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1. 发明专利

JP6939679B2 半導体装置有权
公开(公告)号：JP6939679B2
公开(公告)日：2021-09-22
申请号：JP2018064209
申请日：2018-03-29
申请人：株式会社デンソー
发明人：上瀧領二 , 福岡大輔
IPC分类号： H01L25/07 , H01L25/18 , H01L23/36

2. 发明专利

JP2021061393A 半導体装置审中-公开
公开(公告)号：JP2021061393A
公开(公告)日：2021-04-15
申请号：JP2020158041
申请日：2020-09-22
申请人：株式会社デンソー
发明人：福岡大輔 , 奥村知巳 , 大谷祐司 , 小林渉 , 野村匠 , 満永智明 , 平野敬洋 , 坂井孝充 , 岡賢吾
IPC分类号： H01L25/18 , H01L29/12 , H01L29/78 , H01L29/739 , H01L25/07
摘要：【課題】信頼性の高い半導体装置を提供する。【解決手段】半導体装置は、表面にエミッタ電極が形成され、裏面にコレクタ電極が形成された半導体素子30を備えている。コレクタ電極と半導体素子30の裏面側に配置されたヒートシンク40とが、はんだ80を介して接続されている。はんだ接合部には、複数のワイヤ片90が設けられている。すべてのワイヤ片90が、ヒートシンク40の実装面40aに接合され、半導体素子30に向けて突起している。はんだ80は、平面視において、素子中心30cを含む半導体素子30の中央部分と重なる中央領域80aと、中央領域80aを取り囲む外周領域80bを有している。外周領域には、4つ以上のワイヤ片が少なくとも半導体素子30の四隅のそれぞれに対応して配置されている。ワイヤ片の少なくともひとつが、平面視において素子中心に向けて延びている。【選択図】図7

3. 发明专利

JP2016213346A 半導体装置有权
标题翻译：半导体设备
公开(公告)号：JP2016213346A
公开(公告)日：2016-12-15
申请号：JP2015096492
申请日：2015-05-11
申请人：株式会社デンソー
发明人：福岡大輔
IPC分类号： H01L25/18 , H01L25/04 , H01L25/07
CPC分类号： H02M7/44 , H01L23/051 , H01L23/4334 , H01L23/49513 , H01L23/49541 , H01L23/49548 , H01L23/49568 , H01L27/0664 , H01L29/16 , H01L29/1608 , H01L29/7395 , H01L29/861 , H01L2224/33 , H01L2224/40245 , H01L23/3107 , H01L23/3735 , H01L2924/181
摘要：【課題】端子の振動を抑制しつつ電流集中を抑制できる半導体装置を提供すること。【解決手段】半導体装置は、電極を有する半導体チップ11と、電極と電気的に接続されるヒートシンク13と、ヒートシンクの一部分に連結されるとともにヒートシンクから延設され、外部の接続部材と接続される主端子14と、を備える。そして、主端子14のうち、高電位電源端子141と出力端子143は、対応するヒートシンク13との一端141a1,143a1から所定の範囲に形成された拡幅部141a,143aをそれぞれ有している。【選択図】図3
摘要翻译：为了提供电流集中，同时抑制所述终端的振动被抑制的半导体器件。一种半导体器件，包括：半导体芯片具有电极，连接到电电极上的散热器13如图11所示，从散热器延伸，同时被连接到所述散热器的一部分被连接到外部连接件它包括主终端14，一个。主终端14，以及输出端子143的高电位电源端子141，它具有从形成于散热器13，143a的一预定范围内，分别一端141a1,143a1对应的加宽部141a。点域

4. 发明专利

JP2021176177A 半導体装置および電力変換装置审中-公开
公开(公告)号：JP2021176177A
公开(公告)日：2021-11-04
申请号：JP2020081437
申请日：2020-05-01
申请人：株式会社デンソー , トヨタ自動車株式会社
发明人：福岡大輔 , 上東秀幸 , 梅澤昌義 , 大島正範 , 上瀧領二 , 平野敬洋
IPC分类号： H01L25/07 , H01L25/18 , H01L23/40 , H01L23/48
摘要：【課題】余剰はんだを収容しつつ、部品の種類を低減できる半導体装置を提供すること。【解決手段】半導体素子の両面に形成された主電極は、対応するヒートシンクに接続されている。エミッタ電極は、ターミナル60を介して、ヒートシンク50に接続されている。ターミナル60において、ヒートシンク側の端面60bは、X方向に平行な2つの辺61a、61bと、Y方向に平行な2つの辺61c、61dを有する矩形状をなしている。ヒートシンク50は、はんだ91を介してターミナル60の端面60bに接続されている。ヒートシンク50は、ターミナル60との対向面50aに、ターミナル60との接続領域51と、接続領域51を取り囲み、余剰のはんだ91を収容する溝52を有している。溝52は、平面視において、端面60bの4辺のうちのひとつのみ、もしくは、2つのみと重なるように設けられている。【選択図】図15

5. 发明专利

JP2017188534A 電子装置及びその製造方法有权
公开(公告)号：JP2017188534A
公开(公告)日：2017-10-12
申请号：JP2016075388
申请日：2016-04-04
申请人：株式会社デンソー
发明人：米田秀司 , 福岡大輔 , 林英二
IPC分类号： H01L23/48 , H01L23/28
CPC分类号： H01L23/28 , H01L23/48 , H01L2224/33 , H01L2924/181
摘要：【課題】封止樹脂体の剥離によるボンディングワイヤの断線を抑制しつつ、構成及び製造工程を簡素化できる電子装置及びその製造方法を提供すること。【解決手段】信号端子25のインナーリード250が、金属材料を用いて形成された基材252と、基材の表面のうち、インナーリードのボンディング面250a側の表面に形成された皮膜253を有する。皮膜は、基材の表面に形成され、一部分にボンディングワイヤが接続された金属薄膜254と、金属薄膜の主成分の金属と同じ金属の酸化物よりなり、金属薄膜上であってボンディングワイヤの接続領域250bを除く部分の少なくとも一部に形成された酸化膜255を有する。酸化膜は、金属薄膜にパルス発振のレーザ光を照射してなり、表面が連続して凹凸をなす凹凸酸化膜256を含む。凹凸酸化膜は、ボンディング面のうち、先端領域250eの少なくとも一部に形成されている。【選択図】図6

6. 发明专利

JP2019067813A 半導体モジュール审中-公开
公开(公告)号：JP2019067813A
公开(公告)日：2019-04-25
申请号：JP2017188647
申请日：2017-09-28
申请人：株式会社デンソー
发明人：岩出知生 , 福岡大輔
IPC分类号： H01L25/07 , H01L25/18 , H01L23/50
摘要：【課題】サージ電圧を低減できる半導体モジュールを提供すること。【解決手段】半導体モジュール10は、上下アームを構成するIGBT11H,11Lと、IGBT11H,11Lを封止する封止樹脂体13と、正極側端子22p及び負極側端子22nを有する電源端子22と、出力端子23を備えている。電源端子及び出力端子は、封止樹脂体の同じ側面13cから突出している。正極側端子、負極側端子、及び出力端子それぞれの突出部分は、出力端子が一方の端部に配置されるように、並んで配置されている。そして、出力端子とは反対の端部に配置された電源端子の突出長さが、真ん中に配置された電源端子の突出長さよりも短くされている。これにより、真ん中に配置された電源端子に連なるバスバーを、端部の電源端子を避けるように配置しなくても、並び方向に延設させることができる。【選択図】図2

7. 发明专利

JP6394489B2 半導体装置有权
公开(公告)号：JP6394489B2
公开(公告)日：2018-09-26
申请号：JP2015096492
申请日：2015-05-11
申请人：株式会社デンソー
发明人：福岡大輔
IPC分类号： H01L25/18 , H01L25/04 , H01L25/07
CPC分类号： H02M7/44 , H01L23/051 , H01L23/3107 , H01L23/3735 , H01L23/4334 , H01L23/49513 , H01L23/49541 , H01L23/49548 , H01L23/49568 , H01L27/0664 , H01L27/0727 , H01L29/16 , H01L29/1608 , H01L29/7395 , H01L29/861 , H01L2224/33 , H01L2224/371 , H01L2224/40245 , H01L2924/181 , H01L2924/00012

8. 发明专利

JP5708044B2 半導体装置、金属ブロック体及びその製造方法有权
标题翻译：半导体器件中，金属盒体及其制造方法
公开(公告)号：JP5708044B2
公开(公告)日：2015-04-30
申请号：JP2011047598
申请日：2011-03-04
申请人：株式会社デンソー
发明人：福岡大輔
IPC分类号： H01L23/29 , H01L23/36 , H01L23/40
CPC分类号： H01L24/33 , H01L2224/26175 , H01L2224/83385 , H01L2924/1305 , H01L2924/13055 , H01L2924/181

9. 发明专利

JP2019176058A 半導体装置审中-公开
公开(公告)号：JP2019176058A
公开(公告)日：2019-10-10
申请号：JP2018064209
申请日：2018-03-29
申请人：株式会社デンソー
发明人：上瀧領二 , 福岡大輔
IPC分类号： H01L25/07 , H01L25/18 , H01L23/36
摘要：【課題】冷却器との積層により応力が作用する半導体装置において、封止樹脂体にクラックが生じるのを抑制すること【解決手段】半導体装置は、冷却器と積層され、積層方向において冷却器に挟まれて保持される。半導体装置は、両面に主電極を有するIGBT、Z方向においてIGBTを挟むように配置され、一面側の主電極と電気的に接続された第1ヒートシンク14H,14L、及び、裏面側の主電極と電気的に接続された第2ヒートシンク18H,18L、封止樹脂体、第1ヒートシンクであって、Y方向の側面14cに連なり、側面14cからY方向に延設された正極端子22p及び出力端子23、ヒートシンクの表面に形成された凹凸酸化膜を備える。凹凸酸化膜は、各ヒートシンクの実装面に形成された実装面粗化部と、第2ヒートシンク18H,18Lにおいて側面14cに対応する側面18d,18eに形成された側面粗化部32を有する。【選択図】図18

10. 发明专利

JP6485397B2 電子装置及びその製造方法有权
公开(公告)号：JP6485397B2
公开(公告)日：2019-03-20
申请号：JP2016075388
申请日：2016-04-04
申请人：株式会社デンソー
发明人：米田秀司 , 福岡大輔 , 林英二
IPC分类号： H01L23/48 , H01L23/28

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