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1. 发明专利

JP6311963B2 成膜方法及び磁気記録媒体の製造方法有权
公开(公告)号：JP6311963B2
公开(公告)日：2018-04-18
申请号：JP2013540524
申请日：2011-10-24
申请人：株式会社ユーテック
发明人：早川晴仁 , 阿部浩二 , 寺島慶一 , 本多祐二
IPC分类号： C23C16/27 , C23C16/50 , G11B5/72 , G11B5/84 , C23C16/34
CPC分类号： G11B5/722 , C23C16/0272 , C23C16/347 , C23C16/56 , G11B5/72 , G11B5/725 , G11B5/8408

2. 发明专利

JP2018048410A CxNyHz膜、成膜方法、磁気記録媒体およびその製造方法审中-公开
公开(公告)号：JP2018048410A
公开(公告)日：2018-03-29
申请号：JP2017232698
申请日：2017-12-04
申请人：株式会社ユーテック
发明人：早川晴仁 , 阿部浩二 , 寺島慶一 , 本多祐二
IPC分类号： C23C16/448 , C23C16/30 , G11B5/72 , G11B5/84 , C23C16/34
摘要：【課題】高密度のC x N y H z 膜および成膜方法を提供する。【解決手段】本発明の一態様は、被成膜基板上に成膜されたC x N y H z 膜であって、x,y,zは下記式(1)〜(4)を満たすことを特徴とするC x N y H z 膜である。 (1)0.4
(2)0.01
(3)0≦z (4)x+y+z=1 【選択図】図1

3. 发明专利

JP5891490B2 強誘電体膜の製造方法有权
标题翻译：一种制造铁电体膜的方法
公开(公告)号：JP5891490B2
公开(公告)日：2016-03-23
申请号：JP2012015597
申请日：2012-01-27
申请人：株式会社ユーテック
发明人：木島健 , 本多祐二 , 早川晴仁 , 茂内健和
IPC分类号： H01L21/316
CPC分类号： H01L41/39 , H01L41/1873 , H01L41/1876 , H01L41/318 , H01L41/319

4. 发明专利

JP2015149209A ローラ式プラズマ装置有权
标题翻译：滚筒式等离子体装置
公开(公告)号：JP2015149209A
公开(公告)日：2015-08-20
申请号：JP2014021916
申请日：2014-02-07
申请人：株式会社ユーテック
发明人：早川晴仁 , 白▲土▼ 武 , 本多祐二
IPC分类号： C23C16/505 , C23C16/44 , H05H1/46
摘要：【課題】テープ表面をより一層粗化することができるローラ式プラズマ装置を提供する。【解決手段】本発明の一態様は、テープ9表面を粗化するローラ式プラズマ装置において、真空チャンバー1と、前記真空チャンバー内に配置され、前記テープが走行されるローラ2と、前記真空チャンバー内に配置され、前記ローラに対向して設けられたプラズマ電極11と、前記プラズマ電極に電気的に接続された周波数が10kHz〜1MHzの高周波電源15と、前記ローラに電気的に接続されたアースと、前記プラズマ電極と前記ローラとの間に希ガスを供給するガス供給機構と、前記真空チャンバー内を真空排気する真空ポンプ10a,10bと、を具備するローラ式プラズマ装置である。【選択図】図1
摘要翻译：要解决的问题：提供能够进一步粗糙化带表面的辊式等离子体装置。解决方案：使带9表面粗糙化的辊式等离子体装置包括：真空室1; 辊子2布置在真空室中并且带子行进; 布置在真空室中并与辊相对设置的等离子体电极11; 与等离子体电极电连接并具有10kHz至1MHz的频率的高频电源15; 与该辊电连接的接地; 用于向等离子体电极和辊之间的部分供给稀有气体的气体供给机构; 以及用于抽空真空室内部的真空泵10a和10b。

5. 发明专利

JP5747187B2 熱CVD装置、SiO2膜又はSiOF膜及びその成膜方法有权
标题翻译：热CVD装置，SiO 2膜或SiOF薄膜和薄膜形成方法
公开(公告)号：JP5747187B2
公开(公告)日：2015-07-08
申请号：JP2011523712
申请日：2010-07-23
申请人：株式会社ユーテック
发明人：早川晴仁
IPC分类号： H01L21/31 , C23C16/42 , H01L21/316
CPC分类号： H01L21/31629 , C23C16/402 , C23C16/45561 , H01L21/02131 , H01L21/02164 , H01L21/02219 , H01L21/02271 , H01L21/31608

6. 发明专利

JP5747186B2 プラズマCVD装置、SiO2膜又はSiOF膜及びその成膜方法有权
标题翻译：等离子体CVD装置，SiO 2膜或SiOF薄膜和薄膜形成方法
公开(公告)号：JP5747186B2
公开(公告)日：2015-07-08
申请号：JP2011523711
申请日：2010-07-23
申请人：株式会社ユーテック
发明人：早川晴仁
IPC分类号： H01L21/316 , C23C16/509 , C23C16/42 , H01L21/31
CPC分类号： H01L21/31608 , C23C16/402 , C23C16/45561 , C23C16/5096 , H01L21/02131 , H01L21/02164 , H01L21/02274 , H01L21/31629

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