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1. 发明专利

JP6957668B2 半導体装置の作製方法有权
公开(公告)号：JP6957668B2
公开(公告)日：2021-11-02
申请号：JP2020063200
申请日：2020-03-31
申请人：株式会社半導体エネルギー研究所
发明人：神長正美 , 相原大和 , 栃林克明 , 荒川徹
IPC分类号： H01L29/786 , H01L21/336

2. 发明专利

JP2020115563A 半導体装置の作製方法审中-公开
公开(公告)号：JP2020115563A
公开(公告)日：2020-07-30
申请号：JP2020063200
申请日：2020-03-31
申请人：株式会社半導体エネルギー研究所
发明人：神長正美 , 相原大和 , 栃林克明 , 荒川徹
IPC分类号： H01L29/786 , H01L21/28 , H01L29/417 , G02F1/1368 , H01L21/336
摘要：【課題】高性能、高信頼性のトランジスタを有する半導体装置及び半導体装置を作製する技術を提供する。【解決手段】トランジスタ120を作製する方法は、配線層112を導電層108から形成する際に、酸化物半導体層106を保護するための保護導電膜107を酸化物半導体層と導電層との間に形成して、2段階のエッチングを行う。第1のエッチング工程には、保護導電膜が導電層よりエッチングされにくく、導電層と保護導電膜とのエッチング選択比が高い条件で行うエッチング方法を採用し、第2のエッチング工程には、保護導電膜が酸化物半導体層よりエッチングされやすく、保護導電膜と酸化物半導体層とのエッチング選択比が高い条件で行うエッチング方法を採用する。【選択図】図1

3. 发明专利

JP6685440B2 半導体装置の作製方法有权
公开(公告)号：JP6685440B2
公开(公告)日：2020-04-22
申请号：JP2019013802
申请日：2019-01-30
申请人：株式会社半導体エネルギー研究所
发明人：神長正美 , 相原大和 , 栃林克明 , 荒川徹
IPC分类号： H01L29/786 , H01L21/28 , H01L27/11556 , H01L21/8242 , H01L27/108 , H01L21/8239 , H01L27/105 , G02F1/1368 , H01L21/336

4. 发明专利

JP6306641B2 半導体装置の作製方法有权
公开(公告)号：JP6306641B2
公开(公告)日：2018-04-04
申请号：JP2016107078
申请日：2016-05-30
申请人：株式会社半導体エネルギー研究所
发明人：神長正美 , 相原大和 , 栃林克明 , 荒川徹
IPC分类号： H01L29/786 , G09F9/00 , H01L21/3065 , H01L21/8242 , H01L27/108 , H01L21/336
CPC分类号： H01L29/66969 , H01L21/0237 , H01L21/02554 , H01L21/02565 , H01L21/02631 , H01L21/441 , H01L21/47573 , H01L29/045 , H01L29/24 , H01L29/45 , H01L29/66742 , H01L29/78606 , H01L29/7869

5. 发明专利

JP2016014908A 液晶表示装置の作製方法审中-公开
标题翻译：生产液晶显示装置的方法
公开(公告)号：JP2016014908A
公开(公告)日：2016-01-28
申请号：JP2015216216
申请日：2015-11-03
申请人：株式会社半導体エネルギー研究所
发明人：相原大和 , 神長正美 , 佐藤来 , 荒川徹
IPC分类号： G02F1/1368 , G02F1/1343 , G02F1/1335
CPC分类号： H01L27/1262 , G02F1/133553 , G02F1/13725
摘要：【課題】反射型ゲストホスト液晶表示装置において、使用者の目に優しい紙面に近い表示が実現できることを課題の一とする。より視認性の良好で高画質な液晶表示装置を提供することを目的の一とする。【解決手段】画素電極層(第1の電極層ともいう)である反射膜が設けられた第1の基板と、共通電極層(第2の電極層ともいう)が設けられた第2の基板とでゲストホスト液晶層を挟持する液晶表示装置において、画素電極層である反射膜が液晶層に突出し、ミクロンサイズの第1の凹凸、及び第1の凹凸上にナノサイズの第2の凹凸を形成して配置される。【選択図】図1
摘要翻译：要解决的问题：在反射客体主机液晶显示装置中实现靠近纸张的亲切显示，并提供具有改进的可视性并能够输出高质量图像的液晶显示装置。解决方案：在液晶显示装置，其具有保持在设置有用作像素电极层（也称为第一电极层）的反射膜的第一基板和设置有公共电极层（也称为第二电极层）的第二基板之间的客体主体液晶层层），作为像素电极层的反射膜向液晶层突出，从而形成第一凹凸上的纳米尺寸的微米尺寸和第二凸凹的第一凸凹。

6. 发明专利

JP6474929B2 半導体装置の作製方法有权
公开(公告)号：JP6474929B2
公开(公告)日：2019-02-27
申请号：JP2018041775
申请日：2018-03-08
申请人：株式会社半導体エネルギー研究所
发明人：神長正美 , 相原大和 , 栃林克明 , 荒川徹
IPC分类号： H01L29/786 , H01L21/3065 , H01L21/8242 , H01L27/108 , H01L27/1156 , H01L21/8239 , H01L27/105 , H01L29/788 , H01L29/792 , G09F9/00 , H01L21/336

7. 发明专利

JP2016187034A 半導体装置の作製方法有权
标题翻译：半导体器件的制造方法
公开(公告)号：JP2016187034A
公开(公告)日：2016-10-27
申请号：JP2016107078
申请日：2016-05-30
申请人：株式会社半導体エネルギー研究所
发明人：神長正美 , 相原大和 , 栃林克明 , 荒川徹
IPC分类号： H01L29/786 , H01L21/8242 , H01L27/108 , H01L21/3065 , G09F9/00 , H01L21/336
CPC分类号： H01L29/66969 , H01L21/0237 , H01L21/02554 , H01L21/02565 , H01L21/02631 , H01L21/441 , H01L21/47573 , H01L29/045 , H01L29/24 , H01L29/45 , H01L29/66742 , H01L29/78606 , H01L29/7869
摘要：【課題】高性能、高信頼性のトランジスタを有する半導体装置を作製する技術を提供する。【解決手段】配線層を導電層から形成する際に酸化物半導体層を保護するための保護導電膜を酸化物半導体層と導電層との間に形成して、2段階のエッチングを行う。第1のエッチング工程には、保護導電膜は導電層よりエッチングされにくく、導電層と保護導電膜とのエッチング選択比が高い条件で行うエッチング方法を採用し、第2のエッチング工程には、保護導電膜は酸化物半導体層よりエッチングされやすく、保護導電膜と酸化物半導体層とのエッチング選択比が高い条件で行うエッチング方法を採用する。【選択図】図1
摘要翻译：要解决的问题：提供一种制造包括具有高性能和高可靠性的晶体管的半导体器件的技术。解决方案：在布线层由导电层形成时用于保护氧化物半导体层的保护导电膜形成在氧化物半导体层和导电层，然后分两步进行蚀刻。第一蚀刻工艺采用在比导电层更难以蚀刻保护导电膜的条件下执行的蚀刻方法，并且导电层和保护性导电膜之间的蚀刻选择比高。第二蚀刻工艺采用在比氧化物半导体层更容易地蚀刻保护导电膜的条件下执行的蚀刻方法，并且保护性导电膜和氧化物半导体层之间的蚀刻选择比高。选择图1：

8. 发明专利

JP2019075586A 半導体装置の作製方法审中-公开
公开(公告)号：JP2019075586A
公开(公告)日：2019-05-16
申请号：JP2019013802
申请日：2019-01-30
申请人：株式会社半導体エネルギー研究所
发明人：神長正美 , 相原大和 , 栃林克明 , 荒川徹
IPC分类号： H01L29/786 , H01L21/28 , H01L27/11556 , H01L21/8242 , H01L27/108 , H01L21/8239 , H01L27/105 , G02F1/1368 , H01L21/336
摘要：【課題】高性能、高信頼性のトランジスタを有する半導体装置を作製する技術を提供する。【解決手段】配線層を導電層から形成する際に酸化物半導体層を保護するための保護導電膜を酸化物半導体層と導電層との間に形成して、2段階のエッチングを行う。第1のエッチング工程には、保護導電膜は導電層よりエッチングされにくく、導電層と保護導電膜とのエッチング選択比が高い条件で行うエッチング方法を採用し、第2のエッチング工程には、保護導電膜は酸化物半導体層よりエッチングされやすく、保護導電膜と酸化物半導体層とのエッチング選択比が高い条件で行うエッチング方法を採用する。【選択図】図1

9. 发明专利

JP2018133574A 半導体装置の作製方法审中-公开
公开(公告)号：JP2018133574A
公开(公告)日：2018-08-23
申请号：JP2018041775
申请日：2018-03-08
申请人：株式会社半導体エネルギー研究所
发明人：神長正美 , 相原大和 , 栃林克明 , 荒川徹
IPC分类号： H01L29/786 , H01L21/3065 , H01L21/8242 , H01L27/108 , H01L27/1156 , H01L21/8239 , H01L27/105 , H01L29/788 , H01L29/792 , G09F9/00 , H01L21/336
CPC分类号： H01L29/66969 , H01L21/0237 , H01L21/02554 , H01L21/02565 , H01L21/02631 , H01L21/441 , H01L21/47573 , H01L29/045 , H01L29/24 , H01L29/45 , H01L29/66742 , H01L29/78606 , H01L29/7869
摘要：【課題】高性能、高信頼性のトランジスタを有する半導体装置を作製する技術を提供する。【解決手段】配線層を導電層から形成する際に酸化物半導体層を保護するための保護導電膜を酸化物半導体層と導電層との間に形成して、2段階のエッチングを行う。第1のエッチング工程には、保護導電膜は導電層よりエッチングされにくく、導電層と保護導電膜とのエッチング選択比が高い条件で行うエッチング方法を採用し、第2のエッチング工程には、保護導電膜は酸化物半導体層よりエッチングされやすく、保護導電膜と酸化物半導体層とのエッチング選択比が高い条件で行うエッチング方法を採用する。【選択図】図1

10. 发明专利

JP2017146630A 液晶表示装置および液晶表示装置の作製方法审中-公开
公开(公告)号：JP2017146630A
公开(公告)日：2017-08-24
申请号：JP2017110143
申请日：2017-06-02
申请人：株式会社半導体エネルギー研究所
发明人：相原大和 , 神長正美 , 佐藤来 , 荒川徹
IPC分类号： G02F1/1343 , G02F1/1368
CPC分类号： H01L27/1262 , G02F1/133553 , G02F1/13725
摘要：【課題】反射型ゲストホスト液晶表示装置において、使用者の目に優しい紙面に近い表示が実現できることを課題の一とする。より視認性の良好で高画質な液晶表示装置を提供することを目的の一とする。【解決手段】画素電極層(第1の電極層ともいう)である反射膜が設けられた第1の基板と、共通電極層(第2の電極層ともいう)が設けられた第2の基板とでゲストホスト液晶層を挟持する液晶表示装置において、画素電極層である反射膜が液晶層に突出し、ミクロンサイズの第1の凹凸、及び第1の凹凸上にナノサイズの第2の凹凸を形成して配置される。【選択図】図1

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