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1. 发明专利

JP6643202B2 プラズマ処理装置及びプラズマ処理データを解析する解析方法有权
公开(公告)号：JP6643202B2
公开(公告)日：2020-02-12
申请号：JP2016142933
申请日：2016-07-21
申请人：株式会社日立ハイテクノロジーズ
发明人：朝倉涼次 , 白石大輔 , 鹿子嶋昭 , 井上智己
IPC分类号： H05H1/46 , H01L21/3065

2. 发明专利

JP2019125506A プラズマ処理装置审中-公开
公开(公告)号：JP2019125506A
公开(公告)日：2019-07-25
申请号：JP2018005761
申请日：2018-01-17
申请人：株式会社日立ハイテクノロジーズ
发明人：梅田祥太 , 野木慶太 , 鹿子嶋昭 , 白石大輔
IPC分类号： H05H1/00 , H05H1/46
摘要：【課題】プラズマ処理装置の状態の変化に対応して処理結果を高精度で予測する。【解決手段】プラズマの発光をモニタするモニタ(分光器12)を具備し試料がプラズマ処理される処理部10を備えるプラズマ処理装置1において、処理部10は、プラズマ処理結果を予測する予測モデルが格納された予測モデル記憶部15と、処理部10の状態変動の指標となる装置データと発光データに基づいて選択された予測モデルを用いてプラズマ処理結果が予測される制御部14とを具備する。【選択図】図1

3. 发明专利

JP2019057742A プラズマ処理装置审中-公开
公开(公告)号：JP2019057742A
公开(公告)日：2019-04-11
申请号：JP2019007455
申请日：2019-01-21
申请人：株式会社日立ハイテクノロジーズ
发明人：鹿子嶋昭 , 白石大輔 , 長谷裕治
IPC分类号： H01L21/205 , H01L21/3065
摘要：【課題】本発明は、APCなどのプロセス制御を適用する装置において、安定した処理結果が得られるプロセス制御技術を備えるプラズマ処理装置を提供する。【解決手段】本発明は、フィードバック制御またはフィードフォワード制御によりプラズマ処理の変動を抑制する制御を用いて単数または複数の試料の集合体であるロットにプラズマ処理を施すプラズマ処理装置において、プラズマ処理が行われるロットである第一のロットの前にプラズマ処理されたロットである第二のロットのプラズマ処理後から前記第一のロットのプラズマ処理開始までの時間である待機時間と少なくとも前記第二のロットのプラズマ処理内容とに基づいてプラズマ処理が行われる処理室内の状態を回復させるプラズマ処理である前記第一のロットの処理室内回復条件を決定する制御を行うプラズマ処理制御装置を備えることを特徴とする。【選択図】図1

4. 发明专利

JP6549917B2 プラズマ処理装置およびそのデータ解析装置有权
公开(公告)号：JP6549917B2
公开(公告)日：2019-07-24
申请号：JP2015129022
申请日：2015-06-26
申请人：株式会社日立ハイテクノロジーズ
发明人：朝倉涼次 , 玉置研二 , 鹿子嶋昭 , 白石大輔 , 角屋誠浩
IPC分类号： H01L21/3065

5. 发明专利

JP2018014403A プラズマ処理装置及びプラズマ処理データを解析する解析方法审中-公开
公开(公告)号：JP2018014403A
公开(公告)日：2018-01-25
申请号：JP2016142933
申请日：2016-07-21
申请人：株式会社日立ハイテクノロジーズ
发明人：朝倉涼次 , 白石大輔 , 鹿子嶋昭 , 井上智己
IPC分类号： H05H1/46 , H01L21/3065
CPC分类号： H01J37/32972 , G01J3/0264 , G01J3/027 , G01J3/28 , G01J3/443 , H01J2237/334
摘要：【課題】本発明は、収集されたモニタデータと処理結果指標データの間に高い相関があると共に新たに計測されたモニタデータにおいても処理結果指標を高い精度で予測できるプラズマ処理装置及び解析方法を提供する。【解決手段】本発明は、プラズマ処理結果と相関がある前記発光の波長を求めるとともに前記発光の強度分布のばらつきを示す第一の指標が第一の所定の値より大きい波長を前記求められた波長の中から選択し、前記選択された波長を用いて前記プラズマ処理結果を予測する、または、複数波長の各々の発光強度を用いて演算され前記プラズマ処理結果と相関がある値を求めるとともに前記求められた値の分布のばらつきを示す第二の指標が第二の所定の値より大きい値を前記求められた値の中から選択し、前記選択された値を用いて前記プラズマ処理結果を予測することを特徴とする解析部を備えるプラズマ処理装置である。【選択図】図1

6. 发明专利

JP5779482B2 プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法有权
公开(公告)号：JP5779482B2
公开(公告)日：2015-09-16
申请号：JP2011249242
申请日：2011-11-15
申请人：株式会社日立ハイテクノロジーズ
发明人：鹿子嶋昭 , 白石大輔 , 長谷裕治
IPC分类号： H01L21/31 , H01L21/3065
CPC分类号： H01J37/3299 , H01J37/32935 , H01J2237/3343

7. 发明专利

JP2018041751A プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法审中-公开
公开(公告)号：JP2018041751A
公开(公告)日：2018-03-15
申请号：JP2016172381
申请日：2016-09-05
申请人：株式会社日立ハイテクノロジーズ
发明人：白石大輔 , 鹿子嶋昭 , 長谷裕治 , 井上智己
IPC分类号： H05H1/46 , H01L21/3065
CPC分类号： H01L22/26 , H01J37/32082 , H01J37/32935 , H01J37/32972 , H01J2237/334 , H01L21/31116 , H01L21/67069 , H01L21/67253
摘要：【課題】本発明は、所定の深さを形成するエッチング処理を複数枚試料に対して安定に行うと共にエッチング深さのバラツキを抑制することができる。【解決手段】本発明は、プラズマを用いて被エッチング膜がエッチングされる処理室と、前記プラズマを生成するための高周波電力を供給する高周波電源と、前記プラズマの発光をモニタするモニタ部とを備えるプラズマ処理装置において、前記被エッチング膜のプラズマエッチングにより堆積した堆積膜をプラズマにより除去する時に取得された発光強度と、前記被エッチング膜のエッチング量と前記発光強度との相関関係と、に基づいて前記プラズマエッチング時のエッチング量が推定される演算部とをさらに備えることを特徴とする。【選択図】図4

8. 发明专利

JP6173851B2 分析方法およびプラズマエッチング装置有权
公开(公告)号：JP6173851B2
公开(公告)日：2017-08-02
申请号：JP2013194812
申请日：2013-09-20
申请人：株式会社日立ハイテクノロジーズ
发明人：朝倉涼次 , 玉置研二 , 鹿子嶋昭 , 白石大輔
IPC分类号： H01L21/3065
CPC分类号： H01J37/3299 , H01J37/32972 , H01J2237/334

9. 发明专利

JP2016143738A プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法並びに解析方法有权
标题翻译：等离子体加工设备，等离子体处理方法和分析方法
公开(公告)号：JP2016143738A
公开(公告)日：2016-08-08
申请号：JP2015017642
申请日：2015-01-30
申请人：株式会社日立ハイテクノロジーズ
发明人：朝倉涼次 , 玉置研二 , 白石大輔 , 鹿子嶋昭 , 井上智己
IPC分类号： H05H1/00 , H05H1/46 , H01L21/3065
CPC分类号： G01N21/68 , H01J37/32926 , H01J37/32972 , H01J37/3299 , H01L21/67253
摘要：【課題】分光計測データの発光波長と時間区間とエッチング処理条件の変更可能な各項目の中から、エッチング処理条件の変更制御に適した組合せを特定することにより、安定したエッチング処理を実現する。【解決手段】2つ以上の分光計測データの発光波長と時間区間とエッチング処理条件の項目の組合せそれぞれについて、分光計測データの発光波長と時間区間における発光強度とエッチング結果の間の相関関係を示す回帰式を算出する。さらに前記の組合せそれぞれについて、エッチング処理条件の当該項目の設定値を変更した時の前記の回帰式の変化量を算出する。前記の組合せの中で前記の変化量が最も小さい組合せを、制御時に用いる発光波長及び時間区間およびエッチング処理条件の変更項目の組合せとして特定する。【選択図】図1
摘要翻译：要解决的问题：通过从光谱测量数据的光发射波长，时间间隔和蚀刻处理条件的可变项目中识别适合于蚀刻处理条件的变化控制的组合来实现稳定的蚀刻处理。解决方案：对于两个或更多的光谱测量数据的发光波长的组合，时间间隔和蚀刻处理条件的项目，计算出指示光谱测量数据的发光波长与时间间隔中的发光强度之间的相关性的回归方程和蚀刻结果。此外，对于每个组合，计算在蚀刻处理条件的相应项目的设定值改变的情况下的回归方程的变化。在这些组合中，具有最小变化的组合被识别为发光波长，时间间隔和用于控制的蚀刻处理条件的改变项目的组合。选择图：图1

10. 发明专利

JP2016103496A プラズマ処理装置审中-公开
标题翻译：等离子体加工设备
公开(公告)号：JP2016103496A
公开(公告)日：2016-06-02
申请号：JP2014239439
申请日：2014-11-27
申请人：株式会社日立ハイテクノロジーズ
发明人：鹿子嶋昭 , 白石大輔 , 長谷裕治
IPC分类号： H01L21/3065
CPC分类号： C23C16/52 , C23C16/50 , H01J37/32908 , H01J37/32926 , H01J37/32935
摘要：【課題】本発明は、APCなどのプロセス制御を適用する装置において、安定した処理結果が得られるプロセス制御技術を備えるプラズマ処理装置を提供する。【解決手段】本発明は、フィードバック制御またはフィードフォワード制御によりプラズマ処理の変動を抑制する制御を用いて単数または複数の試料の集合体であるロットにプラズマ処理を施すプラズマ処理装置において、プラズマ処理が行われるロットである第一のロットの前にプラズマ処理されたロットである第二のロットのプラズマ処理後から前記第一のロットのプラズマ処理開始までの時間である待機時間と少なくとも前記第二のロットのプラズマ処理内容とに基づいてプラズマ処理が行われる処理室内の状態を回復させるプラズマ処理である前記第一のロットの処理室内回復条件を決定する制御を行うプラズマ処理制御装置を備えることを特徴とする。【選択図】図1
摘要翻译：要解决的问题：提供一种等离子体处理装置，其包括允许施加诸如APC的过程控制的装置以实现稳定的处理结果的过程控制技术。解决方案：等离子体处理装置，其将等离子体处理应用于通过反馈控制或前馈控制来抑制等离子体处理的变化的控制，可以采用单个或多个样本或大量的控制，其中，等离子体处理控制装置执行用于确定处理室中状态恢复的条件的控制对于第一批次，等离子体处理用于基于等待处理之后的等离子体处理等待处理之后的待处理室等待处理的第一批次之前等待处理的处理室中的状态恢复直到第一批次的等离子体处理开始之前的等离子体处理，以及至少等离子体p的含量第二批的加工。选择图：图1

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