基本信息:
- 专利标题： 基板処理装置および半導体装置の製造方法
- 专利标题（英）：Manufacturing method of a substrate processing apparatus and a semiconductor device
- 申请号：JP2015062217 申请日：2015-03-25
- 公开(公告)号：JP6021977B2 公开(公告)日：2016-11-09
- 发明人： 佐々木 伸也 , 竹林 雄二 , 小倉 慎太郎
- 申请人： 株式会社日立国際電気
- 申请人地址： 東京都港区西新橋二丁目15番12号
- 专利权人： 株式会社日立国際電気
- 当前专利权人： 株式会社日立国際電気
- 当前专利权人地址： 東京都港区西新橋二丁目15番12号
- 主分类号： H01L21/316
- IPC分类号： H01L21/316 ; C23C16/455 ; H01L21/31
公开/授权文献:
- JP2015164192A 基板処理装置および半導体装置の製造方法 公开/授权日：2015-09-10
信息查询:
EspacenetIPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L21/00 | 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备 |
| --------H01L21/02 | .半导体器件或其部件的制造或处理 |
| ----------H01L21/027 | ..未在H01L21/18或H01L21/34组中包含的为进一步的光刻工艺在半导体之上制作掩膜 |
| ------------H01L21/18 | ...器件有由周期表第Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料 |
| --------------H01L21/26 | ....用波或粒子辐射轰击的 |
| ----------------H01L21/302 | .....改变半导体材料的表面物理特性或形状的，例如腐蚀、抛光、切割 |
| ------------------H01L21/314 | ......无机层 |
| --------------------H01L21/316 | .......由氧化物或玻璃状氧化物或以氧化物为基础的玻璃组成的无机层 |