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1. 发明专利

JP2018046168A 半導体装置审中-公开
公开(公告)号：JP2018046168A
公开(公告)日：2018-03-22
申请号：JP2016180129
申请日：2016-09-15
申请人：株式会社東芝
发明人：小山将央 , 齋藤尚史 , 清水達雄 , 布上真也
IPC分类号： H01L29/778 , H01L29/812 , H01L29/423 , H01L29/49 , H01L21/28 , H01L21/336 , H01L29/78 , H01L21/338
CPC分类号： H01L29/2003 , H01L21/8252 , H01L27/0605 , H01L27/092 , H01L29/045 , H01L29/4966 , H01L29/513 , H01L29/517 , H01L29/518 , H01L29/7786 , H01L29/78
摘要：【課題】使い易さを向上できる半導体装置を提供する。【解決手段】半導体装置110は、第1素子部71を含む。第1素子部71は、第1半導体層10と、第2半導体層20と、第1〜第3電極51〜53と、第1絶縁層58Aと、を含む。第1半導体層10は、Al x1 Ga 1−x1 N(0≦x1 x2 Ga 1−x2 N(x1
【選択図】図1

2. 发明专利

JP2020109909A 半導体装置及び半導体パッケージ审中-公开
公开(公告)号：JP2020109909A
公开(公告)日：2020-07-16
申请号：JP2019000280
申请日：2019-01-04
申请人：株式会社東芝 , 東芝デバイス&ストレージ株式会社
发明人：小山将央 , 池田健太郎
IPC分类号： H03K17/687 , H03K17/04
摘要：【課題】ノーマリオントランジスタの立ち上がり速度や立ち下がり速度の低下を防止する。【解決手段】半導体装置は、第1ソース、第1ドレイン及び第1ゲートを有するノーマリオフトランジスタと、第2ソース、第2ドレイン及び第2ゲートを有するノーマリオントランジスタと、第1抵抗と、出力ノードと第2ゲートとの間に接続される第2抵抗及び第1キャパシタと、第2ゲートに接続される第1アノードと、第1ドレインに接続される第1カソードとを有する第1整流素子と、ゲートドライブ回路に接続される第2アノードと、第1ゲートに接続される第2カソードとを有する第2整流素子と、第1ドレインと第2ソースとの間に接続される第1インダクタと、ゲートドライブ回路の基準電位ノードと第1ソースとの間に接続される第2インダクタと、第1ソースと第2ソースとの間に直列に接続される第2キャパシタ及び第3インダクタと、を備える。【選択図】図1

3. 发明专利

JP2018120982A 半導体装置审中-公开
公开(公告)号：JP2018120982A
公开(公告)日：2018-08-02
申请号：JP2017011987
申请日：2017-01-26
申请人：株式会社東芝
发明人：小山将央 , 清水達雄 , 布上真也
IPC分类号： H01L29/778 , H01L29/812 , H01L21/336 , H01L29/78 , H01L21/338
CPC分类号： H01L29/7783 , H01L29/0684 , H01L29/1054 , H01L29/2003 , H01L29/205 , H01L29/41758 , H01L29/42316 , H01L29/4236 , H01L29/513 , H01L29/518 , H01L29/7786
摘要：【課題】特性の安定性を向上できる半導体装置を提供する。【解決手段】半導体装置110は、第1〜第3電極41〜43、第1〜第3半導体領域10、22、23及び中間領域30を含む。第2電極42から第3電極43に向かう第1方向において、第1電極41は、第2、第3電極42、43の間にある。第1半導体領域10は、第2方向において、電極と離れる。第2、第3半導体領域22、23は、それぞれ、第2、第3電極42、43と第1半導体領域10の間にある。第1電極41の少なくとも一部は、第2、第3半導体領域22、23の間にある。中間領域30は、第1電極41と第1半導体領域10との間、第1電極41と第2半導体領域22と間及び第1電極41と第3半導体領域23との間にある。中間領域30は、Al x4 Ga 1−x4 Nの化合物、または、ホウ素及び窒素を含む化合物を含む。【選択図】図1

4. 发明专利

JP6685870B2 半導体装置有权
公开(公告)号：JP6685870B2
公开(公告)日：2020-04-22
申请号：JP2016180129
申请日：2016-09-15
申请人：株式会社東芝
发明人：小山将央 , 齋藤尚史 , 清水達雄 , 布上真也
IPC分类号： H01L29/778 , H01L29/812 , H01L29/423 , H01L29/49 , H01L21/28 , H01L21/336 , H01L29/78 , H01L21/338

5. 发明专利

JP6640762B2 半導体装置有权
公开(公告)号：JP6640762B2
公开(公告)日：2020-02-05
申请号：JP2017011987
申请日：2017-01-26
申请人：株式会社東芝
发明人：小山将央 , 清水達雄 , 布上真也
IPC分类号： H01L29/778 , H01L29/812 , H01L21/336 , H01L29/78 , H01L21/338

6. 发明专利

JP6822939B2 半導体装置有权
公开(公告)号：JP6822939B2
公开(公告)日：2021-01-27
申请号：JP2017230566
申请日：2017-11-30
申请人：株式会社東芝
发明人：小山将央 , 池田健太郎 , 高尾和人
IPC分类号： H01L27/04 , H01L25/04 , H01L25/18 , H01L21/822

7. 发明专利

JP2020182000A 半導体装置审中-公开
公开(公告)号：JP2020182000A
公开(公告)日：2020-11-05
申请号：JP2020128141
申请日：2020-07-29
申请人：株式会社東芝
发明人：小山将央 , 池田健太郎 , 高尾和人
IPC分类号： H01L21/338 , H01L29/812 , H01L25/04 , H01L25/18 , H01L23/52
摘要：【課題】ノイズの放出を抑制できる半導体装置を提供する。【解決手段】実施形態によれば、半導体装置は、ノーマリオフの第1トランジスタと、ノーマリオンの第2トランジスタと、導電部材と、を含む。第1トランジスタは、第1ゲート、第1ソース、第1ドレイン及び第1半導体部材を含む。第1ゲートから第1ソースへの方向は、第1半導体部材から第1ドレインへの第1方向と交差する。第1半導体部材は、第1ゲート及び第1ソースと、第1ドレインと、の間に設けられる。第2トランジスタは、第2ゲート、第2ソース、第2ドレイン及び第2半導体部材を含む。第2半導体部材から、第2ゲート、第2ソース及び第2ドレインへの向きは、第1半導体部材から第1ドレインへの向きと同じである。第1半導体部材から第2半導体部材への向きは、第1方向と交差する。導電部材は、第1ドレインと第2ソースとを接続する。【選択図】図1

8. 发明专利

JP2020004921A 半導体装置审中-公开
公开(公告)号：JP2020004921A
公开(公告)日：2020-01-09
申请号：JP2018125689
申请日：2018-07-02
申请人：株式会社東芝
发明人：小山将央 , 池田健太郎
IPC分类号： H01L29/778 , H01L29/812 , H01L31/10 , H01L21/338
摘要：【課題】高感度で光を検出できる半導体装置を提供する。【解決手段】実施形態によれば、半導体装置は、素子部を含む。素子部は、第1、第2半導体層、第1、第2電極及び絶縁部を含む。第1半導体層は、第1〜第5部分領域を含み、第1窒化物半導体を含む。第1、第2電極は、第1、第2部分領域からそれぞれ離れる。第2半導体層は、第2窒化物半導体を含む。第2窒化物半導体の格子定数は、第1窒化物半導体の格子定数よりも小さい。第2半導体層は、第1、第2半導体領域を含む。第4部分領域から第1半導体領域への方向、及び、第5部分領域から第2半導体領域への方向は第1方向に沿う。絶縁部は、第1絶縁領域を含む。第1絶縁領域は、第2方向において第1半導体領域と第2半導体領域との間に設けられる。第1絶縁領域厚さは、第2半導体層の厚さ以上である。【選択図】図1

9. 发明专利

JP6983958B2 半導体装置有权
公开(公告)号：JP6983958B2
公开(公告)日：2021-12-17
申请号：JP2020128141
申请日：2020-07-29
申请人：株式会社東芝
发明人：小山将央 , 池田健太郎 , 高尾和人
IPC分类号： H01L21/338 , H01L29/812 , H01L25/04 , H01L25/18 , H01L23/52

10. 发明专利

JP6905395B2 半導体装置有权
公开(公告)号：JP6905395B2
公开(公告)日：2021-07-21
申请号：JP2017118990
申请日：2017-06-16
申请人：株式会社東芝
发明人：小山将央 , 池田健太郎 , 高尾和人
IPC分类号： H01L29/12 , H01L21/336 , H01L29/06 , H01L21/337 , H01L21/338 , H01L29/808 , H01L29/812 , H01L29/778 , H01L21/28 , H01L29/417 , H01L29/78

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