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1. 发明专利

JP6385864B2 ノズルおよび液体供給装置审中-公开
公开(公告)号：JP6385864B2
公开(公告)日：2018-09-05
申请号：JP2015054830
申请日：2015-03-18
申请人：株式会社東芝
发明人：寺田貴洋 , 田中正幸 , 加藤視紅磨 , 出浦香織 , 町田守寛
IPC分类号： B05C11/08 , B05C5/00 , H01L21/027
CPC分类号： B05C5/004 , B05C5/00 , B05C11/08 , B05C11/10 , H01L21/027 , H01L21/6715

2. 发明专利

JP2016134488A 研磨装置および半導体ウェハの研磨方法审中-公开
标题翻译：抛光装置和抛光方法的SEMICONDUCTOR WAFER
公开(公告)号：JP2016134488A
公开(公告)日：2016-07-25
申请号：JP2015007898
申请日：2015-01-19
申请人：株式会社東芝
发明人：加藤視紅磨 , 藤山雄一郎 , 高橋琢視 , 丸尾拓
IPC分类号： B24B49/04 , B24B21/00 , H01L21/304
CPC分类号： B24B49/16 , B24B21/04 , H01L22/12 , H01L22/20
摘要：【課題】半導体ウェハの裏面研磨の状況を詳細に把握することを可能とする。【解決手段】実施形態によれば、研磨装置は、ステージと、研磨部と、歪み測定部を備える。ステージは、半導体ウェハを載置して回転する。研磨部は、ステージに載置された半導体ウェハの裏面を押圧して研磨する。歪み測定部は、ステージに設けられ、半導体ウェハの研磨中、半導体ウェハの半径方向への歪みと、半導体ウェハの回転方向への歪みを測定する。【選択図】図1
摘要翻译：要解决的问题：提供能够精确地理解半导体晶片的背面上的抛光状态的研磨装置。解决方案：抛光装置包括：台架; 抛光部分; 和失真测量部。舞台以放置在其上的半导体晶片旋转。抛光部分对其放置在载物台上的半导体晶片的背面进行抛光，同时对其进行抛光。在半导体晶片的抛光期间，将失真测量部分提供给台阶以测量半导体晶片的径向方向的变形和半导体晶片的旋转方向的变形。图1

3. 发明专利

JP2016089224A 処理装置及びコリメータ有权
标题翻译：加工设备和包装机
公开(公告)号：JP2016089224A
公开(公告)日：2016-05-23
申请号：JP2014225605
申请日：2014-11-05
申请人：株式会社東芝
发明人：加藤視紅磨 , 寺田貴洋 , 田中正幸
IPC分类号： C23C14/34 , C23C14/54
CPC分类号： C23C14/34 , C23C14/54
摘要：【課題】スパッタリングの効率を向上させ得る処理装置を提供する。【解決手段】一つの実施の形態に係る処理装置は、ターゲットと、第1のステージと、第1のコリメータとを備える。前記ターゲットは、粒子を飛ばすことが可能である。前記第1のステージは、前記ターゲットから離間して配置される。前記第1のコリメータは、前記ターゲットと前記第1のステージとの間に配置され、複数の第1の壁と、少なくとも一つの第1の開口部が設けられた複数の第2の壁と、を有し、前記複数の第1の壁及び前記複数の第2の壁によって、前記ターゲットから前記第1のステージへ向かう方向である第1の方向に延びる複数の第1の貫通孔を形成する。【選択図】図1
摘要翻译：要解决的问题：提供能够提高溅射效率的处理装置。解决方案：根据一个实施例的处理装置包括目标，第一阶段和第一准直器。目标可以使粒子飞。第一阶段远离目标。第一准直器包括多个第一壁和多个第二壁，每个第二壁形成有至少一个第一开口，该第一开口布置在目标和第一平台之间。由多个第一壁和多个第二壁形成从目标向第一阶段沿第一方向延伸的多个第一通孔。图1

4. 发明专利

JP6495875B2 流路構造及び処理装置有权
公开(公告)号：JP6495875B2
公开(公告)日：2019-04-03
申请号：JP2016177821
申请日：2016-09-12
申请人：株式会社東芝
发明人：寺田貴洋 , 加藤視紅磨 , 東真也 , 田中正幸 , 松田拓也
IPC分类号： H01L21/31 , C23C16/455

5. 发明专利

JP2018154880A コリメータおよび処理装置审中-公开
公开(公告)号：JP2018154880A
公开(公告)日：2018-10-04
申请号：JP2017053313
申请日：2017-03-17
申请人：株式会社東芝
发明人：加藤視紅磨 , 寺田貴洋 , 竹内将勝 , 小泉恵太 , 徳田祥典
IPC分类号： H01L21/203 , C23C14/34
CPC分类号： C23C14/54 , C23C14/34 , C23C14/542 , H01J37/3447
摘要：【課題】例えば、被処理物の場所による膜厚のばらつきが減るなど、より不都合の少ない新規な構成のコリメータおよび処理装置を得る。【解決手段】実施形態のコリメータには、格子領域と周縁フレームとの間で単位貫通孔よりも大きく開口し、コリメータを第一方向に貫通する周縁開口部が設けられる。周縁開口部は、第一端壁と周縁フレームとの間に位置された第一周縁開口部を含む。【選択図】図2

6. 发明专利

JP2017166001A 成膜装置、スパッタ装置、及びコリメータ有权
公开(公告)号：JP2017166001A
公开(公告)日：2017-09-21
申请号：JP2016050218
申请日：2016-03-14
申请人：株式会社東芝
发明人：竹内将勝 , 加藤視紅磨 , 青山徳博 , 寺田貴洋 , 徳田祥典
IPC分类号： H01L21/285 , C23C14/54
CPC分类号： C23C14/54 , H01L21/285
摘要：【課題】処理の結果を制御することができる処理装置を提供する。【解決手段】一つの実施形態に係る処理装置は、物体配置部と、発生源配置部と、コリメータと、温度調整部と、を備える。前記物体配置部は、物体が配置されるよう構成される。前記発生源配置部は、前記物体配置部から離間した位置に配置され、前記物体に向かって粒子を放出することが可能な粒子発生源が配置されるよう構成される。前記コリメータは、前記物体配置部と前記発生源配置部との間に配置されるよう構成され、複数の壁を有し、前記複数の壁によって形成され前記物体配置部から前記発生源配置部へ向かう方向に延びる複数の貫通口を形成する。前記温度調整部は、前記コリメータの温度を調整するよう構成される。【選択図】図1

7. 发明专利

JP2017166000A 処理装置及びコリメータ有权
公开(公告)号：JP2017166000A
公开(公告)日：2017-09-21
申请号：JP2016050216
申请日：2016-03-14
申请人：株式会社東芝
发明人：寺田貴洋 , 加藤視紅磨 , 徳田祥典 , 竹内将勝 , 青山徳博
IPC分类号： H01L21/285 , H01L21/203 , C23C14/34
CPC分类号： C23C14/34 , H01L21/203 , H01L21/285
摘要：【課題】コリメータを通過する粒子の方向の範囲を調整可能な処理装置を提供する。【解決手段】一つの実施形態に係る処理装置は、物体配置部と、発生源配置部と、コリメータと、を備える。前記物体配置部は、物体が配置されるよう構成される。前記発生源配置部は、前記物体配置部から離間した位置に配置され、前記物体に向かって粒子を放出することが可能な粒子発生源が配置されるよう構成される。前記コリメータは、前記物体配置部と前記発生源配置部との間に配置されるよう構成され、枠と、複数の第1の壁を有し、前記複数の第1の壁によって形成され前記発生源配置部から前記物体配置部へ向かう第1の方向に延びる複数の第1の貫通口が設けられ、前記枠に取り外し可能に取り付けられるよう構成された第1の整流部と、を有する。【選択図】図1

8. 发明专利

JP6105114B1 成膜装置、スパッタ装置、及びコリメータ有权
公开(公告)号：JP6105114B1
公开(公告)日：2017-03-29
申请号：JP2016050218
申请日：2016-03-14
申请人：株式会社東芝
发明人：竹内将勝 , 加藤視紅磨 , 青山徳博 , 寺田貴洋 , 徳田祥典
IPC分类号： H01L21/285 , C23C14/54
CPC分类号： C23C14/54 , H01L21/285
摘要：【課題】処理の結果を制御することができる処理装置を提供する。【解決手段】一つの実施形態に係る処理装置は、物体配置部と、発生源配置部と、コリメータと、温度調整部と、を備える。前記物体配置部は、物体が配置されるよう構成される。前記発生源配置部は、前記物体配置部から離間した位置に配置され、前記物体に向かって粒子を放出することが可能な粒子発生源が配置されるよう構成される。前記コリメータは、前記物体配置部と前記発生源配置部との間に配置されるよう構成され、複数の壁を有し、前記複数の壁によって形成され前記物体配置部から前記発生源配置部へ向かう方向に延びる複数の貫通口を形成する。前記温度調整部は、前記コリメータの温度を調整するよう構成される。【選択図】図1

9. 发明专利

JP2016178115A 流路構造、吸排気部材、及び処理装置有权
标题翻译：流动通道结构，吸入/排除构件和加工装置
公开(公告)号：JP2016178115A
公开(公告)日：2016-10-06
申请号：JP2015055045
申请日：2015-03-18
申请人：株式会社東芝
发明人：寺田貴洋 , 田中正幸 , 加藤視紅磨
IPC分类号： C23C16/455 , F17D1/00 , H01L21/205
CPC分类号： F17D1/00 , F17D1/04
摘要：【課題】流体がより均等に吸引又は送出される流路構造を提供する。【解決手段】一つの実施の形態に係る流路構造は、部材を有する。前記部材に、複数の第1の開口部と、複数の第2の開口部と、流路と、複数の合流分岐部とが設けられる。前記流路は、前記複数の第1の開口部と前記複数の第2の開口部との間を接続する。前記合流分岐部は、前記流路に設けられ、互いに接続される第1の端部をそれぞれ有した複数の第1の部分と、互いに接続される第2の端部をそれぞれ有するとともに前記第1の開口部と前記第2の開口部との間の経路において前記第1の部分よりも前記第2の開口部に近い複数の第2の部分と、をそれぞれ有する。前記合流分岐部のそれぞれの前記第1の端部と前記第2の端部とが接続される。【選択図】図2
摘要翻译：要解决的问题：提供一种流体更均匀地吸入或排出的流路结构。解决方案：根据一个实施例的流路结构包括构件。多个第一孔，多个第二孔，流道和多个合并/分支单元设置在该构件中。流动通道将多个第一孔与多个第二孔连接。每个合流/分支单元设置在流动通道中，并且包括多个第一部分，每个第一部分具有彼此连接的各个第一端和多个第二部分，每个第二部分具有彼此连接的单独的第二端，并且更接近与第一部分相比，第二孔在第一孔和第二孔之间的路径中。第一端和第二端连接在每个合并/分支单元中。选择图：图2

10. 发明专利

JP5985581B2 処理装置及びコリメータ有权
标题翻译：处理装置和准直仪
公开(公告)号：JP5985581B2
公开(公告)日：2016-09-06
申请号：JP2014225605
申请日：2014-11-05
申请人：株式会社東芝
发明人：加藤視紅磨 , 寺田貴洋 , 田中正幸
IPC分类号： C23C14/34 , C23C14/54
CPC分类号： C23C14/34 , C23C14/54

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