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1. 发明专利

JP2016015376A 発光素子审中-公开
标题翻译：发光元件
公开(公告)号：JP2016015376A
公开(公告)日：2016-01-28
申请号：JP2014135959
申请日：2014-07-01
申请人：株式会社タムラ製作所 , 株式会社光波
发明人：鈴木理紀也 , 倉又朗人 , 飯塚和幸 , 小石川結樹
IPC分类号： H01L33/10 , H01L33/40
摘要：【課題】Al x Ga y In z N(0≦x≦1、0≦y≦1、0≦z≦1、x+y+z=1)結晶からなるn型半導体部材に接続される、光反射率の高いn側電極を有する発光素子を提供する。【解決手段】一実施の形態において、Al x Ga y In z N(0≦x≦1、0≦y≦1、0≦z≦1、x+y+z=1)結晶を母結晶として有するn型半導体基板10と、n型半導体基板10に接続されるn側電極15と、を有し、n側電極15が、n型半導体基板10に接触するTi層15aとTi層15a上のAgを主成分とするAg層15bを含む、又はn型半導体基板10に接触するAg層15bを含む、発光素子1を提供する。【選択図】図1
摘要翻译：要解决的问题：提供一种连接到由AlGaInN（0≤x≤1,0≤y≤1,0≤z≤1，x + y + z = 1）构成的n型半导体元件的发光元件具有高反射率的n侧电极。解决方案：在一个实施例中，发光元件1具有含有AlGaInN（0≤x≤1,0≤y≤1,0≤ z = 1，x + y + z = 1）晶体和与n型半导体衬底10连接的n侧电极15，其中n侧电极15包含与提供n型半导体衬底10和在作为主要成分的Ti层15a上含有Ag的Ag层15b或与n型半导体衬底10接触的Ag层15b。

2. 发明专利

JP2016015375A 発光素子审中-公开
标题翻译：发光元件
公开(公告)号：JP2016015375A
公开(公告)日：2016-01-28
申请号：JP2014135958
申请日：2014-07-01
申请人：株式会社タムラ製作所 , 株式会社光波
发明人：鈴木理紀也 , 倉又朗人 , 飯塚和幸 , 小石川結樹
IPC分类号： H01L33/10 , H01L33/40
CPC分类号： H01L33/10 , H01L33/40
摘要：【課題】(Al x Ga y In z ) 2 O 3 (0≦x≦1、0≦y≦1、0≦z≦1、x+y+z=1)結晶を母結晶として有する基板に接続された、光反射率の高いn側電極とを有する発光素子を提供する。【解決手段】一実施の形態において、(Al x Ga y In z ) 2 O 3 結晶を母結晶として有するn型半導体基板10と、n型半導体基板10に接続されるn側電極15と、を有し、n側電極15は、n型半導体基板10に接触するTi層15aと、Ti層15a上のAgを主成分とするAg層15bとを含む積層構造を有する、発光素子1を提供する。【選択図】図1
摘要翻译：要解决的问题：提供一种连接到具有（AlGaIn）O（0≤x≤1,0≤y≤1,0≤z≤1，x + y + z = 1）的晶体的发光元件，作为母晶体，具有高反射率的n侧电极。解决方案：在一个实施例中，具有包含（AlGaIn）O晶体作为母体晶体的n型半导体衬底10和n侧电极的发光元件1 15，其中n侧电极15具有包括与n型半导体衬底10接触的Ti层15a和在Ti层15a上含有Ag的Ag层15b的叠层结构作为主要组成部分。

3. 发明专利

JP2015201486A エピタキシャルウエハ及びその製造方法、発光素子及びその製造方法、並びに半導体基板审中-公开
标题翻译：其外形波浪及其制造方法，发光元件及其制造方法及其半导体基板
公开(公告)号：JP2015201486A
公开(公告)日：2015-11-12
申请号：JP2014078118
申请日：2014-04-04
申请人：株式会社タムラ製作所 , 株式会社光波
发明人：飯塚和幸 , 倉又朗人 , 森島嘉克 , 鈴木理紀也 , 小石川結樹
IPC分类号： H01L33/04 , H01L33/32
摘要：【課題】半導体基板の材料によらずに窒化物半導体からなる層を有する高品質のエピタキシャルウエハを製造することのできるエピタキシャルウエハの製造方法及びその方法により製造されたエピタキシャルウエハ、そのエピタキシャルウエハの製造方法を含む発光素子の製造方法及びその方法により製造された発光素子、並びにそれらの方法に用いられる半導体基板を提供する。【解決手段】一実施の形態において、n型半導体基板11の一方の面に高濃度n型領域12を形成する工程と、支持基板17上に、n型半導体層15、p型半導体層13、及びそれらに挟まれた発光層14から構成される積層体18をエピタキシャル成長により形成する工程と、n型半導体基板11の高濃度n型領域12が形成された面と、積層体18の支持基板17と反対側の面を接合させる工程と、n型半導体基板11と積層体18を接合させた後に、支持基板17を除去する工程と、を含む、エピタキシャルウエハ10の製造方法を提供する。【選択図】図1
摘要翻译：要解决的问题：提供一种能够制造具有由氮化物半导体构成的层的高品质外延晶片的外延晶片制造方法，而不管半导体衬底的材料如何; 并提供通过外延晶片制造方法制造的外延晶片; 并提供包括外延晶片制造方法的发光元件制造方法; 并提供通过发光元件制造方法制造的发光元件; 并提供用于这些方法的半导体衬底。解决方案：一个实施例的外延晶片10的制造方法包括：在n型半导体衬底11的一个表面上形成高浓度n型区12的工艺; 通过外延生长在支撑基板17上形成的工序，由n型半导体层15，p型半导体层13和被n型半导体层15夹持的发光层14构成的层叠体18 型半导体层13; 在形成高浓度n型区域12的n型半导体衬底11的表面和与支撑衬底17相反的一侧上的层压体18的表面的结合的工艺; 以及在接合n型半导体衬底11和层压体18之后去除支撑衬底17的工艺。

4. 发明专利

JP2015201485A エピタキシャルウエハ及び発光素子审中-公开
标题翻译：外延波浪和发光元件
公开(公告)号：JP2015201485A
公开(公告)日：2015-11-12
申请号：JP2014078117
申请日：2014-04-04
申请人：株式会社タムラ製作所 , 株式会社光波
发明人：飯塚和幸 , 倉又朗人 , 森島嘉克 , 鈴木理紀也 , 小石川結樹
IPC分类号： H01L33/22 , H01L33/32 , H01L33/04
摘要：【課題】発光効率の高い発光素子、及びその発光素子を構成するエピタキシャルウエハを提供する。【解決手段】一実施の形態において、n型半導体基板11と、n型半導体基板11の一方の面上に、n型半導体基板11と接するように形成されたp型半導体層13と、p型半導体層13の、n型半導体基板11の反対側に形成されたn型半導体層15と、p型半導体層13とn型半導体層15に挟まれた発光層14と、を有する、エピタキシャルウエハ10を提供する。【選択図】図1
摘要翻译：要解决的问题：提供具有高发光效率的发光元件; 并提供组成发光元件的外延晶片。解决方案：实施例的外延晶片10包括：n型半导体衬底11; 形成在n型半导体衬底11的一个表面上以与n型半导体衬底11接触的p型半导体层13; 形成在p型半导体层13的与n型半导体基板11相反的一侧的n型半导体层15; 以及由p型半导体层13和n型半导体层15夹持的发光层14。

5. 发明专利

JP6967238B2 ショットキーバリアダイオード有权
公开(公告)号：JP6967238B2
公开(公告)日：2021-11-17
申请号：JP2017036995
申请日：2017-02-28
申请人：株式会社タムラ製作所 , 株式会社ノベルクリスタルテクノロジー
发明人：佐々木公平 , 脇本大樹 , 小石川結樹 , ティユクァントゥ
IPC分类号： H01L29/47 , H01L21/329 , H01L29/872

6. 发明专利

JP2019016680A ショットキーバリアダイオード审中-公开
公开(公告)号：JP2019016680A
公开(公告)日：2019-01-31
申请号：JP2017132565
申请日：2017-07-06
申请人：株式会社タムラ製作所 , 株式会社ノベルクリスタルテクノロジー
发明人：佐々木公平 , 脇本大樹 , 小石川結樹 , ティユクァントゥ
IPC分类号： H01L29/47 , H01L21/329 , H01L29/06 , H01L29/24 , H01L29/872
摘要：【課題】Ga 2 O 3 系半導体から構成されるショットキーバリアダイオードであって、従来のものよりも低い立ち上がり電圧を有するショットキーバリアダイオードを提供する。【解決手段】一実施の形態として、Ga 2 O 3 系単結晶からなる半導体層10と、半導体層10とショットキー接合を形成し、半導体層10と接触する部分がMo又はWからなるアノード電極11と、カソード電極12と、を備え、立ち上がり電圧が0.3V以上かつ0.5V以下である、ショットキーバリアダイオード1を提供する。【選択図】図1

7. 发明专利

JP2018142655A ショットキーバリアダイオード审中-公开
公开(公告)号：JP2018142655A
公开(公告)日：2018-09-13
申请号：JP2017036995
申请日：2017-02-28
申请人：株式会社タムラ製作所 , 株式会社ノベルクリスタルテクノロジー
发明人：佐々木公平 , 脇本大樹 , 小石川結樹 , ティユクァントゥ
IPC分类号： H01L29/47 , H01L29/06 , H01L21/329 , H01L29/872
CPC分类号： H01L29/06 , H01L29/47 , H01L29/872
摘要：【課題】Ga 2 O 3 系半導体から構成されるショットキーバリアダイオードであって、従来のものよりも低い立ち上がり電圧を有するショットキーバリアダイオードを提供する。【解決手段】一実施の形態として、Ga 2 O 3 系単結晶からなる半導体層10と、半導体層10とショットキー接合を形成し、半導体層10と接触する部分がFe又はCuからなるアノード電極11と、カソード電極12と、を有する、ショットキーバリアダイオード1を提供する。【選択図】図1

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