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1. 发明专利

JP2016111046A マルチビームのブランキングアパーチャアレイ装置、及びマルチビームのブランキングアパーチャアレイ装置の製造方法有权
标题翻译：多孔板的空隙阵列装置及其制造方法
公开(公告)号：JP2016111046A
公开(公告)日：2016-06-20
申请号：JP2014244000
申请日：2014-12-02
申请人：株式会社ニューフレアテクノロジー , エヌ・ティ・ティ・アドバンステクノロジ株式会社
发明人：千葉一浩 , 松本裕史 , 小笠原宗博 , 吉川良一 , 森田博文 , 山田裕和 , 佐布晃昭 , 小西敏文 , 松島隆明 , 工藤和久 , 矢野正樹 , 町田克之
IPC分类号： G03F7/20 , H01J37/305 , H01J9/14 , H01L21/027
CPC分类号： H01J37/045 , H01J2237/043 , H01J2237/0432 , H01J2237/0437 , H01J2237/303 , H01J2237/3175 , H01J2237/31774
摘要：【目的】マルチビーム照射による表面の帯電を抑制することが可能なブランキングアパーチャアレイ装置をより簡易なプロセスによって製造する方法を提供する。【構成】本発明の一態様のマルチビームのブランキングアパーチャアレイ装置の製造方法は、下層側から絶縁膜310と金属膜320と絶縁膜330と金属膜340とが表面に順に積層された基板300を用いて、金属膜340上に複数の電極24,26と複数のパッド29とを形成する工程と、金属膜340の一部をエッチングにより除去する工程と、複数の電極と複数のパッドと金属膜340の残部とをマスクとして、絶縁膜330をエッチングにより除去する工程と、それぞれが複数の電極のうち対となる電極同士間の位置で基板を貫通する複数の通過孔25を形成する工程と、を備えたことを特徴とする。【選択図】図7
摘要翻译：目的：提供一种制造消隐孔阵列器件的方法，该方法能够通过更简单的工艺来抑制由多波束照射引起的表面带电。一种制造多波束消隐孔径阵列器件的方法包括：形成多个电极24,26和金属膜340上的多个焊盘29，通过使用具有绝缘膜310，金属膜320，绝缘膜330和金属膜340的表面依次层叠的基板300 从下层侧，通过蚀刻去除一部分金属膜340的步骤，通过蚀刻去除绝缘膜330的步骤，多个电极，多个焊盘和金属膜340的其余部分作为掩模和用于形成多个通孔25的步骤，每个穿孔25在多个电极中的一对电极之间的位置处穿过基板。选择的图示：图7

2. 发明专利

JP5816739B1 マルチビームのブランキングアパーチャアレイ装置、及びマルチビームのブランキングアパーチャアレイ装置の製造方法有权
标题翻译：用于产生消隐孔径阵列装置的多光束方法和多束消隐孔径阵列装置
公开(公告)号：JP5816739B1
公开(公告)日：2015-11-18
申请号：JP2014244000
申请日：2014-12-02
申请人：株式会社ニューフレアテクノロジー , エヌ・ティ・ティ・アドバンステクノロジ株式会社
发明人：千葉一浩 , 松本裕史 , 小笠原宗博 , 吉川良一 , 森田博文 , 山田裕和 , 佐布晃昭 , 小西敏文 , 松島隆明 , 工藤和久 , 矢野正樹 , 町田克之
IPC分类号： G03F7/20 , H01J37/305 , H01J9/14 , H01L21/027
CPC分类号： H01J37/045 , H01J2237/043 , H01J2237/0432 , H01J2237/0437 , H01J2237/303 , H01J2237/3175 , H01J2237/31774
摘要：【目的】マルチビーム照射による表面の帯電を抑制することが可能なブランキングアパーチャアレイ装置をより簡易なプロセスによって製造する方法を提供する。【構成】本発明の一態様のマルチビームのブランキングアパーチャアレイ装置の製造方法は、下層側から絶縁膜310と金属膜320と絶縁膜330と金属膜340とが表面に順に積層された基板300を用いて、金属膜340上に複数の電極24,26と複数のパッド29とを形成する工程と、金属膜340の一部をエッチングにより除去する工程と、複数の電極と複数のパッドと金属膜340の残部とをマスクとして、絶縁膜330をエッチングにより除去する工程と、それぞれが複数の電極のうち対となる電極同士間の位置で基板を貫通する複数の通過孔25を形成する工程と、を備えたことを特徴とする。【選択図】図7
摘要翻译：一种用于由能够通过多波束目的照射抑制表面的充电的更简单的工艺消隐孔径阵列装置的制造的方法。的多波束消隐本发明的孔径阵列装置中，从绝缘膜310和金属膜320和绝缘膜330和金属膜的下侧340顺序地堆叠在表面上的基板300的一个实施例的[配置]制造方法用，并且形成多个电极24，26和多个在金属膜340，通过蚀刻金属膜340，多个电极和多个焊盘和金属的一部分除去的工序垫29的作为掩模和平衡层340，绝缘膜330，并通过蚀刻去除，并且在电极之间的位置处形成穿过衬底的多个通路孔25为多个对电极，每个电极的间，其特征在于包括：a。点域7

3. 发明专利

JP6883478B2 半導体装置有权
公开(公告)号：JP6883478B2
公开(公告)日：2021-06-09
申请号：JP2017121996
申请日：2017-06-22
申请人：東芝デバイス&ストレージ株式会社 , 株式会社ニューフレアテクノロジー
发明人：岡田史朗 , 森健太郎 , 千葉一浩 , 五島嘉国 , 鍋屋信介
IPC分类号： G21K1/087 , H01J37/305 , H01J37/147 , H01L21/027

4. 发明专利

JP2019009208A 半導体装置审中-公开
公开(公告)号：JP2019009208A
公开(公告)日：2019-01-17
申请号：JP2017121996
申请日：2017-06-22
申请人：東芝デバイス&ストレージ株式会社 , 株式会社ニューフレアテクノロジー
发明人：岡田史朗 , 森健太郎 , 千葉一浩 , 五島嘉国 , 鍋屋信介
IPC分类号： G21K1/087 , H01J37/305 , H01J37/147 , H01L21/027
摘要：【課題】高い位置精度で配置された貫通孔を有する半導体チップを備えた半導体装置を提供する。【解決手段】半導体装置は、複数の貫通孔12を有する領域14を含む半導体チップ10と、領域14よりも大きい第1の開口部21を有し、樹脂又はセラミックスを含む基板20と、半導体チップ10と基板20との間に設けられ、領域14よりも大きい第2の開口部31を有するスペーサ30と、半導体チップ10とスペーサ30との間に設けられた第1の接合材40と、スペーサ30と基板20との間に設けられた第2の接合材42と、を備える。【選択図】図1

6. 发明专利

JP6500383B2 ブランキングアパーチャアレイ及び荷電粒子ビーム描画装置有权
公开(公告)号：JP6500383B2
公开(公告)日：2019-04-17
申请号：JP2014204873
申请日：2014-10-03
申请人：株式会社ニューフレアテクノロジー
发明人：山下浩 , 松本裕史 , 千葉一浩
IPC分类号： G03F7/20 , H01J37/305 , H01L21/027

7. 发明专利

JP2016076548A ブランキングアパーチャアレイ及び荷電粒子ビーム描画装置有权
标题翻译：空白光束阵列和充电颗粒光束光刻设备
公开(公告)号：JP2016076548A
公开(公告)日：2016-05-12
申请号：JP2014204873
申请日：2014-10-03
申请人：株式会社ニューフレアテクノロジー
发明人：山下浩 , 松本裕史 , 千葉一浩
IPC分类号： G03F7/20 , H01J37/305 , H01L21/027
CPC分类号： H01J37/3174 , H01J37/045 , H01J37/3177 , H01J2237/0435 , H01J2237/31774
摘要：【課題】荷電粒子ビームの照射に伴いブランキングアパーチャアレイの表面が帯電することを防止する。【解決手段】荷電粒子ビーム描画装置のブランキングアパーチャアレイ10は、シリコン層を含む基板120と、基板120上に設けられた絶縁膜130と、基板120及び絶縁膜130に形成された複数の貫通孔110の各々に対応して絶縁膜130上に設けられたブランキング電極104及びグランド電極102と、絶縁膜130上に設けられ、ブランキング電極104及びグランド電極102bに接続された配線106と、絶縁膜130、ブランキング電極104、グランド電極102及び配線106の上面を覆うように設けられ、配線106よりも電気抵抗値が高く絶縁膜130よりも電気抵抗値が低い高抵抗膜140と、を備える。【選択図】図5
摘要翻译：要解决的问题：防止入射到带电粒子束照射的消隐孔阵列的表面的充电。解决方案：带电粒子束光刻设备的消隐孔径阵列10包括：衬底120，其包括硅层，绝缘层设置在基板120上的薄膜130，设置在绝缘膜130上的消隐电极104和接地电极102分别对应于形成在基板120上的多个通孔110和绝缘膜130，绝缘膜130上设置的布线106和与消隐电极104和接地电极102连接，以及设置成覆盖绝缘膜130的上表面的高电阻膜140，消隐电极104，接地电极102和布线106，并且电阻值高于布线106但低于绝缘膜130的布线。图5

8. 发明专利

JP2019204898A マルチ荷電粒子ビーム描画装置、マルチ荷電粒子ビーム描画装置用ブランキングアパーチャアレイ、マルチ荷電粒子ビーム描画装置の運用方法、及びマルチ荷電粒子ビーム描画方法审中-公开
公开(公告)号：JP2019204898A
公开(公告)日：2019-11-28
申请号：JP2018099831
申请日：2018-05-24
申请人：株式会社ニューフレアテクノロジー
发明人：五島嘉国 , 吉野修司 , 千葉一浩
IPC分类号： G03F7/20 , H01J37/305 , H01L21/027
摘要：【課題】ブランキングアパーチャアレイをマルチ荷電粒子ビーム描画装置に搭載したまま荷電粒子ビームの照射に伴うダメージから回復させ、ブランキングアパーチャアレイの使用期間を延ばす。【解決手段】荷電粒子ビーム描画装置は、荷電粒子ビームを放出する放出部と、マルチビームを形成する成形アパーチャアレイと、各ビームのブランキング偏向を行うブランカが設けられた半導体基板300を有するブランキングアパーチャアレイと、を備える。前記ブランキングアパーチャアレイは、前記半導体基板に形成され、前記ブランカを制御する制御回路と、前記制御回路の形成領域内に設けられたヒータHとを有する。【選択図】図3

9. 发明专利

JP2016054291A マルチ荷電粒子ビームのブランキング装置、マルチ荷電粒子ビーム描画装置、及びマルチ荷電粒子ビームの不良ビーム遮蔽方法审中-公开
标题翻译：用于多个充电颗粒束，多个充电颗粒束绘图装置的空白设备和多个充电颗粒光束的缺陷光束遮挡方法
公开(公告)号：JP2016054291A
公开(公告)日：2016-04-14
申请号：JP2015167673
申请日：2015-08-27
申请人：株式会社ニューフレアテクノロジー
发明人：山下浩 , 吉川良一 , 千葉一浩 , 松本裕史
IPC分类号： G03F7/20 , H01J37/305 , H01L21/027
CPC分类号： H01J37/045 , H01J2237/043 , H01J2237/3175
摘要：【課題】マルチビームのうちブランキング制御不能なビームON固定の不良ビームを形成しないブランキング装置を提供する。【解決手段】ブランキングプレートは、制御電極24と、制御電極24に、マルチビームのうちの対応ビームをビームONとビームOFFの状態に切り替えるためのブランキング制御用の異なる2つの電位を選択的に印加する制御回路41と、制御電極24と組みとなって対応ビームのブランキング偏向を行う、グランド接続された対向電極26と、制御電極24の電位がグランド電位に固定された場合に、グランド接続された対向電極26の電位をグランド電位から変更する制御回路43と、を備える。【選択図】図24
摘要翻译：要解决的问题：提供一种消隐装置，其不会形成不能在多个光束中进行消隐控制的任何光束固定的有缺陷的光束。解决方案：消隐板具有控制电极24，用于选择性地控制的控制电路向控制电极24施加两个用于在束接通状态和光束关闭状态之间的多个光束中切换相应光束的消隐控制电位;对电极26，其连接到地并与控制电极配对电极24对相应的光束进行消隐偏转;以及控制电路43，用于当控制电极24的电位固定在地电位上时，将接地对置电极26的电位从接地电位改变。图24

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