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1. 发明专利

JP6298383B2 基板処理装置及び半導体装置の製造方法有权
公开(公告)号：JP6298383B2
公开(公告)日：2018-03-20
申请号：JP2014166608
申请日：2014-08-19
申请人：株式会社日立国際電気
发明人：稲田哲明 , 和田優一 , 石坂光範 , 平野光浩 , 堀井貞義 , 板谷秀治 , 高野智 , 竹林基成
IPC分类号： C23C16/455 , H01L21/316 , H01L21/318 , H01L21/324 , H01L21/31
CPC分类号： C23C16/45551 , C23C16/34 , C23C16/45519 , C23C16/45591 , C23C16/4584 , H01L21/28562 , H01L21/32051

2. 发明专利

JP2015181149A 基板処理装置及び半導体装置の製造方法並びに記録媒体审中-公开
标题翻译：基板处理装置，半导体器件的制造方法和记录介质
公开(公告)号：JP2015181149A
公开(公告)日：2015-10-15
申请号：JP2015016871
申请日：2015-01-30
申请人：株式会社日立国際電気
发明人：板谷秀治 , 稲田哲明 , 竹林基成 , 豊田一行
IPC分类号： H05H1/46 , H01L21/318 , C23C16/42 , C23C16/505 , H01L21/02 , H01L21/316 , H01L21/31
CPC分类号： H01L21/28556 , C23C16/345 , C23C16/45536 , C23C16/45551 , C23C16/4584 , C23C16/507 , H01L21/0217 , H01L21/02211 , H01L21/02274 , H01L21/0228 , C23C16/06 , C23C16/405 , C23C16/52
摘要：【課題】回転型装置において均一にプラズマを供給可能とする基板処理装置及び半導体装置の製造方法並びに記録媒体を提供する。【解決手段】原料ガス供給領域206a(第1処理領域)、反応ガス供給領域206b(第2処理領域)を有し、原料ガス供給領域内、反応ガス供給領域内で基板200(ウエハ)を処理する処理室201と、処理室内に回転自在に設けられ、回転方向に沿って複数の基板を載置する基板載置台217(サセプタ)と、反応ガス供給領域の上方に設けられるプラズマ生成室290にプラズマを生成するプラズマ生成部と、プラズマ生成室の外周に巻かれ、プラズマ生成室の側壁291と隣接する部分の曲率が一定であるコイル293と、プラズマ生成室の天井292から、プラズマ生成室を介して反応ガス供給領域に反応ガスを供給する反応ガス供給系233と、原料ガス供給領域に原料ガスを供給する原料ガス供給系と、を有する。【選択図】図4
摘要翻译：要解决的问题：提供能够在旋转装置中均匀地供应等离子体的基板处理装置，并提供半导体装置和记录介质的制造方法。解决方案：基板处理装置包括：处理室201，具有原料气体供给区域206a（第一处理区域）和反应气体供给区域206b（第二处理区域），对原料气体供给区域中的基板200（晶片）进行处理的处理室201和反应供气区; 可旋转地设置在处理室中的基板放置基座217（基座），其中基板沿旋转方向放置的基板放置基座217; 等离子体产生部件，其在设置在反应气体供给区域上方的等离子体产生室290中产生等离子体; 缠绕在等离子体生成室的外周的线圈293，与等离子体产生室的侧壁291相邻的部分具有恒定的曲率的线圈293; 反应气体供给系统233，其通过等离子体生成室将来自等离子体生成室的顶棚292的反应气体供给到反应气体供给区域; 以及向原料气体供给区域供给原料气体的原料气体供给系统。

3. 发明专利

JP2015165569A 半導体装置の製造方法、基板処理装置および半導体装置有权
标题翻译：制造半导体器件的方法，衬底处理器件和半导体器件
公开(公告)号：JP2015165569A
公开(公告)日：2015-09-17
申请号：JP2015063473
申请日：2015-03-25
申请人：株式会社日立国際電気
发明人：堀井貞義 , 小川有人 , 板谷秀治
IPC分类号： C23C16/34 , H01L21/336 , H01L29/78 , H01L21/822 , H01L27/04 , H01L21/285 , H01L29/423 , H01L29/49 , H01L21/8242 , H01L27/108 , C23C16/455 , H01L21/28
摘要：【課題】低コストで必要な仕事関数及び耐酸化性を有する金属膜を備えた半導体装置を提供する。【解決手段】金属窒化膜の形成と、金属膜の形成と、を交互に繰り返し行うことで、基板の表面に形成された絶縁膜上に、金属窒化膜と金属膜との積層を繰り返した構造を有する金属含有膜を形成する工程を有し、金属窒化膜は金属膜よりも耐酸化性が高い物質で構成され、金属膜は金属窒化膜よりも高い仕事関数を有する物質で構成され、金属含有膜を形成する工程では、最初に金属窒化膜を形成する。【選択図】図5
摘要翻译：要解决的问题：提供一种包括具有必要的功函数和低成本的抗氧化性的金属膜的半导体器件。解决方案：一种制造半导体器件的方法包括：形成具有结构的含金属膜的步骤，通过交替地重复形成金属氮化物膜和形成金属膜，在形成在基板表面上的绝缘膜上重复层压金属氮化物膜和金属膜。金属氮化物膜由抗氧化性高于金属膜的物质构成，金属膜由具有高于金属氮化物膜的功函数的物质构成，在形成金属的工序中首先形成金属氮化物膜。

5. 发明专利

JP5944549B2 半導体装置の製造方法、基板処理装置および半導体装置有权
标题翻译：一种制造半导体器件，基板处理装置和半导体器件的方法
公开(公告)号：JP5944549B2
公开(公告)日：2016-07-05
申请号：JP2015063473
申请日：2015-03-25
申请人：株式会社日立国際電気
发明人：堀井貞義 , 小川有人 , 板谷秀治
IPC分类号： C23C16/34 , H01L21/336 , H01L29/78 , H01L21/822 , H01L27/04 , H01L21/285 , H01L29/423 , H01L29/49 , H01L21/8242 , H01L27/108 , C23C16/455 , H01L21/28

6. 发明专利

JP5801632B2 半導体装置の製造方法及び基板処理装置有权
公开(公告)号：JP5801632B2
公开(公告)日：2015-10-28
申请号：JP2011156760
申请日：2011-07-15
申请人：株式会社日立国際電気
发明人：北村匡史 , 板谷秀治 , 堀井貞義
IPC分类号： H01L21/31 , C23C16/44 , C23C16/40 , H01L21/8242 , H01L27/108 , H01L21/316

7. 发明专利

JP2015183211A 基板処理装置、半導体装置の製造方法、プログラム及び記録媒体有权
标题翻译：基板处理装置，制造半导体器件的方法，程序和记录介质
公开(公告)号：JP2015183211A
公开(公告)日：2015-10-22
申请号：JP2014059223
申请日：2014-03-20
申请人：株式会社日立国際電気
发明人：板谷秀治
IPC分类号： H01L21/31 , H01L21/205 , H01L21/3065 , C23C16/455
CPC分类号： C23C16/4412 , C23C16/455 , C23C16/458 , C23C16/52 , H01L21/68735
摘要：【課題】基板外周側への排気コンダクタンス調整を適切に行えるようにし、これにより膜形成時における処理空間内の圧力の均一化を図れるようにする基板処理装置及び半導体装置の製造方法の提供。【解決手段】基板を処理する処理空間201と、処理空間201の側方周囲を囲むように設けられた空間を持ち処理空間201内に供給されたガスが流入する排気バッファ室208と、処理空間201と排気バッファ室208との間のガス流路に面して配置されるコンダクタンス調整プレート209と、を備えている基板処理装置100。コンダクタンス調整プレート209は、処理空間201から排気バッファ室208へのガス流路に面する内周側端縁に、R状部分又はテーパ傾斜状部分を有する基板処理装置100。【選択図】図1
摘要翻译：要解决的问题：提供一种基板处理装置和半导体装置的制造方法，使得适当地进行基板外周侧的排气传导调节，从而使成膜中的处理空间中的压力均匀。解决方案：提供了一种基板处理装置100，其包括：处理空间201，其中处理基板; 排气缓冲室208，其具有设置成围绕处理空间201的侧面的空间，并且供给到处理空间201的气体流动; 以及与处理空间201和排气缓冲室208之间的气体流路相对配置的电导调整板209.电导调整板209在面向气流的内周侧边缘具有R形或锥形倾斜部从处理空间201到排气缓冲室208的通道。

8. 发明专利

JP6342503B2 半導体装置の製造方法、基板処理装置およびプログラム有权
公开(公告)号：JP6342503B2
公开(公告)日：2018-06-13
申请号：JP2016549876
申请日：2014-09-26
申请人：株式会社日立国際電気
发明人：上田立志 , 大橋直史 , 板谷秀治 , 山本克彦 , 田邊潤一 , 平祐樹
IPC分类号： H01L21/316 , C23C16/42 , C23C16/52 , C23C16/44 , H01L21/31
CPC分类号： C23C16/44 , H01L21/31

9. 发明专利

JP2016148080A 基板処理装置、半導体装置の製造方法およびプログラム审中-公开
标题翻译：基板处理装置，制造半导体器件和程序的方法
公开(公告)号：JP2016148080A
公开(公告)日：2016-08-18
申请号：JP2015025282
申请日：2015-02-12
申请人：株式会社日立国際電気
发明人：板谷秀治
IPC分类号： H01L21/31 , C23C16/455 , C23C16/52
CPC分类号： C23C16/4584 , C23C16/45551 , C23C16/52
摘要：【課題】特性が不連続な膜の形成を抑制し、歩留まりの高い基板処理方法の提供。【解決手段】処理室201と、処理室201内に設けられた基板載置台220と、ガス供給部320、ガス排気部243cと、各部の動作をコントロールする制御部を有する基板処理装置において、ガス排気部の複数の排気管に複数のガス圧力検出器をそれぞれ設け、複数の前記ガス排気管のガス圧力を検出し、検出された圧力値の内、少なくとも一つが所定の値よりも大きい場合、大きい圧力を検出した排気管が異常であると判断する基板処理方法。【選択図】図3
摘要翻译：要解决的问题：提供一种处理抑制具有不连续特性的膜的半导体器件的制造方法，并且产率高。在包括处理室201的基板处理装置中，设置在基板安装台220 处理室201，气体供给部320，排气部243c以及用于控制各部的动作的控制部，排气部的多个排气管分别设置有多个气体压力检测器，基板处理方法包括：检测多个排气管的气体压力; 并且当检测到的压力值中的至少一个大于预定值时，确定检测到大压力的排气管是异常的。图3

10. 发明专利

JP5944429B2 基板処理装置、半導体装置の製造方法、プログラム及び記録媒体有权
标题翻译：的基板处理装置，一种制造半导体装置，程序的一种方法和一种记录介质
公开(公告)号：JP5944429B2
公开(公告)日：2016-07-05
申请号：JP2014059223
申请日：2014-03-20
申请人：株式会社日立国際電気
发明人：板谷秀治
IPC分类号： H01L21/31 , H01L21/205 , H01L21/3065 , C23C16/455
CPC分类号： C23C16/4412 , C23C16/455 , C23C16/458 , C23C16/52 , H01L21/68735

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