基本信息:
- 专利标题： ショットキーバリアダイオード
- 申请号：JP2017036995 申请日：2017-02-28
- 公开(公告)号：JP6967238B2 公开(公告)日：2021-11-17
- 发明人： 佐々木 公平 , 脇本 大樹 , 小石川 結樹 , ティユ クァン トゥ
- 申请人： 株式会社タムラ製作所 , 株式会社ノベルクリスタルテクノロジー
- 申请人地址： 東京都練馬区東大泉1丁目19番43号
- 专利权人： 株式会社タムラ製作所,株式会社ノベルクリスタルテクノロジー
- 当前专利权人： 株式会社タムラ製作所,株式会社ノベルクリスタルテクノロジー
- 当前专利权人地址： 東京都練馬区東大泉1丁目19番43号
- 代理人： 特許業務法人平田国際特許事務所
- 主分类号： H01L29/47
- IPC分类号： H01L29/47 ; H01L21/329 ; H01L29/872
公开/授权文献:
- JP2018142655A ショットキーバリアダイオード 公开/授权日：2018-09-13
信息查询:
EspacenetIPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L29/00 | 专门适用于整流、放大、振荡或切换，并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的半导体器件；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒，例如PN结耗尽层或载流子集结层的电容器或电阻器；半导体本体或其电极的零部件 |
| --------H01L29/02 | .按其半导体本体的特征区分的 |
| ----------H01L29/41 | ..以其形状、相对尺寸或位置为特征的 |
| ------------H01L29/47 | ...肖特基势垒电极 |