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3. 发明专利

JP2015070090A 半導体記憶装置およびその製造方法审中-公开
标题翻译：半导体存储器件及其制造方法
公开(公告)号：JP2015070090A
公开(公告)日：2015-04-13
申请号：JP2013202533
申请日：2013-09-27
申请人：株式会社東芝
发明人：西谷和人 , 伊藤祥代 , 萩島大輔 , 近藤正樹
IPC分类号： H01L27/115 , H01L21/336 , H01L29/788 , H01L29/792 , H01L27/10 , H01L21/8247
摘要：【課題】隣接アクティブエリア間の溝の深さのばらつきを低減し、パターン倒壊の発生を抑制することができる半導体記憶装置およびその製造方法を提供する。【解決手段】半導体記憶装置は、半導体基板11と、半導体基板11の上層部分26の一部に設けられ、上層部分26を一方向に延びる複数本のアクティブエリアAAに区画する素子分離絶縁体16と、アクティブエリアAA上に設けられたトンネル絶縁膜17と、トンネル絶縁膜17上に設けられた電荷蓄積部材FGと、電荷蓄積部材FG上及び素子分離絶縁体16上に設けられたゲート間絶縁膜18と、ゲート間絶縁膜18上に設けられたコントロールゲート電極CGとを備え、アクティブエリアAAは側面に段差27を有し、段差27の下方部分28は、段差27の上方部分26よりも幅が太い。【選択図】図1
摘要翻译：要解决的问题：提供一种半导体存储装置及其制造方法，其可以减少相邻有源区域之间的沟槽的深度波动，并抑制图案崩溃的发生。解决方案：半导体存储装置包括：半导体基板11; 形成在半导体基板11的上层部分26的一部分上的元件隔离绝缘体16，用于将上层部分26分割为沿一个方向延伸的多个有效区域AA; 形成在有源区域AA上的隧道绝缘膜17; 设置在隧道绝缘膜17上的电荷存储部件FG; 设置在电荷存储部件FG和元件隔离绝缘子16上的栅极间绝缘膜18; 以及设置在栅极间绝缘膜18上的控制栅电极CG。每个有源区域AA在侧面上具有电平差27，并且电平差27在下部28中具有比在上部26中更大的宽度。

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