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1. 发明专利

JP2019186363A ウェーハの加工方法审中-公开
公开(公告)号：JP2019186363A
公开(公告)日：2019-10-24
申请号：JP2018074775
申请日：2018-04-09
申请人：株式会社ディスコ
发明人：西田吉輝 , 飯田英一 , 横尾晋 , 高橋宏行 , 千東謙太
IPC分类号： H01L21/304 , H01L21/3065 , B23K26/364 , B24B1/00 , B24B27/06 , B24B7/22 , H01L21/301
摘要：【課題】ウェーハにプラズマ加工を施す際の放電の発生を抑制し、デバイスの破損を防止することが可能なウェーハの加工方法を提供する。【解決手段】ストリートに金属層を含むパターンが形成されたウェーハの加工方法であって、レーザービームをパターンが形成されたストリートに沿って照射し、パターンを除去しつつレーザー加工溝を形成ステップと、ウェーハの仕上げ厚さを超える深さの切削溝を、レーザー加工溝の内側に形成するステップと、ウェーハの裏面側を研削してウェーハを仕上げ厚さまで薄化し、切削溝をウェーハの裏面に表出させてウェーハを複数のデバイスチップに分割するステップと、ウェーハの研削によってウェーハの裏面側に形成された破砕層を除去するステップと、破砕層が除去されたウェーハの裏面側に、不活性ガスを用いたプラズマ加工によって歪み層を形成するステップと、を備える。【選択図】図1

2. 发明专利

JP6305269B2 加工方法有权
公开(公告)号：JP6305269B2
公开(公告)日：2018-04-04
申请号：JP2014162183
申请日：2014-08-08
申请人：株式会社ディスコ
发明人：西田吉輝 , 岡崎健志 , 高橋宏行 , 横尾晋 , 田渕智隆
IPC分类号： H01L21/301

3. 发明专利

JP2016063191A エッチング方法审中-公开
标题翻译：蚀刻方法
公开(公告)号：JP2016063191A
公开(公告)日：2016-04-25
申请号：JP2014192536
申请日：2014-09-22
申请人：株式会社ディスコ
发明人：横尾晋 , 高橋宏行 , 西田吉輝 , 岡崎健志 , 田渕智隆
IPC分类号： H01L21/3065 , H01L21/306 , H01L21/301
摘要：【課題】エッチング時の保護部材となるフォトレジスト膜を容易に除去できるエッチング方法を提供する。【解決手段】被加工物(11)の表面(11a)にポジ型のフォトレジスト膜(25)を被覆するレジスト膜被覆工程と、フォトレジスト膜のエッチング領域に対応する部分にフォトマスク(27)を介して光を照射する露光工程と、露光工程を経たフォトレジスト膜を現像してエッチング領域を露出させるエッチング領域露出工程と、エッチング領域が露出した被加工物にフォトレジスト膜側からエッチングを行うエッチング工程と、エッチング工程の後、被加工物からフォトレジスト膜を除去するレジスト膜除去工程と、を含み、レジスト膜除去工程は、被加工物の表面に残存したフォトレジスト膜の全体に光を照射する全面露光工程と、全面露光工程を経たフォトレジスト膜を現像して全て除去する全面除去工程と、を含む構成とした。【選択図】図6
摘要翻译：要解决的问题：提供一种蚀刻方法，通过该蚀刻方法可以容易地去除在蚀刻中形成保护构件的光致抗蚀剂膜。解决方案：蚀刻方法包括：抗蚀剂覆盖步骤，用于覆盖工件的表面（11a）（11）具有正型光致抗蚀剂膜（25）; 曝光步骤，用于通过光掩模（27）用光照射与蚀刻区域相对应的一部分光致抗蚀剂膜; 蚀刻区域曝光步骤，用于显影经过曝光步骤的光致抗蚀剂膜，以暴露蚀刻区域; 蚀刻步骤，用于利用从光致抗蚀剂膜的侧面暴露的蚀刻区域蚀刻工件; 以及在蚀刻步骤之后从工件去除光致抗蚀剂膜的抗蚀剂膜去除步骤。抗蚀剂膜去除步骤包括：用光照射残留在工件表面上的整个光致抗蚀剂膜的全表面曝光步骤; 以及整个表面去除步骤，用于显影经过整个表面曝光步骤的光致抗蚀剂膜，以去除整个光致抗蚀剂膜。图示：图6

4. 发明专利

JP2016058577A 分割方法有权
标题翻译：部分方法
公开(公告)号：JP2016058577A
公开(公告)日：2016-04-21
申请号：JP2014184308
申请日：2014-09-10
申请人：株式会社ディスコ
发明人：高橋宏行 , 岡崎健志 , 西田吉輝 , 田渕智隆 , 横尾晋
IPC分类号： H01L21/3065 , H01L21/301
摘要：【課題】ストリートに沿ってTEGが形成されたウェーハを適切に分割できる分割方法を提供する。【解決手段】ウェーハ(11)の表面に保護部材(23)を貼着する保護部材貼着工程と、ウェーハの裏面側のデバイス(17a)に対応する部分にレジスト膜(25)を被覆するレジスト膜被覆工程と、ウェーハの裏面側からプラズマエッチングを施し半導体基板(13)のストリート(15)に対応する部分を除去する第1のエッチング工程と、ウェーハの裏面側からプラズマエッチングを施しデバイスとTEG(17b)との間に形成された低誘電率絶縁膜(19)を除去する第2のエッチング工程と、レジスト膜を除去するレジスト膜除去工程と、ウェーハの裏面に粘着テープ(27)を貼着するウェーハ保持工程と、ウェーハの表面から保護部材を剥離して、TEGに対応する残存部(17c)を除去する保護部材除去工程と、を含む構成とした。【選択図】図4
摘要翻译：要解决的问题：提供一种划分方法，通过该方法可以适当地划分沿街道形成的具有TEG（测试元件组）的晶片的分割方法。解决方案：该方法被配置为包括：保护部件粘贴步骤，在晶片（11）的顶侧上的部件（23）; 抗蚀剂膜涂覆步骤，用抗蚀剂膜（25）涂覆对应于器件（17a）的晶片的后侧的一部分; 第一蚀刻步骤，用等离子体蚀刻在晶片的背面，以去除对应于半导体衬底（13）的街道（15）的部分; 用等离子体蚀刻晶片的后侧的第二蚀刻步骤，以去除在所述器件和TEG（17b）之间形成的低介电常数绝缘膜（19）; 去除抗蚀剂膜的抗蚀剂膜去除步骤; 晶片保持步骤，将胶带（27）粘贴在晶片的后侧; 以及保护构件除去步骤，从所述晶片的顶侧剥离所述保护构件，以去除对应于所述TEG的残留部分（17c）。图4

5. 发明专利

JP2016040795A ウエーハの分割方法审中-公开
标题翻译：分割方法
公开(公告)号：JP2016040795A
公开(公告)日：2016-03-24
申请号：JP2014164221
申请日：2014-08-12
申请人：株式会社ディスコ
发明人：岡▲崎▼ 健志 , 高橋宏行 , 田渕智隆 , 西田吉輝 , 横尾晋
IPC分类号： H01L21/304 , H01L21/3065 , H01L21/301
摘要：【課題】分割後のチップの抗折強度を低下させることなく、絶縁膜が形成されたウエーハを適切に分割すること。【解決手段】表面にLow−k膜(11)が形成され、分割予定ライン(15)におけるLow−k膜内にTEG(14)が配設されたウエーハを分割予定ラインに沿って分割する方法であり、分割予定ラインを除いてウエーハの表面をマスクする工程と、マスクから露出した分割予定ラインをドライエッチングしてLow−k膜を除去する工程と、切削ブレードによって分割予定ラインにおけるLow−k膜から露出したTEGを除去する工程と、TEGが除去された分割予定ラインをドライエッチングしてウエーハを個々のチップに分割する工程とを有する構成にした。【選択図】図4
摘要翻译：要解决的问题：适当地划分其上形成绝缘膜的晶片，而不降低每个划分的芯片的弯曲强度。解决方案：一种用于分割其中在表面上形成Low-k膜（11）的晶片的方法，以及 TEG（14）被布置在相应的划分时间表线（15）上的Low-k膜中，包括以下步骤：掩蔽除了划分时间表线之外的晶片的表面; 通过干蚀刻从掩模曝光的划分时间表来去除Low-k膜; 通过切割刀片除去在分割计划线上从Low-k膜暴露的TEG; 并干燥蚀刻分割计划行，从中分离出TEG以将晶片分成单独的芯片。选择的图示：图4

6. 发明专利

JP2016039280A 加工方法审中-公开
标题翻译：处理方法
公开(公告)号：JP2016039280A
公开(公告)日：2016-03-22
申请号：JP2014162184
申请日：2014-08-08
申请人：株式会社ディスコ
发明人：西田吉輝 , 田渕智隆 , 高橋宏行 , 横尾晋 , 岡崎健志
IPC分类号： B24C1/04 , B24C3/00 , H01L21/301
CPC分类号： H01L21/78 , H01L21/311 , H01L21/3213
摘要：【課題】ストリート上の低誘電率絶縁膜及び金属パターンを適切に除去できる加工方法を提供する。【解決手段】被加工物(11)に形成されたデバイス(17a)の表面を表面保護部材(23)で覆いストリート(15)は露出させるマスク工程と、金属パターン(21)を溶解するエッチング液に砥粒を分散させ圧縮気体とともに被加工物に吹き付けることで、ストリート上の低誘電率絶縁膜(19)と金属パターンとを除去して半導体基板(13)を露出させるウェットブラスト工程と、ウェットブラスト工程によって半導体基板が露出した被加工物にドライエッチングを施して、被加工物をストリートに沿って分割する分割工程と、を含む構成とした。【選択図】図3
摘要翻译：要解决的问题：提供可以适当地去除位于街道上的低介电常数和金属图案的绝缘膜的处理方法。解决方案：一种处理方法，包括：掩模步骤，用于覆盖装置（17a），其形成在具有表面保护构件（23）的工件（11）上并且留下暴露的街道（15）; 用于将磨料颗粒分散在用于溶解金属图案（21）的蚀刻剂中的湿式喷砂步骤，以及与压缩气体一起分散在其中的磨料颗粒向工件吹送所得到的蚀刻剂，从而除去低介电常数绝缘膜（ 19）和街道上的金属图案并暴露半导体衬底（13）; 以及用于通过湿式喷砂步骤对半导体衬底暴露的工件进行干蚀刻以沿着街道划分工件的分割步骤。选择的图示：图3

7. 发明专利

JP6815705B2 ゲッタリング能力の評価方法有权
公开(公告)号：JP6815705B2
公开(公告)日：2021-01-20
申请号：JP2017084222
申请日：2017-04-21
申请人：株式会社ディスコ
发明人：西田吉輝 , 高橋宏行 , 横尾晋
IPC分类号： H01L21/322 , H01L21/66

8. 发明专利

JP2019186364A ウェーハの加工方法审中-公开
公开(公告)号：JP2019186364A
公开(公告)日：2019-10-24
申请号：JP2018074776
申请日：2018-04-09
申请人：株式会社ディスコ
发明人：西田吉輝 , 飯田英一 , 横尾晋 , 高橋宏行 , 千東謙太
IPC分类号： H01L21/304 , B24B7/22 , B24B7/04 , B24B1/00 , B23K26/364 , B23K26/60 , H01L21/301
摘要：【課題】ウェーハにプラズマ加工を施す際の放電の発生を抑制し、デバイスの破損を防止することが可能なウェーハの加工方法を提供する。【解決手段】ストリートに金属層を含むパターンが形成されたウェーハの加工方法であって、レーザービームをパターンが形成されたストリートに沿って照射し、パターンを除去しつつウェーハの仕上げ厚さを超える深さのレーザー加工溝を形成するステップと、レーザー加工溝が形成されたウェーハの表面側に保護部材を貼着するステップと、ウェーハの裏面側を研削してウェーハを仕上げ厚さまで薄化し、レーザー加工溝をウェーハの裏面に表出させてウェーハを複数のデバイスチップに分割するステップと、ウェーハの研削によってウェーハの裏面側に形成された破砕層を除去するステップと、破砕層が除去されたウェーハの裏面側に、不活性ガスを用いたプラズマ加工によって歪み層を形成するステップと、を備える。【選択図】図1

9. 发明专利

JP2018182241A ゲッタリング能力の評価方法审中-公开
公开(公告)号：JP2018182241A
公开(公告)日：2018-11-15
申请号：JP2017084222
申请日：2017-04-21
申请人：株式会社ディスコ
发明人：西田吉輝 , 高橋宏行 , 横尾晋
IPC分类号： H01L21/322 , H01L21/66
摘要：【課題】外部ゲッタリング層のゲッタリング能力を詳細に評価する。【解決手段】外部ゲッタリング層のゲッタリング能力の評価方法であって、シリコンウェーハの一方の面を加工して該一方の面に外部ゲッタリング層を形成する外部ゲッタリング層形成ステップと、該外部ゲッタリング層が形成された該一方の面に金属不純物を付着させる金属汚染ステップと、該金属汚染ステップを実施した後、該シリコンウェーハの他方の面側から一次イオンを照射して該シリコンウェーハを深さ方向に掘り進め、該シリコンウェーハの内部ゲッタリング層から放出された二次イオンを検出する二次イオン質量分析法による測定を実施する測定ステップと、該金属不純物に対応する質量の二次イオンに関する二次イオン質量分析法による測定の結果から該外部ゲッタリング層のゲッタリング能力を評価する評価ステップと、を備えることを特徴とするゲッタリング能力の評価方法。【選択図】図6

10. 发明专利

JP6377449B2 ウエーハの分割方法审中-公开
公开(公告)号：JP6377449B2
公开(公告)日：2018-08-22
申请号：JP2014164221
申请日：2014-08-12
申请人：株式会社ディスコ
发明人：岡▲崎▼ 健志 , 高橋宏行 , 田渕智隆 , 西田吉輝 , 横尾晋
IPC分类号： H01L21/304 , H01L21/3065 , H01L21/301

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