会员体验
专利管家(专利管理)
工作空间(专利管理)
风险监控(情报监控)
数据分析(专利分析)
侵权分析(诉讼无效)
联系我们
交流群
官方交流:
QQ群: 891211   
微信请扫码    >>>
现在联系顾问~
热词
    • 3. 发明专利
    • 基板処理装置および半導体装置の製造方法
    • 基板加工装置及制造半导体装置的方法
    • JP2016174158A
    • 2016-09-29
    • JP2016077998
    • 2016-04-08
    • 株式会社日立国際電気
    • 佐々木 伸也竹林 雄二小倉 慎太郎
    • H01L21/316C23C16/455H01L21/31
    • 【課題】反応生成物や分解物がノズル内壁に堆積するのを抑え、異物が処理室内に飛散することを抑える。 【解決手段】複数の基板200を積載して収容する処理室201と、処理室内を加熱する加熱ユニット207と、処理室内の温度が原料ガスの熱分解温度より高い場合であっても内部で原料ガスが分解しないような処理室内の所定位置に配設され、原料ガスを処理室内に供給する原料ガスノズル233aを備える原料ガス供給ユニットと、反応ガスを処理室内に供給する反応ガス供給ユニットと、原料ガス供給ユニットおよび反応ガス供給ユニットに不活性ガスを供給する不活性ガス供給ユニットと、処理室内を加熱し、不活性ガスを複数の異なる流量で原料ガスノズルに供給し、原料ガスを処理室に供給する複数の処理と、反応ガスを処理室内に供給する処理と、を含むサイクルを所定回数実施して基板上に膜を形成するよう構成される制御部280と、を有する。 【選択図】図2
    • 要解决的问题:抑制反应产物或分解产物在喷嘴内壁上的沉积并抑制异物在处理室中的分散。解决方案:一种基板处理装置,包括:处理室201 其容纳多个基板200; 用于在处理室内加热的加热单元207; 设置在处理室中的给定位置处的材料气体供应单元,其中即使处理室中的温度高于材料气体的热分解温度,材料气体也不会在处理室中分解,并且具有材料 气体喷嘴233a,用于将材料气体供给到处理室中; 用于将反应性气体供应到处理室中的反应气体供应单元; 惰性气体供给单元,其向所述原料气体供给单元和所述反应气体供给单元供给惰性气体; 以及控制部280,其被配置为加热处理室的内部,以不同的流量向惰性气体供给惰性气体,并且执行包括将材料气体供给到处理室中的多个处理的循环,以及 用于将反应气体供应到处理室中的给定次数的处理,从而在每个基板上形成膜。选择的图示:图2
    • 4. 发明专利
    • 基板処理装置および半導体装置の製造方法
    • 基板加工设备和半导体器件制造方法
    • JP2015164192A
    • 2015-09-10
    • JP2015062217
    • 2015-03-25
    • 株式会社日立国際電気
    • 佐々木 伸也竹林 雄二小倉 慎太郎
    • H01L21/316C23C16/455H01L21/31
    • 【課題】反応生成物や分解物がノズル内壁に堆積や、異物が処理室内に飛散する事を抑える方法を提供する。 【解決手段】複数枚の基板を積層して収容する処理室201と、処理室内を加熱する加熱ユニット207と、原料ガスを供給する原料ガス供給ユニットを備え、処理室内の温度が原料ガスが原料ガスが分解しないように供給する複数本の長さの異なる原料ガスノズル233aを備える原料ガス供給ユニットと、反応ガスを処理室内に供給する反応ガス供給ユニットである。処理室内に配設され、反応ガスを処理室内に供給する反応ガスノズル233bを有する反応ガス供給ユニットと、加熱ユニット、原料ガス供給ユニット、反応ガス供給ユニットを制御して、加熱する処理と、原料ガスを供給する処理と、反応ガスを供給する処理と、を含むサイクルを所定回数実施して基板上に膜を形成するよう構成される制御部と、を有する。 【選択図】図2
    • 要解决的问题:提供一种抑制反应产物或溶剂在喷嘴内壁上的积聚和异物在处理室中的飞散的方法。解决方案:一种基板处理装置,包括:处理室201,用于存储 多个基板层压; 用于加热处理室内部的加热单元207; 材料气体供给单元,其供给材料气体,并且具有多个彼此长度不同的长度的材料气体喷嘴233a,用于将材料气体供给到处理室的内部,使得即使在 处理室高于原料气体的分解温度; 反应气体供给单元,其设置在处理室中,并具有用于将反应气体供给到处理室内部的反应气体喷嘴233b; 以及控制部件,其通过控制加热单元,原料气体供给单元和反应气体供给单元来进行包括加热处理,供给原料气体的处理和供给反应气体的处理的规定次数的循环,以形成 薄膜在基材上。