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1. 发明专利

JP6419220B2 被覆工具审中-公开
公开(公告)号：JP6419220B2
公开(公告)日：2018-11-07
申请号：JP2016572020
申请日：2016-01-25
申请人：京セラ株式会社
发明人：李晃 , 山崎剛
IPC分类号： B23C5/16 , C23C16/36 , C23C16/40 , B23B27/14
CPC分类号： B23B27/146 , B23B27/148 , B23B2222/88 , B23B2228/04 , B23B2228/10 , C23C16/30 , C23C16/34 , C23C16/347 , C23C16/36 , C23C16/403 , C23C16/406 , C23C28/042 , C23C28/044 , C23C30/005

2. 发明专利

JP2018053307A 摺動部材およびその製造方法审中-公开
公开(公告)号：JP2018053307A
公开(公告)日：2018-04-05
申请号：JP2016190212
申请日：2016-09-28
申请人：トヨタ自動車株式会社 , 国立大学法人名古屋大学
发明人：眞鍋和幹 , 梅原徳次 , 上坂裕之 , 市村和之
IPC分类号： C23C14/48 , C23C14/06
CPC分类号： C23C16/347 , C10M103/02 , C10M141/06 , C10M177/00 , C10N2230/06 , C10N2250/08 , C10N2260/09 , C10N2280/00 , C23C14/0031 , C23C14/024 , C23C14/025 , C23C14/0605 , C23C14/0658 , C23C14/46 , C23C14/541 , F05C2203/0808
摘要：【課題】潤滑油中の環境下において、これまでに比べてより低い摩擦係数を確保することができる摺動部材およびその製造方法を提供する。【解決手段】摺動部材10の非晶質炭素被膜12は、単結合により3つの炭素原子が配位された窒素原子の個数をAとし、単結合および二重結合により2つの炭素原子が配位された窒素原子の個数をBとしたときに、非晶質炭素被膜12に対してX線光電子分光分析により得られる非晶質炭素被膜12のA/Bの値が、10以上、18以下となる関係を満たす。摺動部材10の製造方法では、基材11の表面に向けて窒素イオンビームを照射すると共に、カーボンターゲットTに電子ビームEを照射することにより、カーボンターゲットTの一部を基材11の表面に蒸着させながら非晶質炭素被膜12を成膜する。カーボンターゲットTに照射する電子ビームEの出力は、30W以上、50W以下である。【選択図】図11

3. 发明专利

JP6229911B1 被覆切削工具有权
公开(公告)号：JP6229911B1
公开(公告)日：2017-11-15
申请号：JP2016205473
申请日：2016-10-19
申请人：株式会社タンガロイ
发明人：佐藤博之
IPC分类号： B23C5/16 , B23B51/00 , C23C16/40 , B23B27/14
CPC分类号： C23C16/403 , B23B27/146 , C23C16/0272 , C23C16/347 , C23C28/042 , C23C28/044 , C23C30/005
摘要：【課題】優れた耐摩耗性及び耐欠損性を有することによって工具寿命を延長することができる被覆切削工具を提供することを目的とする。【解決手段】基材と、該基材の表面に形成された被覆層とを備える被覆切削工具であって、前記被覆層は、少なくとも1層のα型酸化アルミニウム層を含み、前記α型酸化アルミニウム層において、(1,0,16)面の組織係数TC(1,0,16)が、1.4以上である、被覆切削工具。 (式(1)中、I(h,k,l)は、前記α型酸化アルミニウム層のX線回折における(h,k,l)面のピーク強度を示し、I 0 (h,k,l)は、α型酸化アルミニウムのJCPDSカード番号10−0173における(h,k,l)面の標準回折強度を示し、(h,k,l)は、(0,1,2)、(1,0,4)、(1,1,0)、(1,1,3)、(0,2,4)、(1,1,6)、(2,1,4)及び(1,0,16)の8つの結晶面を指す。) 【選択図】なし

5. 发明专利

JP6018125B2 新規なアミノシリルアミン化合物、その製造方法、及びそれを用いたシリコン含有薄膜有权
标题翻译：新的氨基甲硅烷基胺化合物，它们的制备方法，以及使用该含硅薄膜
公开(公告)号：JP6018125B2
公开(公告)日：2016-11-02
申请号：JP2014118770
申请日：2014-06-09
申请人：ディーエヌエフカンパニーリミテッド , DNF Co. Ltd.
发明人：ジャン, セジン , リ, サンド , キム, スンギ , キム, ジョンヒュン , ヤン, ビョンイル , セオ, ジャンヒョン , リ, サンイク , キム, ヨンウン
IPC分类号： C23C16/42
CPC分类号： H01L21/02167 , C07F7/10 , C23C16/345 , C23C16/347 , C23C16/45553 , H01L21/02164 , H01L21/0217 , H01L21/02219 , H01L21/02274 , H01L21/0228

6. 发明专利

JP2016168669A 硬質被覆層がすぐれた耐チッピング性を発揮する表面被覆切削工具审中-公开
标题翻译：表面涂层切割工具，具有硬涂层展示超导电阻
公开(公告)号：JP2016168669A
公开(公告)日：2016-09-23
申请号：JP2016041383
申请日：2016-03-03
申请人：三菱マテリアル株式会社
发明人：佐藤賢一 , 龍岡翔 , 山口健志
IPC分类号： B23C5/16 , C23C16/36 , B23B27/14
CPC分类号： B23B27/14 , B23B2228/105 , C23C16/34 , C23C16/347 , C23C16/36 , C23C16/403 , C23C28/042 , C23C28/044 , C23C28/42
摘要：【課題】硬質被覆層がすぐれた硬さと靭性を備え、高速断続切削加工においてすぐれた耐チッピング性を発揮する被覆工具を提供する。【解決手段】硬質被覆層として(Ti,Al)(C,N)層を設けた表面被覆切削工具において、該層は、NaCl型の面心立方構造を有する結晶粒内にTiとAlの周期的な組成変化が存在する上部層と、NaCl型の面心立方構造を有する結晶粒内にTiとAlの周期的な組成変化が存在しない下部層を含み、上部層は相対的にAl含有割合が高く、下部層は、相対的にAl含有割合が低く、上部層のI(200)/I(111)は10より大きく、下部層のI(200)/I(111)は3未満が好ましく、下部層は、工具基体側から上部層側に向かってAl含有割合が順次連続的に増加する組成傾斜構造で、下部層は複数層の積層構造からなり、工具基体側から上部層側に向かってそれぞれの層のAl含有割合を順次段階的に増加させていく。【選択図】図1
摘要翻译：要解决的问题：提供一种涂层工具，其中硬涂层具有优异的硬度和韧性，并且在高速间歇切割加工中表现出优异的耐切割性。解决方案：在具有（Ti，Al ）（C，N）层作为硬涂层，该层包括在具有NaCl型面心立方结构的晶粒内存在Ti和Al的周期性组成变化的上层，其中下层在具有NaCl型面心立方结构的晶粒内不存在Ti和Al的周期性组成变化，上层具有相对高的Al含量，下层具有相对低的Al含量，I（200）/ 上层的I（111）大于10，下层的I（200）/ I（111）优选小于3，下层具有这样的组成倾斜结构，即Al含量从工具基体侧朝向上层侧和下层由多个层叠结构体构成，并且从工具基体侧向上层侧依次且逐步地增加各层的Al含量。图1

7. 发明专利

JP2015172242A 原子層堆積窒化ケイ素膜のインシトゥ炭素及び酸化物ドーピング审中-公开
标题翻译：碳和氧化物在原子层沉积硅酸盐膜中的排放
公开(公告)号：JP2015172242A
公开(公告)日：2015-10-01
申请号：JP2015042017
申请日：2015-03-04
申请人：アプライドマテリアルズインコーポレイテッド , APPLIED MATERIALS,INCORPORATED
发明人：グエン, ヴィクター , バルシーヌ, ミハエラ , リー, ニン , マーカス, スティーヴンディー. , サリー, マーク , トンプソン, デーヴィッド , シャ, リー−クン
IPC分类号： C23C16/42 , C23C16/36 , C23C16/50 , H01L21/316 , C23C16/455
CPC分类号： C23C16/45525 , C23C16/24 , C23C16/30 , C23C16/345 , C23C16/347 , C23C16/36 , C23C16/45531 , C23C16/45542 , C23C16/45551 , C23C16/458 , C23C16/50
摘要：【課題】プロセス制御と所有コストの面で改良した低誘電体膜の形成方法の提供。【解決手段】誘電体膜を形成する方法は、複数の基板60を処理チャンバ100内部に置き、ケイ素を含む第1の反応性ガスに曝露し、次いで、基板60を、窒素及び少なくとも酸素又は炭素を含む第2の反応性ガスのプラズマに曝露するという曝露シーケンスを実施すること、及び、曝露シーケンスを繰り返して、各基板60上61に炭窒化ケイ素又は酸窒化ケイ素を含む誘電体膜を形成する方法。【選択図】図1
摘要翻译：要解决的问题：提供在过程控制和所有权成本方面的低电介质膜的形成方法。解决方案：电介质膜的形成方法包括曝光序列或重复曝光序列以形成包括硅碳的电介质膜氮化物或氮氧化硅在每个衬底60上的表面61上。曝光顺序包括以下步骤：将多个衬底60放置在处理室100的内部; 将衬底暴露于含有硅的第一反应气体中; 然后将衬底60暴露于含有氮和至少氧或碳的第二反应气体的等离子体。

8. 发明专利

JPWO2013061398A1 ＣｘＮｙＨｚ膜、成膜方法、磁気記録媒体およびその製造方法有权
标题翻译： CxNyHz膜沉积方法，磁记录介质及其制造方法
公开(公告)号：JPWO2013061398A1
公开(公告)日：2015-04-02
申请号：JP2013540524
申请日：2011-10-24
申请人：株式会社ユーテック
发明人：早川　晴仁 , 晴仁早川 , 阿部　浩二 , 浩二阿部 , 慶一寺島 , 慶一寺島 , 本多　祐二 , 祐二本多
IPC分类号： C23C16/34 , C23C16/27 , C23C16/50 , G11B5/72 , G11B5/84
CPC分类号： G11B5/722 , C23C16/0272 , C23C16/347 , C23C16/56 , G11B5/72 , G11B5/725 , G11B5/8408
摘要：高密度のCxNyHz膜および成膜方法を提供する。本発明の一態様は、被成膜基板上に成膜されたCxNyHz膜であって、x,y,zは下記式(1)〜(4)を満たすことを特徴とするCxNyHz膜である。(1)0.4
摘要翻译：提供了密度CxNyHz薄膜和薄膜形成方法。本发明的一个方面是一种CxNyHz膜形成沉积目标基板中，x，y，z是一个CxNyHz膜和满足下述式（1）〜（4）。（1）0.4

9. 发明专利

JP2014237644A 新規なアミノシリルアミン化合物、その製造方法、及びそれを用いたシリコン含有薄膜有权
标题翻译：新的氨基硅烷化合物，其制备方法和使用其的含硅薄膜
公开(公告)号：JP2014237644A
公开(公告)日：2014-12-18
申请号：JP2014118770
申请日：2014-06-09
申请人：ディーエヌエフカンパニーリミテッドDNF Co. Ltd. , Dnf Co Ltd , ディーエヌエフカンパニーリミテッドDNF Co. Ltd.
发明人： JANG SE JIN , LEE SANG DO , KIM SUNG GI , KIM JONG HYUN , YANG BYEONG IL , SEOK JANG HYEON , LEE SANG ICK , KIM MYONG WOON
IPC分类号： C07F7/10 , C23C16/42
CPC分类号： H01L21/02167 , C07F7/10 , C23C16/345 , C23C16/347 , C23C16/45553 , H01L21/02164 , H01L21/0217 , H01L21/02219 , H01L21/02274 , H01L21/0228
摘要：【課題】本発明は、新規なアミノシリルアミン化合物、その製造方法、及びそれを用いたシリコン含有薄膜に関する。【解決手段】下記化学式1で表されるアミノシリルアミン化合物、その製造方法、及びそれを用いたシリコン含有薄膜を提供する。[化学式1]【化学式15】【選択図】図9
摘要翻译：要解决的问题：提供新的氨基甲硅烷基胺化合物，其制备方法和使用其的含硅薄膜。溶液：由化学式1表示的氨基甲硅烷基胺化合物，其制备方法和提供了使用其的含硅薄膜。

10. 发明专利

JP3632256B2 A method of manufacturing a semiconductor device having a silicon nitride film 失效
公开(公告)号：JP3632256B2
公开(公告)日：2005-03-23
申请号：JP25563595
申请日：1995-09-06
申请人：株式会社デンソー
发明人：克英丹羽 , 毅山内 , 徹山岡 , 剛深沢 , 宗生田村 , 晃黒柳
IPC分类号： H01L21/8247 , C23C16/34 , H01L21/314 , H01L21/318 , H01L23/31 , H01L27/115 , H01L29/788 , H01L29/792
CPC分类号： C23C16/347 , H01L21/3185 , H01L23/3171 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： A semiconductor device includes a semiconductor element. A silicon nitride film covers the semiconductor element. The silicon nitride film is made of SiXNYHZ, where X, Y, and Z denote atomic fractions of Si, N, and H respectively. The silicon nitride film relates to an optical absorption edge wavelength shorter than 254 nm. A mean area of regions surrounded by crystal-like grain boundaries at a surface of the silicon nitride film is equal to 4.5x104 nm2 or more. The semiconductor element may include a memory element from which information can be erased by exposure to ultraviolet rays.

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