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1. 发明专利

JP5911757B2 基板処理方法、基板処理装置、および記録媒体有权
标题翻译：基板处理方法，衬底处理装置和记录介质
公开(公告)号：JP5911757B2
公开(公告)日：2016-04-27
申请号：JP2012130905
申请日：2012-06-08
申请人：ソニー株式会社 , 東京エレクトロン株式会社
发明人：岩元勇人 , 萩本賢哉 , 手塚友樹 , 下村伸一郎 , 南輝臣 , 櫻井宏紀 , 丸山裕隆 , 川渕洋介 , 田中裕司
IPC分类号： H01L21/304 , H01L21/306
CPC分类号： H01L21/02019 , H01L21/30608 , H01L21/6708 , H01L21/02052

2. 发明专利

JP2015079998A 基板処理方法、この基板処理方法を実行するためのコンピュータプログラムが記録された記録媒体、および基板処理装置有权
标题翻译： WAFER加工方法，具有用于执行加工方法的计算机程序的存储介质和加工方法
公开(公告)号：JP2015079998A
公开(公告)日：2015-04-23
申请号：JP2015014340
申请日：2015-01-28
申请人：東京エレクトロン株式会社
发明人：南輝臣 , 岡村尚幸 , 丸山裕隆 , 川渕洋介
IPC分类号： H01L21/304
CPC分类号： H01L21/67028 , H01L21/02052 , H01L21/67051
摘要：【課題】基板の表面にパーティクルが発生することを抑制することができる基板処理方法を提供する。【解決手段】本発明による基板処理方法においては、まず、基板Wが薬液処理される。次に、基板Wを回転させながら、基板Wにリンス液が供給されてリンス処理工程が行われる。その後、基板Wを回転させながら、基板Wを乾燥する乾燥処理工程が行われる。乾燥処理工程は、基板Wの中心部にリンス液を供給しながら、基板Wの回転数をリンス処理工程時の基板Wの回転数より低い第1の回転数まで低下させる工程と、基板Wの回転数を第1の回転数まで低下させる工程の後、リンス液を供給するリンス液供給位置を、基板Wの中心部から周縁部に向けて移動させる工程と、リンス液供給位置を移動させる工程の後、基板に乾燥液を供給する工程と、を有している。【選択図】図4
摘要翻译：要解决的问题：提供一种用于抑制晶片表面上的颗粒的产生的晶片处理方法。解决方案：本发明的晶片处理方法包括以下步骤：对晶片W进行化学处理，随后进行漂洗处理通过在旋转晶片W的同时向晶片W供给漂洗液，然后在旋转晶片W的同时进行干燥晶片W的干燥处理步骤。干燥处理步骤包括以下步骤：减小晶片W的旋转数在冲洗处理步骤中将晶片W的旋转数小于第一旋转数，同时将冲洗液体供应到晶片W的中心部分，从中央部分移动冲洗液体供应位置在将晶片W的旋转数减少到第一转数的步骤之后，朝向晶片W的周边部分，在漂洗液体供给位置移动的步骤之后，将液体注入晶片W.

3. 发明专利

JP2016021597A 基板処理方法、この基板処理方法を実行するためのコンピュータプログラムが記録された記録媒体、および基板処理装置有权
标题翻译：基板处理方法，具有用于执行基板处理方法的计算机程序的记录介质和基板处理装置
公开(公告)号：JP2016021597A
公开(公告)日：2016-02-04
申请号：JP2015197727
申请日：2015-10-05
申请人：東京エレクトロン株式会社
发明人：南輝臣 , 田中暁 , 永松辰也 , 鈴木啓之 , 川渕洋介 , 平山司 , 松木勝文
IPC分类号： H01L21/027 , H01L21/304
摘要：【課題】基板の表面にパーティクルが発生することを抑制することができる基板処理方法を提供する。【解決手段】本発明による基板処理方法においては、まず、基板Wが薬液処理される。次に、基板Wにリンス液が供給されてリンス処理工程が行われる。その後、基板Wを回転させながら、基板Wを乾燥する乾燥処理工程が行われる。乾燥処理工程は、基板Wを第1回転数で回転させながら基板Wへ乾燥液を供給する第1乾燥処理工程と、第1乾燥処理工程の後、基板に乾燥液を供給しながら基板を第1回転数より低い第2回転数へ減速させる第2乾燥処理工程とを有する。第2乾燥処理工程において、基板W上のリンス液および乾燥液に対してブレーキをかけた状態とし、リンス液と乾燥液を撹拌して置換させる。第2乾燥処理工程の後、第3乾燥工程において基板に乾燥液を供給しながら基板の回転数を第2回転数から第3回転数まで上げ、その後第4乾燥工程において基板を回転させて、基板上の乾燥液を振り切る。【選択図】図4
摘要翻译：要解决的问题：提供可以抑制基板表面上的颗粒的生成的基板处理方法。解决方案：根据本发明的基板处理方法包括：对基板进行化学处理的方法瓦; 用于随后通过向衬底W提供冲洗液体来进行冲洗过程的方法; 以及干燥工艺，用于在旋转衬底W的同时干燥衬底W.干法包括：第一干步骤，其中以第一转数旋转衬底W将干燥液体供应到衬底W; 第二干燥步骤，其中在第一干燥步骤之后，将基材减速至比第一转数低的第二转数，同时向基材供应干燥液体，条件是在第二干燥步骤期间，将破坏施加到冲洗液体和基材W上的干燥液体，将冲洗液与干燥液体一起搅拌并置换; 第三干燥步骤，其中在第二干燥步骤之后，将基材的旋转数量从第二干燥步骤增加到第三个转数，同时将干燥液体供应到基材; 以及之后的第四干燥步骤，其中通过旋转衬底将衬底上的干燥液体从那里抛出。选择的图示：图4

4. 发明专利

JP5820709B2 基板処理方法、この基板処理方法を実行するためのコンピュータプログラムが記録された記録媒体、および基板処理装置有权
公开(公告)号：JP5820709B2
公开(公告)日：2015-11-24
申请号：JP2011262678
申请日：2011-11-30
申请人：東京エレクトロン株式会社
发明人：南輝臣 , 田中暁 , 永松辰也 , 鈴木啓之 , 川渕洋介 , 平山司 , 松木勝文
IPC分类号： H01L21/304
CPC分类号： B08B3/04 , H01L21/67034

5. 发明专利

JP6668166B2 フッ素含有有機溶剤の回収装置および基板処理装置有权
公开(公告)号：JP6668166B2
公开(公告)日：2020-03-18
申请号：JP2016104653
申请日：2016-05-25
申请人：東京エレクトロン株式会社
发明人：光岡一行 , 南輝臣
IPC分类号： H01L21/304

6. 发明专利

JP5959806B2 基板処理方法、この基板処理方法を実行するためのコンピュータプログラムが記録された記録媒体、および基板処理装置有权
公开(公告)号：JP5959806B2
公开(公告)日：2016-08-02
申请号：JP2011133279
申请日：2011-06-15
申请人：東京エレクトロン株式会社
发明人：南輝臣 , 岡村尚幸 , 丸山裕隆 , 川渕洋介
IPC分类号： H01L21/304
CPC分类号： H01L21/67028 , H01L21/02052 , H01L21/67051

7. 发明专利

JP2017212341A フッ素含有有機溶剤の回収装置および基板処理装置审中-公开
公开(公告)号：JP2017212341A
公开(公告)日：2017-11-30
申请号：JP2016104653
申请日：2016-05-25
申请人：東京エレクトロン株式会社
发明人：光岡一行 , 南輝臣
IPC分类号： H01L21/304
摘要：【課題】フッ素含有有機溶剤を効果的に回収する。【解決手段】回収装置30は回収タンク36と、回収タンク36へフッ素含有有機溶剤を供給する供給ノズル37とを備えている。供給ノズル37は浮き子39に取付けられており、供給ノズル37の下端は回収タンク36内の水層36a内に位置する。【選択図】図7

8. 发明专利

JP6046225B2 基板処理方法、この基板処理方法を実行するためのコンピュータプログラムが記録された記録媒体、および基板処理装置有权
标题翻译：基板处理方法，其具有计算机程序的记录介质记录有用于执行一种衬底处理方法和衬底处理设备
公开(公告)号：JP6046225B2
公开(公告)日：2016-12-14
申请号：JP2015197727
申请日：2015-10-05
申请人：東京エレクトロン株式会社
发明人：南輝臣 , 田中暁 , 永松辰也 , 鈴木啓之 , 川渕洋介 , 平山司 , 松木勝文
IPC分类号： H01L21/027 , H01L21/304

9. 发明专利

JP6001107B2 基板処理方法、この基板処理方法を実行するためのコンピュータプログラムが記録された記録媒体、および基板処理装置有权
公开(公告)号：JP6001107B2
公开(公告)日：2016-10-05
申请号：JP2015014340
申请日：2015-01-28
申请人：東京エレクトロン株式会社
发明人：南輝臣 , 岡村尚幸 , 丸山裕隆 , 川渕洋介
IPC分类号： H01L21/304
CPC分类号： H01L21/67028 , H01L21/02052 , H01L21/67051

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