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1. 发明专利

JP6038618B2 成膜装置および成膜方法有权
标题翻译：膜形成装置和膜形成方法
公开(公告)号：JP6038618B2
公开(公告)日：2016-12-07
申请号：JP2012265217
申请日：2012-12-04
申请人：株式会社ニューフレアテクノロジー , 一般財団法人電力中央研究所 , 株式会社デンソー , トヨタ自動車株式会社 , 株式会社豊田中央研究所
发明人：伊藤英樹 , 鈴木邦彦 , 佐藤裕輔 , 土田秀一 , 鎌田功穂 , 伊藤雅彦 , 内藤正美 , 藤林裕明 , 安達歩 , 西川恒一
IPC分类号： C23C16/455 , H01L21/205
CPC分类号： C30B25/165 , C30B25/14

2. 发明专利

JP6091932B2 炭化珪素の成膜装置および炭化珪素の成膜方法有权
标题翻译：形成膜形成装置的方法和碳化硅的碳化物
公开(公告)号：JP6091932B2
公开(公告)日：2017-03-08
申请号：JP2013042248
申请日：2013-03-04
申请人：株式会社ニューフレアテクノロジー , 一般財団法人電力中央研究所 , 株式会社デンソー , トヨタ自動車株式会社
发明人：鈴木邦彦 , 伊藤英樹 , 佐藤裕輔 , 土田秀一 , 鎌田功穂 , 伊藤雅彦 , 内藤正美
IPC分类号： C23C16/54 , C23C16/52 , C23C16/42 , H01L21/205
CPC分类号： H01L21/02529 , C23C16/325 , C23C16/46 , C23C16/52 , C30B25/10 , C30B25/16 , C30B29/36

3. 发明专利

JP5736291B2 成膜装置および成膜方法有权
标题翻译：膜形成装置和膜形成方法
公开(公告)号：JP5736291B2
公开(公告)日：2015-06-17
申请号：JP2011213505
申请日：2011-09-28
申请人：株式会社ニューフレアテクノロジー , 一般財団法人電力中央研究所 , 株式会社デンソー , トヨタ自動車株式会社
发明人：山田拓未 , 佐藤裕輔
IPC分类号： C23C16/455 , H01L21/205

4. 发明专利

JP5719710B2 気相成長装置および気相成長方法有权
标题翻译：气相沉积设备和气相生长方法
公开(公告)号：JP5719710B2
公开(公告)日：2015-05-20
申请号：JP2011152846
申请日：2011-07-11
申请人：株式会社ニューフレアテクノロジー , 一般財団法人電力中央研究所 , 株式会社デンソー , トヨタ自動車株式会社
发明人：鈴木邦彦 , 佐藤裕輔
IPC分类号： C23C16/46 , H01L21/205

5. 发明专利

JP5719720B2 薄膜処理方法有权
标题翻译：薄膜处理方法
公开(公告)号：JP5719720B2
公开(公告)日：2015-05-20
申请号：JP2011179883
申请日：2011-08-19
申请人：株式会社ニューフレアテクノロジー , 一般財団法人電力中央研究所 , 株式会社デンソー
发明人：鈴木邦彦 , 佐藤裕輔 , 三谷慎一
IPC分类号： C23C16/42 , C23C16/44 , H01L21/205

6. 发明专利

JP2017045927A 気相成長装置及び気相成長方法审中-公开
标题翻译：气相沉积设备和气相生长方法
公开(公告)号：JP2017045927A
公开(公告)日：2017-03-02
申请号：JP2015168860
申请日：2015-08-28
申请人：株式会社ニューフレアテクノロジー
发明人：佐藤裕輔 , 高橋英志 , 伊藤英樹 , 早野貴憲
IPC分类号： C23C16/34 , C23C16/455 , C23C16/52 , H01L21/205
CPC分类号： C30B29/406 , C23C16/4412 , C23C16/45561 , C23C16/45565 , C23C16/45574 , C23C16/52 , C30B25/10 , C30B25/165 , C30B29/403 , H01L21/0254 , H01L21/0262
摘要：【課題】複数の反応室を有し、各反応室で同時に成長する膜の特性を調整することが可能な気相成長装置を提供する。【解決手段】複数の基板をそれぞれ同時に成膜処理するn個の反応室10a〜dと、所定流量のIII族元素を含む第1のプロセスガスを分配してn個の反応室に同時に供給する第1の主ガス供給路11と、所定流量のV族元素を含む第2のプロセスガスを分配してn個の反応室に同時に供給する第2の主ガス供給路21と、各n個の反応室に供給される第1のプロセスガスの流量及び第2のプロセスガスの流量の設定値に基づき、第1のプロセスガスの流量及び第2のプロセスガスの流量を制御し、各n個の反応室で独立に設定された所定のプロセスパラメータの設定値に基づき、所定のプロセスパラメータを独立に制御する制御部19と、複数の基板をそれぞれ回転させる回転駆動機構と、複数の基板を加熱する加熱部と、を備える。【選択図】図1
摘要翻译： A具有多个反应室，以提供能够调节在每个反应室中同时生长的膜的特性的气相生长装置。和n反应室10a的数目〜d表示成形同时处理，分别多个基板，并将其提供在同一时间向n个反应室，以在预定的流速分布，其包括III族元素的第一工艺气体第一主气体供应通道11，用于供应第二处理气体成n个反应室中并同时分配包括以预定的流速V族元素的第二主气体供应管路21，对于每个n个根据流率和所述第一处理气体在所述第二处理气体的流量的设定值被供给到反应室中，流率的流率，并在第一工艺气体控制第二工艺气体，对于每个n个基于在反应室独立地设置的预定的工艺参数的设定值时，被加热和用于独立地控制所述预定的工艺参数，用于分别旋转所述多个基板的旋转驱动机构，多个基板的一个控制单元19 包括加热单元。点域1

7. 发明专利

JP2016199436A 気相成長方法有权
标题翻译：气相生长方法
公开(公告)号：JP2016199436A
公开(公告)日：2016-12-01
申请号：JP2015081146
申请日：2015-04-10
申请人：株式会社ニューフレアテクノロジー
发明人：高橋英志 , 佐藤裕輔
IPC分类号： H01L21/205 , C23C16/30 , C23C16/34 , H01L21/20 , C30B29/38
摘要：【目的】シリコン基板上に窒化ガリウムを形成する際のクラックの発生を抑制する気相成長方法を提供する。【構成】実施形態の気相成長方法は、シリコン基板上に単結晶の窒化アルミニウム膜を形成し、窒化アルミニウム上に単結晶の窒化アルミニウムガリウム膜を形成し、窒化アルミニウムガリウム上膜に単結晶の第1の窒化ガリウム膜を形成し、第1の窒化ガリウム膜上に、第1の窒化ガリウム膜の形成よりも高い温度且つ高い成長速度で単結晶の第2の窒化ガリウム膜を形成する。【選択図】図1
摘要翻译：目的：用于抑制在形成氮化镓在硅衬底上时裂纹的产生提供汽相生长方法。 [配置]蒸镀法实施例中，形成在单晶硅衬底的氮化铝薄膜，形成于氮化铝铝镓氮化物膜的单晶，氮化铝镓层上的单晶形成第一氮化镓层，所述第一氮化镓层上，以形成在高温和高生长速率比第一氮化镓层的形成的单晶的第二氮化镓膜。点域1

8. 发明专利

JP2016171066A ヒータおよびこれを用いた半導体製造装置审中-公开
标题翻译：加热器和半导体制造设备使用它
公开(公告)号：JP2016171066A
公开(公告)日：2016-09-23
申请号：JP2016016125
申请日：2016-01-29
申请人：株式会社ニューフレアテクノロジー
发明人：古谷弘 , 佐藤裕輔 , 鈴木邦彦
IPC分类号： H05B3/14 , H05B3/22 , H01L21/205 , C23C16/46 , H05B3/74
摘要：【課題】通電時にヒータエレメントの折り返し部分での電流集中を抑制し、寿命を延ばすヒータを提供する。【解決手段】ヒータは、面状の発熱部160と、一端が発熱部の外周に、他端が発熱部の折り返し部内にそれぞれ配置されて直線状に開口形成された直線状スリット163と、他端に連続して開口形成され、開口径が直線状スリットのスリット幅よりも大きい折り返し部162と、を有し、通電により発熱するヒータエレメント16aと、ヒータエレメントの所定面に接続され、ヒータエレメントへの通電時に電圧が印加される一対の電極16b、16cと、を備える。【選択図】図1
摘要翻译：要解决的问题：提供一种加热器，其寿命延长通过在通电期间阻止电流集中在加热器元件的折叠部分上。解决方案：加热器包括：加热器元件16a，其具有平面发热部分160，其一端配置在发热体的外周的另一端的线状狭缝163分别配置在发热体的折叠部分，直线状地形成为开口，折叠部162形成为所述开口与另一端连续，开口直径大于所述线状狭缝的狭缝宽度，通过通电而发热; 以及一对电极16b，16c，其连接到加热器元件的规定表面，并且在通电期间向加热器元件施加电压。选择的图示：图1

9. 发明专利

JP5877702B2 成膜装置および成膜方法有权
公开(公告)号：JP5877702B2
公开(公告)日：2016-03-08
申请号：JP2011273033
申请日：2011-12-14
申请人：株式会社ニューフレアテクノロジー
发明人：山田拓未 , 佐藤裕輔
IPC分类号： C23C16/44 , H01L21/205
CPC分类号： C23C16/0236 , C23C16/4405 , C23C16/4412 , Y02C20/30

10. 发明专利

JP5750328B2 気相成長方法及び気相成長装置有权
标题翻译：气相生长方法和气相生长装置
公开(公告)号：JP5750328B2
公开(公告)日：2015-07-22
申请号：JP2011158582
申请日：2011-07-20
申请人：株式会社ニューフレアテクノロジー
发明人：森山義和 , 佐藤裕輔
IPC分类号： C23C16/44 , H01L21/205
CPC分类号： C23C16/4412 , C23C16/45557

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