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1. 发明专利

JP5843277B2 半導体基板の超臨界乾燥方法及び装置有权
标题翻译：用于在半导体衬底超临界干燥的方法和装置
公开(公告)号：JP5843277B2
公开(公告)日：2016-01-13
申请号：JP2011158296
申请日：2011-07-19
申请人：株式会社東芝 , 東京エレクトロン株式会社
发明人：季麗楠 , 冨田寛 , 林秀和 , 大口寿史 , 佐藤洋平 , 戸島孝之 , 岩下光秋 , 光岡一行 , 楊元 , 大野広基 , 折居武彦
IPC分类号： H01L21/304
CPC分类号： H01L21/02 , F26B21/10 , F26B21/14 , F26B23/028 , H01L21/02052 , H01L21/02057 , H01L21/02101 , H01L21/67034 , F26B2200/04

2. 发明专利

JP2017212341A フッ素含有有機溶剤の回収装置および基板処理装置审中-公开
公开(公告)号：JP2017212341A
公开(公告)日：2017-11-30
申请号：JP2016104653
申请日：2016-05-25
申请人：東京エレクトロン株式会社
发明人：光岡一行 , 南輝臣
IPC分类号： H01L21/304
摘要：【課題】フッ素含有有機溶剤を効果的に回収する。【解決手段】回収装置30は回収タンク36と、回収タンク36へフッ素含有有機溶剤を供給する供給ノズル37とを備えている。供給ノズル37は浮き子39に取付けられており、供給ノズル37の下端は回収タンク36内の水層36a内に位置する。【選択図】図7

3. 发明专利

JP2017059642A 基板処理方法、基板処理装置および記憶媒体审中-公开
公开(公告)号：JP2017059642A
公开(公告)日：2017-03-23
申请号：JP2015182234
申请日：2015-09-15
申请人：東京エレクトロン株式会社
发明人：光岡一行
IPC分类号： H01L21/027 , H01L21/304
CPC分类号： H01L21/02057 , B08B7/0021 , F26B21/14 , H01L21/02101 , H01L21/67017 , H01L21/67051 , H01L21/67109
摘要：【課題】超臨界処理中ユニット内において、被処理体にパターン倒壊が生じない。【解決手段】超臨界処理ユニット用容器3A内に乾燥防止用の液体で液盛りされた被処理体Wが搬送される。超臨界処理ユニット用容器3A内の被処理体W外または被処理体W上、または前記超臨界処理ユニット用容器3A外の被処理体W上に超臨界処理用流体が供給され、超臨界処理ユニット用容器3Aで液体の超臨界処理用流体または前記乾燥防止の液体と前記超臨界処理流体の混合液が加熱されて、超臨界状態となる。超臨界処理ユニット用容器3Aで液体の超臨界処理用流体または前記乾燥防止の液体と前記超臨界処理流体の混合液を加熱する前に、予め超臨界処理ユニット用容器3A内にN 2 ガスを供給して加圧する。【選択図】図3

4. 发明专利

JP6668166B2 フッ素含有有機溶剤の回収装置および基板処理装置有权
公开(公告)号：JP6668166B2
公开(公告)日：2020-03-18
申请号：JP2016104653
申请日：2016-05-25
申请人：東京エレクトロン株式会社
发明人：光岡一行 , 南輝臣
IPC分类号： H01L21/304

5. 发明专利

JP2015188060A 分離再生装置および基板処理装置有权
标题翻译：分离和再生装置和基板加工装置
公开(公告)号：JP2015188060A
公开(公告)日：2015-10-29
申请号：JP2015013479
申请日：2015-01-27
申请人：東京エレクトロン株式会社
发明人：光岡一行 , 大野広基 , 折居武彦 , 戸島孝之
IPC分类号： H01L21/027 , B01D3/00 , H01L21/304
CPC分类号： H01L21/02101 , B01D3/00 , H01L21/02057 , H01L21/67017 , H01L21/67109
摘要：【課題】ウエハW上の液体を確実に除去することができ、かつ運転コストの低減を図る。【解決手段】分離再生装置30は第1沸点をもつ第1のフッ素含有有機溶剤と、第1沸点より高い第2沸点をもつ第2のフッ素含有有機溶剤とを有する混合液体を生成するバッファタンク33と、混合液を第1沸点と第2沸点との間の温度に加熱して気体状の第1のフッ素含有有機溶剤と液体状の第2のフッ素含有有機溶剤とに分離する蒸留タンク34と、蒸留タンク34から送られる気体状の第1のフッ素含有有機溶剤を液化して貯留する第1のタンク35と、蒸留タンクから送られる液体状の第2のフッ素含有有機溶剤を貯留する第2のタンク36とを備えている。蒸留タンク34はバッファタンク33における混合液の混合比率に対応した分離比率で混合液を第1のフッ素含有有機溶剤を多く含む液体と第2のフッ素含有有機溶剤を多く含む液体とに分離する。【選択図】図5
摘要翻译：要解决的问题：提供一种分离和再生装置以及基板处理装置，其能够可靠地除去晶片W上的液体，同时降低操作成本。解决方案：分离和再生装置30包括：缓冲罐33，其产生混合液体，其包含具有第一沸点的第一含氟有机溶剂和具有高于第一沸点的第二沸点的第二含氟有机溶剂; 蒸馏槽34将混合液加热到第一沸点和第二沸点之间的温度，以将气体中的混合液分离成第一含氟有机溶剂，第二含氟有机溶剂在液态; 第一罐35，被配置为从蒸馏罐34送出的气态液化并存储第一含氟有机溶剂; 以及从蒸馏箱送出的液态的第二含氟有机溶剂的第二槽36。蒸馏槽34将混合液分离成包含第一含氟有机溶剂的液体和包含第二含氟有机溶剂的液体，以与混合物的混合比对应的分离比大量分离液体在缓冲罐33中。

6. 发明专利

JP6742887B2 基板処理方法、基板処理装置および記憶媒体有权
公开(公告)号：JP6742887B2
公开(公告)日：2020-08-19
申请号：JP2016219134
申请日：2016-11-09
申请人：東京エレクトロン株式会社
发明人：光岡一行
IPC分类号： H01L21/304

7. 发明专利

JP2016086072A 基板処理方法、基板処理装置および記憶媒体审中-公开
标题翻译：基板处理方法，基板处理装置和存储介质
公开(公告)号：JP2016086072A
公开(公告)日：2016-05-19
申请号：JP2014217707
申请日：2014-10-24
申请人：東京エレクトロン株式会社
发明人：大野広基 , 田内啓士 , 光岡一行 , 折居武彦 , 戸島孝之
IPC分类号： H01L21/304
CPC分类号： H01L21/02057 , C11D11/0047 , H01L21/02101 , H01L21/67017 , H01L21/67028 , H01L21/67051 , H01L21/67109 , H01L21/6719 , H01L21/67207 , H01L21/67248
摘要：【課題】超臨界処理中にウエハにおいてパターン倒壊を防止する。【解決手段】基板処理方法は、液処理ユニット2のアウターチャンバー21内において、ウエハに対してリンス液DIW、IPA、第1のフッ素含有有機溶剤HFE7300、第2のフッ素含有有機溶剤FC43を供給する工程と、ウエハを超臨界ユニット3の処理容器へ搬送する工程と、処理容器内においてウエハに対して超臨界状態の高圧流体にした超臨界処理用のフッ素含有有機溶剤を供給する工程とを備える。少なくともIPA供給時にアウターチャンバー21内に低湿度N 2 ガスを供給して、アウターチャンバー21内を低湿度N 2 ガス雰囲気としてIPA中への吸湿を防止する。【選択図】図5
摘要翻译：要解决的问题：为了防止超临界加工中的晶片中的图案塌陷。解决方案：基板处理方法包括向晶片提供漂洗液DIW，IPA，第一含氟有机溶剂HFE7300和第二含氟有机溶剂FC43在液体处理单元2的外部室21中，将晶片输送到超临界机组3的处理容器中的步骤，以及向处理容器中提供超临界加工含氟有机溶液的步骤其设置在超临界状态下的高压流体。至少在提供IPA时，向外部室21供给低湿度N气，以将外部室21的内部设定为低湿度的氮气环境，从而防止湿气吸收到IPA中。图5

8. 发明专利

JP2015174014A 分離再生装置および基板処理装置有权
标题翻译：分离再生器和基板处理装置
公开(公告)号：JP2015174014A
公开(公告)日：2015-10-05
申请号：JP2014050880
申请日：2014-03-13
申请人：東京エレクトロン株式会社
发明人：光岡一行 , 大野広基 , 折居武彦 , 戸島孝之
IPC分类号： H01L21/304 , B01D5/00
CPC分类号： H01L21/67017 , H01L21/02057 , H01L21/02101
摘要：【課題】ウエハW上の液体を確実に除去することができ、かつ運転コストの低減を図り、Fイオンを除去する。【解決手段】分離再生装置は第1沸点をもつ第1のフッ素含有有機溶剤と、第1沸点より低い第2沸点をもつ第2のフッ素含有有機溶剤とを有する混合気体を生成する超臨界処理ユニット3と、第1沸点と第2沸点との間の温度をもつ温水34Wを収納するとともに、混合気体をこの温水34W中へ投入して、液体状の第1のフッ素含有有機溶剤と気体状の第2のフッ素含有有機溶剤とに分離する蒸留タンク34とを備えている。超臨界処理ユニット3からの混合気体を蒸留タンク34へ導く導入ライン50が設けられ、この導入ライン50の先端50aは温水34W中に配置されている。【選択図】図5
摘要翻译：要解决的问题：提供一种可以可靠地除去晶片W上的液体的分离再生器和基板处理装置，降低了操作成本并除去F离子。分离再生器包括：用于产生混合气体的超临界处理单元3 具有第一沸点的含氟有机溶剂和第二沸点低于第一沸点的第二含氟有机溶剂; 以及蒸馏槽34，用于储存温度在第一沸点和第二沸点之间的热水34W，将混合气体投入到热水34W中，从而将混合气体分离成液体的第一含氟有机溶剂和气态第二含氟有机溶剂。设置用于将来自超临界处理单元3的混合气体引导到蒸馏槽34的引入管线50，将引入管线50的末端50a配置在热水W中。

9. 发明专利

JP6498573B2 基板処理方法、基板処理装置および記憶媒体有权
公开(公告)号：JP6498573B2
公开(公告)日：2019-04-10
申请号：JP2015182234
申请日：2015-09-15
申请人：東京エレクトロン株式会社
发明人：光岡一行
IPC分类号： H01L21/027 , H01L21/304

10. 发明专利

JP6441176B2 基板処理方法、基板処理装置および記憶媒体有权
公开(公告)号：JP6441176B2
公开(公告)日：2018-12-19
申请号：JP2015139011
申请日：2015-07-10
申请人：東京エレクトロン株式会社
发明人：光岡一行 , 大野広基 , 五師源太郎 , 河野央
IPC分类号： H01L21/304

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