1のセル領域にあるゲートパッドと、前記半導体層の前記絶縁層がある側とは反対側にあるドレイン電極と、前記第1のセル領域にあり、前記絶縁層の内部にある第1のゲート電極と、前記第1のセル領域から前記第2のセル領域に延在し、前記絶縁層の内部にある第2のゲート電極と、前記第1のセル領域にあり、前記第1のゲート電極と電気的に接続される第1のパッドと、前記第1のセル領域にあり、前記第2のゲート電極と電気的に接続される第2のパッドと、を備え、前記第1のパッドと前記第2のパッドの少なくとも1つは前記ゲートパッドと電気的に接続する。【選択図】図1

5. 发明专利

JP2019075431A 半導体発光装置审中-公开
公开(公告)号：JP2019075431A
公开(公告)日：2019-05-16
申请号：JP2017199286
申请日：2017-10-13
申请人：株式会社東芝
发明人：朝羽俊介 , 田島純平 , 黄鐘日 , 中野慎太郎 , 加藤大望 , 雁木比呂 , 水口浩司
IPC分类号： H01L33/32 , H01L21/28 , H01L33/38
摘要：【課題】本発明が解決しようとする課題は、微細化が容易である半導体発光装置を提供することにある。【解決手段】本発明の半導体発光装置は、第1の導電型であり、窒化物半導体である第1の半導体層と、第1の方向に延び、第2の導電型であり、かつ窒化物半導体である第2の半導体層と、前記第1の半導体層と前記第2の半導体層の間にあり、窒化物半導体である発光層と、前記第2の半導体層の側面の一部、前記第1の半導体層の側面、および前記発光層の側面を覆う絶縁層と、一部が前記絶縁層の内部に設けられる第1の電極と、前記第1の方向と交差する第2の方向に延び、前記絶縁層の内部にあり、前記第1の電極と前記第1の半導体層を電気的に接続する第1の配線と、前記絶縁層上にあり、前記第2の半導体層と接続される第2の電極と、を備える。【選択図】図1

6. 发明专利

JP2016181561A 半導体発光素子有权
标题翻译：半导体发光元件
公开(公告)号：JP2016181561A
公开(公告)日：2016-10-13
申请号：JP2015060064
申请日：2015-03-23
申请人：株式会社東芝
发明人：田島純平 , 大野浩志 , 朝羽俊介 , 布上真也
IPC分类号： H01L33/08 , H01L33/02
CPC分类号： H01L27/0255 , H01L25/167 , H01L27/0248 , H01L27/15 , H01L33/06 , H01L33/32 , H01L33/382 , H01L33/62 , H01L27/153
摘要：【課題】信頼性を向上できる半導体発光素子を提供する。【解決手段】半導体発光素子110は、導電性の基体70と、第1〜第6半導体層11〜16と、導電層41と、パッド層45とを含む。第1、第4半導体層11、14は第1導電形で、第2、第5半導体層12、15は第2導電形である。第1半導体層11は、第1、第2半導体領域11a、11bを含む。第3半導体層13は第2半導体領域11bと第2半導体層12との間に、第6半導体層16は第4半導体層14の一部と第5半導体層15との間に設けられる。導電層41は、第1半導体領域11aと基体70の間の第1導電領域41aと、第5半導体層15と基体70の間の第2導電領域41bと、第1、第2導電領域41a、41bの間の第3導電領域41cとを含む。パッド領域45aと基体70との間に第3導電領域41cが配置され、パッド領域45aは第1、第4半導体層11、14の間に配置される。【選択図】図1
摘要翻译：要解决的问题：提供可提高可靠性的半导体发光元件。解决方案：半导体发光元件110包括导电基板70，第一至第六半导体层11-16，导电层41和焊盘层45 第一和第四半导体层11,14具有第一导电类型，第二和第五半导体层12,15具有第二导电类型。第一半导体层11包括第一和第二半导体区域11a，11b。第三半导体层13设置在第二半导体区域11b和第二半导体层12之间，第六半导体层16设置在第四半导体层14和第五半导体层15的一部分之间。导电层41包括第一半导体区域11a和基板70之间的第一导电区域41a，第五半导体层15和基板70之间的第二导电区域41b，以及位于第一导电区域41a和第二导电区域41b之间的第三导电区域41c。第三导电区域41c布置在焊盘区域45a和衬底70之间，焊盘区域45a布置在第一半导体层11和第四半导体层14之间。选择的图示：图1

7. 发明专利

JP6862384B2 半導体装置、半導体装置の製造方法、インバータ回路、駆動装置、車両、及び、昇降機有权
公开(公告)号：JP6862384B2
公开(公告)日：2021-04-21
申请号：JP2018053609
申请日：2018-03-21
申请人：株式会社東芝
发明人：清水達雄 , 飯島良介 , 伊藤俊秀 , 朝羽俊介 , 中林幸雄 , 深津茂人
IPC分类号： H01L29/12 , H01L29/739 , H01L21/336 , H01L29/78

8. 发明专利

JP6805074B2 半導体装置の製造方法有权
公开(公告)号：JP6805074B2
公开(公告)日：2020-12-23
申请号：JP2017095922
申请日：2017-05-12
申请人：株式会社東芝
发明人：朝羽俊介 , 飯島良介 , 中林幸雄 , 深津茂人 , 伊藤俊秀
IPC分类号： H01L21/336 , H01L29/78 , H01L29/12 , H01L21/318 , H01L21/324

9. 发明专利

JP2018195623A 半導体装置の製造方法审中-公开
公开(公告)号：JP2018195623A
公开(公告)日：2018-12-06
申请号：JP2017095922
申请日：2017-05-12
申请人：株式会社東芝
发明人：朝羽俊介 , 飯島良介 , 中林幸雄 , 深津茂人 , 伊藤俊秀
IPC分类号： H01L21/336 , H01L29/78 , H01L29/12 , H01L21/318 , H01L21/324
CPC分类号： H01L21/049 , H01L21/02164 , H01L21/02266 , H01L21/02271 , H01L21/02337 , H01L29/1608 , H01L29/6606 , H01L29/66068 , H01L29/66181 , H01L29/66666
摘要：【課題】特性の向上が可能な半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】実施形態によれば、半導体装置の製造方法は、炭化珪素を含む半導体部材の上に堆積され珪素及び酸素を含む第1膜を、酸素を含む第1雰囲気中で500℃以上900℃以下の第1温度の第1熱処理を実施することを含む。前記製造方法は、前記第1熱処理の後に前記第1膜を窒素を含む第2雰囲気で1200℃以上1400℃未満の第2温度の第2熱処理を実施することを含む。【選択図】図1

10. 发明专利

JP2018157165A 半導体装置、インバータ回路、駆動装置、車両、及び、昇降機审中-公开
公开(公告)号：JP2018157165A
公开(公告)日：2018-10-04
申请号：JP2017055008
申请日：2017-03-21
申请人：株式会社東芝
发明人：朝羽俊介 , 大橋輝之
IPC分类号： H01L29/12 , H01L21/336 , H01L21/76 , H01L29/78
CPC分类号： H01L29/1608 , B60L2210/42 , B61C3/00 , B66B11/043 , H01L29/0611 , H01L29/1095 , H01L29/7395 , H01L29/7802 , H02M7/537 , H02P27/06
摘要：【課題】オン抵抗の低減を可能とする半導体装置を提供する。【解決手段】実施形態の半導体装置は、第1及び第2の電極と、第1のゲート電極と、第1の電極と第2の電極との間の、シリコンよりもバンドギャップの広い半導体層と、半導体層と第1の電極との間のシリコン層と、半導体層とシリコン層との間の金属層と、半導体層の中の第1導電型の第1の半導体領域と、シリコン層の中の第1導電型の第1のシリコン領域と、第1のシリコン領域と第1の電極との間の第2導電型の第2のシリコン領域と、第1のシリコン領域と第1の電極との間の、第2のシリコン領域と離間した第2導電型の第3のシリコン領域と、第1のゲート電極と第2及び第3のシリコン領域との間の第1のゲート絶縁層と、第2のシリコン領域と第1の電極との間の第1導電型の第4のシリコン領域と、第3のシリコン領域と第1の電極との間の第1導電型の第5のシリコン領域と、を備える。【選択図】図1

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