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1. 发明专利

JP5721144B2 超電導多層構造薄膜有权
标题翻译：超导多层结构薄膜
公开(公告)号：JP5721144B2
公开(公告)日：2015-05-20
申请号：JP2012024541
申请日：2012-02-07
申请人：株式会社日本製鋼所 , 国立研究開発法人産業技術総合研究所
发明人：寺尾勝廣 , 佐藤亮介 , 北田典敬 , 中村哲成 , 相馬貢 , 土屋哲男 , 山口巖
IPC分类号： H01B12/06 , H01B13/00 , H01L39/00 , H01L39/24 , C01G1/00 , C01G3/00 , B32B9/00 , H01L39/02
CPC分类号： Y02E40/642

2. 发明专利

JP2018060888A レーザ照射装置、半導体装置の製造方法、及び、レーザ照射装置の動作方法审中-公开
公开(公告)号：JP2018060888A
公开(公告)日：2018-04-12
申请号：JP2016196491
申请日：2016-10-04
申请人：株式会社日本製鋼所
发明人：清水良 , 佐藤亮介 , 下地輝昭
IPC分类号： H01L21/20 , H01L21/336 , H01L29/786 , G09F9/00 , H01L21/677 , H01L21/268
CPC分类号： H01L21/268 , B23K26/0006 , B23K26/0732 , B23K26/0838 , B23K26/127 , B23K26/352 , B23K26/705 , B23K26/707 , B23K2101/40 , B23K2103/56 , G01J1/4257 , G09F9/00 , H01L21/02678 , H01L21/20 , H01L21/67115 , H01L21/677 , H01L21/6776 , H01L21/67784 , H01L29/786
摘要：【課題】浮上式搬送ステージを用いたレーザ照射装置において、レーザ光のビームプロファイルを測定する。【解決手段】レーザアニール装置1は、レーザ光Lを発生するレーザ発振器4と、レーザ光Lが照射されるワークWを浮上させて搬送するための浮上式搬送ステージ3と、レーザ光Lのビームプロファイルを測定するためのビームプロファイラ7と、を備える。浮上式搬送ステージ3は、ワークWと対向する搬送面3aと、搬送面3aと反対側の下面3bを有する。ビームプロファイラ7は、浮上式搬送ステージ3の下面3bの下方に位置している。浮上式搬送ステージ3は、その一部に取り外し可能な着脱部12を有する。着脱部12を浮上式搬送ステージ3から取り外すことにより、搬送面3aから下面3bに達する開口部Sが設けられる。ビームプロファイラ7によって、開口部Sを介して、レーザ光Lのビームプロファイルを測定することが可能となる。【選択図】図1

3. 发明专利

JP2015089565A レーザ照射方法および装置有权
标题翻译：激光辐射方法和装置
公开(公告)号：JP2015089565A
公开(公告)日：2015-05-11
申请号：JP2013230817
申请日：2013-11-07
申请人：株式会社日本製鋼所
发明人：山下裕大 , 佐藤亮介 , 井波俊夫
IPC分类号： B23K26/064 , B23K26/08 , B23K26/04
摘要：【課題】強度不足の部分や強度過剰の部分を生じることなく線状のレーザスポットを用いてレーザ照射する。【解決手段】y方向に走査ライン間隔Pyで並ぶ平行な複数のx方向の走査ラインを設定し、線状のレーザスポット(W)の長さ方向をy方向に向け、各走査ラインに沿ってレーザスポット(W)を加工対象物に対して相対移動しながら、幅方向ピッチΛの照射位置毎にレーザ照射する。その際、隣接する走査ライン上での照射位置をx方向に位置ずれ量Δxだけ位置ずれさせると共に照射されたレーザ強度の累積値が略均等になるように走査ライン間隔Pyおよび幅方向ピッチΛおよび位置ずれ量Δxを決める。【効果】奇数番目の走査ライン上の照射位置での長軸Cyの延長上におけるプロファイルの重複量と中間軸Myの延長上におけるプロファイルの重複量とに差が出ないので、強度不足の部分や強度過剰の部分を生じることなく線状のレーザスポットWを用いてレーザ照射することが出来る。【選択図】図4
摘要翻译：要解决的问题：通过不产生强度不足的部分也不产生具有过多强度的部分，通过使用线性激光光斑进行激光照射。解决方案：以扫描线间隔布置的多个X方向并行扫描线 Py在y方向上纵向地转动线性激光光斑（W），并且在激光光斑相对移动到激光光斑的同时在宽度方向间距Λ的每个照射位置处用激光束照射处理目标。此时，相邻扫描线上的照射位置沿x方向位移位移＆Dgr; x，扫描线间隔Py，宽度方向间距Λ和位置位移＆Dgr; x被决定为照射激光强度的累积值可以几乎相等。因此，在奇数扫描线上的照射位置处的长轴Cy的延长线上的轮廓重叠量与奇数扫描线的照射位置上的中间轴My的延长线上的轮廓重叠量之间不存在差异，使得通过不产生强度不足的部分或具有过多强度的部分，可以用线性激光光斑（W）进行激光照射。

4. 发明专利

JP6778080B2 レーザ加工装置およびレーザ加工方法有权
公开(公告)号：JP6778080B2
公开(公告)日：2020-10-28
申请号：JP2016205773
申请日：2016-10-20
申请人：株式会社日本製鋼所
发明人：佐藤亮介 , 草間秀晃
IPC分类号： B23K26/08 , B23K26/10 , G09F9/00 , B23K26/57

5. 发明专利

JP2018067642A 結晶半導体膜製造方法、結晶半導体膜製造装置および結晶半導体膜製造装置の制御方法审中-公开
公开(公告)号：JP2018067642A
公开(公告)日：2018-04-26
申请号：JP2016205629
申请日：2016-10-20
申请人：株式会社日本製鋼所
发明人：林大介 , 佐藤亮介
IPC分类号： H01L21/268 , H01L21/336 , H01L29/786 , H01L21/20
摘要：【課題】非単結晶半導体膜をレーザアニールする際に、効率的に処理を行い、かつ半導体のダメージを小さくできる。【解決手段】オーバーラップ照射の照射回数nを複数回の折り返し走査とともに行い、パルスレーザ光の照射によって結晶化した半導体膜により形成されるトランジスタの走査方向のチャネル領域サイズをbとして、パルスレーザ光は半導体膜上で微細結晶が生じる照射パルスエネルギー密度よりも低く、かつ複数回の照射によって結晶粒径成長が飽和する照射パルスエネルギー密度Eを有し、照射回数nは、結晶粒径成長が飽和する際の照射回数をn0として(n0−1)以上とし、パルスレーザ光の走査方向におけるパルス毎の移動量cは、パルスレーザ光のビーム幅a以上とし、パルスレーザ光の折り返し走査によるパルスレーザ光のオーバーラップ照射では、各照射位置が互いにb/2以下の距離となるように照射する。【選択図】図5

6. 发明专利

JP2021044412A レーザ処理装置及びレーザ光モニタ方法审中-公开
公开(公告)号：JP2021044412A
公开(公告)日：2021-03-18
申请号：JP2019165811
申请日：2019-09-12
申请人：株式会社日本製鋼所
发明人：大森賢一 , 鄭石煥 , 佐藤亮介 , 太田佑三郎
IPC分类号： H01L21/20 , H01L21/268
摘要：【課題】高品質な半導体膜を形成可能なレーザ処理装置及びレーザ処理方法を提供する。【解決手段】ELA装置(エキシマレーザアニール装置)1は、被処理体である基板上のアモルファスシリコン膜に照射することでポリシリコン膜を形成するためのレーザ光を発生させるレーザ発振器10と、レーザ光に含まれる第1の部分光及び第2の部分光を検出するパルス計測器100と、第1の部分光の検出結果と第2の部分光の検出結果とを比較するモニタ装置60と、を備えている。【選択図】図2

7. 发明专利

JP6764305B2 レーザ照射装置、半導体装置の製造方法、及び、レーザ照射装置の動作方法有权
公开(公告)号：JP6764305B2
公开(公告)日：2020-09-30
申请号：JP2016196491
申请日：2016-10-04
申请人：株式会社日本製鋼所
发明人：清水良 , 佐藤亮介 , 下地輝昭
IPC分类号： H01L21/20 , H01L21/336 , H01L29/786 , G09F9/00 , H01L21/677 , H01L21/268

8. 发明专利

JP6687497B2 結晶半導体膜製造方法、結晶半導体膜製造装置および結晶半導体膜製造装置の制御方法有权
公开(公告)号：JP6687497B2
公开(公告)日：2020-04-22
申请号：JP2016205629
申请日：2016-10-20
申请人：株式会社日本製鋼所
发明人：林大介 , 佐藤亮介
IPC分类号： H01L21/268 , H01L21/336 , H01L29/786 , H01L21/20

9. 发明专利

JP2018065179A レーザ加工装置およびレーザ加工方法审中-公开
公开(公告)号：JP2018065179A
公开(公告)日：2018-04-26
申请号：JP2016205773
申请日：2016-10-20
申请人：株式会社日本製鋼所
发明人：佐藤亮介 , 草間秀晃
IPC分类号： B23K26/08 , B23K26/10 , G09F9/00 , B23K26/57
摘要：【課題】パネル合わせ材のレーザ加工処理を容易に行うことを可能にする。【解決手段】レーザ光9が透過する剛性基板(ガラス基板21)上に、素子構造部(ディスプレイ構造23)が上層に設けられたフレキシブル基板(プラスチック基板22)が固着されたパネル合わせ材20を、前記剛性基板を下側にして支持する支持部(支持板4)と、支持部(支持板4)の下方から前記支持部(支持板4)で支持された前記剛性基板に向けてレーザ光9を照射するレーザ光照射部7と、レーザ光9をパネル合わせ材20に対し相対的に移動させる移動装置(ステージ8)を有する。【選択図】図1

10. 发明专利

JP2018037646A レーザアニール装置、結晶化膜付き基板の検査方法、及び半導体装置の製造方法审中-公开
公开(公告)号：JP2018037646A
公开(公告)日：2018-03-08
申请号：JP2017112516
申请日：2017-06-07
申请人：株式会社日本製鋼所
发明人：大森賢一 , 鄭石煥 , 佐藤亮介 , 町田政志
IPC分类号： H01L21/20 , H01L21/336 , H01L29/786 , H01L21/66 , G01N21/59 , H01L21/268
摘要：【課題】適切に結晶状態を評価することができるレーザアニール装置、検査方法、及び製造方法を提供する【解決手段】本実施形態にかかるレーザアニール装置1は、基板100上のアモルファスシリコン膜101aを結晶化してポリシリコン膜101bを形成するためのレーザ光L1を出射するレーザ光源11と、レーザ光L1を集光してシリコン膜101に照射するプロジェクションレンズ13と、プローブ光L2を出射するプローブ光源21と、シリコン膜101を透過したプローブ光L3を検出する光検出器25と、光検出器25から出力される検出信号の検出値の標準偏差を求め、標準偏差に基づいてシリコン膜101の結晶状態を判定する処理装置26と、を備えたものである。【選択図】図1

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