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1. 发明专利

JP2016033955A 基板処理装置、チャンバリッドアセンブリ、半導体装置の製造方法、プログラム及び記録媒体有权
标题翻译：基板加工装置，箱体组件，半导体装置制造方法，程序和存储介质
公开(公告)号：JP2016033955A
公开(公告)日：2016-03-10
申请号：JP2014156333
申请日：2014-07-31
申请人：株式会社日立国際電気
发明人：田辺光朗 , 柳沢愛彦 , 湯浅和宏 , 境正憲 , 坪田康寿
IPC分类号： C23C16/46 , C23C16/455 , H01L21/31
CPC分类号： C23C16/4585 , C23C16/4411 , C23C16/45525 , C23C16/45582 , C23C16/4586 , C23C16/46 , C23C16/463 , C23C16/52 , B05C11/1015 , B05C9/14 , H01L21/67248 , H05B1/0233
摘要：【課題】基板への均一なガス供給と基板面内加熱を同時に達成可能な基板処理装置、半導体装置の製造方法、プログラムおよび記録媒体を提供する。【解決手段】中央に設けられたガス分散チャネル231bと、ガス分散チャネルの径が、下方に向かって徐々に広がるよう構成される供給経路の側壁231cと、下部231dを介して側壁に連続して構成される下方表面231eとを有するチャンバリッドアセンブリ231と、下方表面の一部に設けられ、チャンバリッドアセンブリを構成する材質よりも高い熱伝導率を有するカバー233と、チャンバリッドアセンブリとカバーを有する天板204と、ガス分散チャネルに接続されるガス供給部243、244と、下方表面と対向する基板載置面211を有する。【選択図】図1
摘要翻译：要解决的问题：提供一种基板处理装置，半导体装置制造方法，程序和存储介质，其可以同时实现对基板和基板的面内加热的均匀气体供给。解决方案：基板处理装置包括：具有设置在中心的气体分散通道231b的腔室盖组件231，气体分散通道的直径向下逐渐增加的供给路径的侧壁231c和从侧壁经由下部形成的下表面231e 231d连续; 盖233，其设置在下表面的一面上，并且具有高于形成室盖组件的材料的导热性的导热性; 具有室盖组件和盖的顶板204; 连接到气体分散通道的气体供应部分243,244; 以及面向下表面的基片放置表面211.图示：图1

2. 发明专利

JP6066571B2 基板処理装置及び半導体装置の製造方法有权
标题翻译：用于制造的基板处理装置和半导体器件的方法
公开(公告)号：JP6066571B2
公开(公告)日：2017-01-25
申请号：JP2012032682
申请日：2012-02-17
申请人：株式会社日立国際電気
发明人：坪田康寿
IPC分类号： H01L21/316 , H01L21/31
CPC分类号： H01L21/02238 , C23C16/50 , H01L21/32105

4. 发明专利

JP2016063033A 基板処理装置、半導体装置の製造方法および記録媒体审中-公开
标题翻译：基板处理装置，制造半导体器件的方法和记录介质
公开(公告)号：JP2016063033A
公开(公告)日：2016-04-25
申请号：JP2014188824
申请日：2014-09-17
申请人：株式会社日立国際電気
发明人：野内英博 , 柳沢愛彦 , 坪田康寿
IPC分类号： H01L21/683 , H01L21/3065
CPC分类号： H01L21/3065 , H01L21/67103 , H01L21/67109
摘要：【課題】室温付近の低温域においてもシリコンエッチングにより発生する反応熱の受熱を吸収しつつ、基板載置台(サセプタ)温度を一定に保つことを可能とする構造及び手法を提供する【解決手段】発熱体と冷却流路を有する基板載置台と、発熱体に電力を供給する発熱体電源と、基板載置台の上面より下側であって、発熱体の下端よりも上側に先端が配置される熱検出器と、冷却流路に冷媒を供給する冷媒供給部と、を有し、冷却流路に冷媒を供給しつつ、基板載置台に基板が載置されていないときに発熱体に第1電力を供給し、基板載置台に基板が載置されているときに第2電力を供給するように発熱体電源と冷媒供給部を制御する制御部と、を有する。【選択図】図5
摘要翻译：要解决的问题：为了提供一种能够保持基板载置台（基座）的温度恒定的结构和方法，同时吸收由硅蚀刻产生的反应热的热量，即使在邻近的低温区域环境温度。解决方案：基板处理装置包括：具有加热元件和冷却流道的基板放置台; 用于向所述加热元件供电的加热元件电源; 热探测器，其顶端布置在比基板载置台的顶表面更下侧，并且位于比加热元件的底端上的上侧; 向冷却流路供给冷却介质的冷却介质供给部; 以及控制器，其控制所述加热元件电源和所述冷却介质供给部，以便当在所述基板载置台上没有基板放置时向所述加热元件提供第一功率，并且当将基板放置在所述基板放置上时提供第二功率同时将冷却介质供应到冷却流道。选择图：图5

5. 发明专利

JP2016066658A 付着物の除去方法、ドライエッチング方法、及び基板処理装置有权
标题翻译：沉积物去除方法，干蚀刻方法和基板处理装置
公开(公告)号：JP2016066658A
公开(公告)日：2016-04-28
申请号：JP2014193435
申请日：2014-09-24
申请人：セントラル硝子株式会社 , 株式会社日立国際電気
发明人：菊池亜紀応 , 渉仁紀 , 亀田賢治 , 檜山真 , 坪田康寿
IPC分类号： H01L21/302 , H01L21/304 , H01L21/3065
CPC分类号： H01L21/302 , H01L21/304 , H01L21/3065
摘要：【課題】七フッ化ヨウ素を含むエッチングガスを用いたエッチング時の不具合を抑制する。【解決手段】チャンバーを構成する部材またはチャンバーに接続された配管の表面に付着している、ヨウ素酸化物を含む付着物を、フッ素含有ガスを含むクリーニングガスを用いて除去する付着物の除去方法が提供される。また、チャンバー内にヨウ素含有ガスを含むエッチングガスを供給して基板表面をエッチングする工程と、基板表面をエッチングした後、チャンバーを構成する部材またはチャンバーに接続された配管の表面に付着したヨウ素酸化物を含む付着物を、フッ素含有ガスを含むクリーニングガスを用いて除去する工程と、を含むドライエッチング方法が提供される。【選択図】図1
摘要翻译：要解决的问题：使用含有七氟化铬的蚀刻气体来蚀刻时的麻烦。解决方案：提供一种沉积物去除方法，用于去除沉积在形成连接到室的室或管道的构件的表面上的沉积物，并且包含通过使用含有含氟气体的清洗气体来进行氧化。还提供了一种干蚀刻方法，其包括以下步骤：通过将含有含碘气体的蚀刻气体供入到该腔室中来蚀刻基板表面; 并且在基板表面被蚀刻之后，通过使用含有含氟气体的清洁气体，去除沉积在形成室的构件的表面上的沉积物或连接到室的管道并且含有碘氧化物的沉积物。：图1

6. 发明专利

JP5725911B2 基板処理装置及び半導体装置の製造方法有权
公开(公告)号：JP5725911B2
公开(公告)日：2015-05-27
申请号：JP2011047166
申请日：2011-03-04
申请人：株式会社日立国際電気
发明人：浜野勝艶 , 坪田康寿
IPC分类号： H01L21/3065 , H01L21/316 , H01L21/318 , C23C16/455 , H01L21/205

7. 发明专利

JP2017157660A 半導体装置の製造方法および基板処理装置审中-公开
公开(公告)号：JP2017157660A
公开(公告)日：2017-09-07
申请号：JP2016038701
申请日：2016-03-01
申请人：株式会社日立国際電気
发明人：市村圭太 , 坪田康寿 , 檜山真 , 野内英博 , 天野富大
IPC分类号： H01L21/3065
摘要：【課題】シリコン層のエッチング処理において、基板への不要なダメージを最小限に抑えつつ、シリコン層と堆積物を効率的に除去することができる技術を提供する。【解決手段】シリコン層と、前記シリコン層の一面に形成され露出している第1の酸化シリコン含有膜と、前記シリコン層の他の面に形成され露出している第2の酸化シリコン含有膜と、を有する基板に第1のエッチングガスを供給して、前記第1の酸化シリコン含有膜を除去する工程と、前記基板に、前記シリコン層を選択的に除去する第2のエッチングガスを供給して、前記シリコン層を除去する工程と、前記第2の酸化シリコン含有膜を除去する工程と、を有する。【選択図】図7

8. 发明专利

JP5792364B1 基板処理装置、チャンバリッドアセンブリ、半導体装置の製造方法、プログラム及び記録媒体有权
标题翻译：一种基板处理装置，该腔体盖组件，制造半导体器件，一个节目的方法和记录介质
公开(公告)号：JP5792364B1
公开(公告)日：2015-10-07
申请号：JP2014156333
申请日：2014-07-31
申请人：株式会社日立国際電気
发明人：田辺光朗 , 柳沢愛彦 , 湯浅和宏 , 境正憲 , 坪田康寿
IPC分类号： C23C16/46 , C23C16/455 , H01L21/31
CPC分类号： C23C16/4585 , C23C16/4411 , C23C16/45525 , C23C16/45582 , C23C16/4586 , C23C16/46 , C23C16/463 , C23C16/52 , B05C11/1015 , B05C9/14 , H01L21/67248 , H05B1/0233
摘要：【課題】基板への均一なガス供給と基板面内加熱を同時に達成可能な基板処理装置、半導体装置の製造方法、プログラムおよび記録媒体を提供する。【解決手段】中央に設けられたガス分散チャネル231bと、ガス分散チャネルの径が、下方に向かって徐々に広がるよう構成される供給経路の側壁231cと、下部231dを介して側壁に連続して構成される下方表面231eとを有するチャンバリッドアセンブリ231と、下方表面の一部に設けられ、チャンバリッドアセンブリを構成する材質よりも高い熱伝導率を有するカバー233と、チャンバリッドアセンブリとカバーを有する天板204と、ガス分散チャネルに接続されるガス供給部243、244と、下方表面と対向する基板載置面211を有する。【選択図】図1
摘要翻译：甲同时实现的基板处理装置的均匀的气体供给到基板表面的基板，制造半导体器件的方法的加热，提供了一个程序和记录介质。其在中心设置有气体分配通道231B，气体分配通道的直径，侧壁231C逐渐经由底部231D向下传播如此构造的供应路径，连续至侧壁具有腔室盖体组件231和配置下表面231E，设置在所述下表面的一部分，具有比所述腔体盖组件，一腔体盖组件和所述盖的材料更高的热导率的盖子233 具有顶板204，气体供给单元243和244连接到气体分配通道，面对所述下表面的衬底安装表面211。点域1

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