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1. 发明专利

JP2019164302A 波長変換部材及び波長変換素子审中-公开
公开(公告)号：JP2019164302A
公开(公告)日：2019-09-26
申请号：JP2018053260
申请日：2018-03-20
申请人：株式会社タムラ製作所 , 国立研究開発法人物質・材料研究機構
发明人：飯塚和幸 , 鈴木理紀也 , 山下佳弘 , 新井祐輔 , 吉田清太郎 , 伊藤彰 , 猪股大介 , 澤野博之 , 島村清史 , ガルシアビジョラエンカルナシオンアントニア
IPC分类号： C09K11/80 , C30B29/28 , G02B5/20
摘要：【課題】光学系との結合効率に優れた波長変換部材、及びその波長変換部材からなる層を含む波長変換素子を提供する。【解決手段】一実施の形態として、蛍光体の粒子群の焼結体からなり、任意の切断面における空隙の全体に対する面積比率が0.6%以上、25%以下の範囲内にある、波長変換部材1を提供する。【選択図】図1

2. 发明专利

JP2019139071A 波長変換部材审中-公开
公开(公告)号：JP2019139071A
公开(公告)日：2019-08-22
申请号：JP2018022273
申请日：2018-02-09
申请人：株式会社タムラ製作所 , 国立研究開発法人物質・材料研究機構
发明人：新井祐輔 , 伊藤彰 , 飯塚和幸 , 鈴木理紀也 , 山下佳弘 , 吉田清太郎 , 猪股大介 , 澤野博之 , 島村清史 , ガルシアビジョラエンカルナシオンアントニア
IPC分类号： C09K11/80 , G02B5/20
摘要：【課題】温度特性や放熱性に優れ、かつランバーシアン配光に近い配光特性を有する、蛍光体を用いた波長変換部材を提供する。【解決手段】一実施の形態として、単結晶蛍光体の粒子群の焼結体からなり、所定の形状を有する、波長変換部材1を提供する。【選択図】図1

3. 发明专利

JP2016015376A 発光素子审中-公开
标题翻译：发光元件
公开(公告)号：JP2016015376A
公开(公告)日：2016-01-28
申请号：JP2014135959
申请日：2014-07-01
申请人：株式会社タムラ製作所 , 株式会社光波
发明人：鈴木理紀也 , 倉又朗人 , 飯塚和幸 , 小石川結樹
IPC分类号： H01L33/10 , H01L33/40
摘要：【課題】Al x Ga y In z N(0≦x≦1、0≦y≦1、0≦z≦1、x+y+z=1)結晶からなるn型半導体部材に接続される、光反射率の高いn側電極を有する発光素子を提供する。【解決手段】一実施の形態において、Al x Ga y In z N(0≦x≦1、0≦y≦1、0≦z≦1、x+y+z=1)結晶を母結晶として有するn型半導体基板10と、n型半導体基板10に接続されるn側電極15と、を有し、n側電極15が、n型半導体基板10に接触するTi層15aとTi層15a上のAgを主成分とするAg層15bを含む、又はn型半導体基板10に接触するAg層15bを含む、発光素子1を提供する。【選択図】図1
摘要翻译：要解决的问题：提供一种连接到由AlGaInN（0≤x≤1,0≤y≤1,0≤z≤1，x + y + z = 1）构成的n型半导体元件的发光元件具有高反射率的n侧电极。解决方案：在一个实施例中，发光元件1具有含有AlGaInN（0≤x≤1,0≤y≤1,0≤ z = 1，x + y + z = 1）晶体和与n型半导体衬底10连接的n侧电极15，其中n侧电极15包含与提供n型半导体衬底10和在作为主要成分的Ti层15a上含有Ag的Ag层15b或与n型半导体衬底10接触的Ag层15b。

4. 发明专利

JP2016013931A β−Ga2O3系単結晶基板有权
标题翻译：基于-Ga2O3的单晶基板
公开(公告)号：JP2016013931A
公开(公告)日：2016-01-28
申请号：JP2014135454
申请日：2014-06-30
申请人：株式会社タムラ製作所 , 株式会社光波
发明人：渡辺信也 , 輿公祥 , 山岡優 , 飯塚和幸 , 滝沢勝 , 増井建和
IPC分类号： C30B29/16
CPC分类号： C30B29/16
摘要：【課題】結晶構造のばらつきが小さい高品質のβ−Ga 2 O 3 系単結晶基板を提供する。【解決手段】一実施の形態において、β−Ga 2 O 3 系単結晶からなるβ−Ga 2 O 3 系単結晶基であって、主面がβ−Ga 2 O 3 系単結晶のb軸に平行な面であり、前記主面の中心を通る前記主面上の任意の直線上のΔωの最大値が0.7264以下であるβ−Ga 2 O 3 系単結晶基板1を提供する。Δωは、前記直線上における、X線ロッキングカーブのピーク位置におけるX線の入射方向と前記主面のなす角度をω s として、前記ω s とその測定位置との関係を表す曲線の最小二乗法による線形近似により求められる近似直線上の角度をω a としたときの、前記測定位置の各位置における前記ω s から前記ω a を減じた値の、最大値と最小値との差である。【選択図】図6
摘要翻译：要解决的问题：提供具有小晶体结构差的高质量的基于GaO的单晶衬底。解决方案：在一个实施例中，提供了一种基于GaO的单晶衬底1，其由基于GaO的单晶，主平面是与基于-GaO的单晶的b轴平行的平面，以及在主平面上的任意直线上的最大值＆Dgr;ω 其通过主平面的中心为0.7264或更小。将X射线锁定曲线的峰值位置处的X射线的入射方向与主平面之间的夹角定义为直线上的ω，以及近似直线上的角度，通过线性逼近表示ω和其测量位置之间的关系的曲线的最小二乘法作为ω，＆Dgr;ω是通过从每个测量位置的ωat中减去ω得到的值的最大值和最小值之间的差。

5. 发明专利

JP5788925B2 β−Ga2O3系単結晶の成長方法有权
标题翻译：＆BGR;生长单晶的基于-Ga2O3-方法
公开(公告)号：JP5788925B2
公开(公告)日：2015-10-07
申请号：JP2013078575
申请日：2013-04-04
申请人：株式会社タムラ製作所 , 株式会社光波
发明人：渡辺信也 , 飯塚和幸 , 土井岡慶 , 坂本春香 , 増井建和
IPC分类号： C30B15/34 , C30B29/16
CPC分类号： C30B15/34 , C30B15/04 , C30B29/16

6. 发明专利

JP6195125B2 窒化物半導体テンプレート及びその製造方法有权
公开(公告)号：JP6195125B2
公开(公告)日：2017-09-13
申请号：JP2015035895
申请日：2015-02-25
申请人：株式会社タムラ製作所 , 国立研究開発法人理化学研究所
发明人：森島嘉克 , 飯塚和幸 , 倉又朗人 , 平山秀樹
IPC分类号： H01L33/32 , H01L33/12 , C30B29/38 , C30B25/18 , H01L21/20 , H01L21/205
CPC分类号： H01L33/007 , C30B25/18 , C30B25/183 , C30B29/16 , C30B29/38 , C30B29/406 , C30B29/68 , H01L21/20 , H01L21/205 , H01L33/025 , H01L33/12 , H01L33/32

7. 发明专利

JP2017120864A 発光装置审中-公开
公开(公告)号：JP2017120864A
公开(公告)日：2017-07-06
申请号：JP2015257520
申请日：2015-12-28
申请人：株式会社タムラ製作所 , 株式会社光波
发明人：上荷幹彦 , 伊藤彰 , 澤野博之 , 利根健太郎 , 佐野広明 , 猪股大介 , 飯塚和幸
IPC分类号： F21S2/00 , C30B29/28 , G02B6/42 , F21S8/10 , F21V9/16 , F21V8/00 , C09K11/80 , F21W101/10 , F21Y115/30 , H01S5/02
CPC分类号： C30B29/28 , F21S2/00 , F21S43/00 , F21V9/30 , G02B6/42 , H01S5/02 , G02B5/20
摘要：【課題】レーザーダイオードと蛍光体の組み合わせにより白色光を発する、高輝度の発光装置を提供する。【解決手段】レーザー発光装置10に含まれる青色光を発するレーザーダイオードと、レーザーダイオードの発する光の一部を吸収して波長を変換する波長変換部11と、を有し、波長変換部11は、YAG系の単結晶蛍光体を含み、レーザーダイオードから発せられて波長変換部11に照射される光の放射照度が80W/mm 2 以上である、発光装置1を提供する。【選択図】図2

8. 发明专利

JP2017011149A 半導体積層構造体及びその製造方法、並びに半導体素子审中-公开
标题翻译：的半导体多层结构及其制造的方法，和半导体器件
公开(公告)号：JP2017011149A
公开(公告)日：2017-01-12
申请号：JP2015126358
申请日：2015-06-24
申请人：株式会社タムラ製作所
发明人：山下佳弘 , 飯塚和幸 , 森島嘉克
IPC分类号： H01L33/32 , H01L33/16 , C30B29/38 , C30B25/18 , H01L21/205
摘要：【課題】β−Ga 2 O 3 基板上に形成された表面状態の良好な窒化物半導体層を有する半導体積層構造体及びその製造方法、並びにその半導体積層構造体を含む半導体素子を提供する。【解決手段】(−201)面若しくは(101)面、又はその面を基準とするオフセット面を主面2aとする、β−Ga 2 O 3 結晶からなる基板2と、バッファ層3を介して基板2上に形成された窒化物半導体層4と、を有し、窒化物半導体層4の主面4aにおける、第1の方向へのオフセット角度が−0.35°以上−0.15°以下又は0.15°以上0.35以下であり、第2の方向へのオフセット角度が−0.35°以上0.35°以下である、半導体積層構造体1を提供する。【選択図】図2
摘要翻译：乙型GA2 O3半导体堆，上被形成在衬底上的表面状态相同的具有良好的氮化物半导体层的制造方法，以及包括所述半导体堆叠的半导体器件。 A（-201）面或（101）面，或主图2a偏置表面相对于它的表面上的，由β-内GA2 O3晶体的基板2，通过在缓冲层3上的上部基板2 形成的氮化物半导体层4具有，在氮化物半导体层4，偏移角与第一方向-0.35°-0.15或者°0.35以下或更低，或0.15°以上的主表面4a 在那里，所述第二方向的偏移角度为0.35°或更小-0.35°以上，以提供半导体层叠构造1。 .The

9. 发明专利

JP2015201485A エピタキシャルウエハ及び発光素子审中-公开
标题翻译：外延波浪和发光元件
公开(公告)号：JP2015201485A
公开(公告)日：2015-11-12
申请号：JP2014078117
申请日：2014-04-04
申请人：株式会社タムラ製作所 , 株式会社光波
发明人：飯塚和幸 , 倉又朗人 , 森島嘉克 , 鈴木理紀也 , 小石川結樹
IPC分类号： H01L33/22 , H01L33/32 , H01L33/04
摘要：【課題】発光効率の高い発光素子、及びその発光素子を構成するエピタキシャルウエハを提供する。【解決手段】一実施の形態において、n型半導体基板11と、n型半導体基板11の一方の面上に、n型半導体基板11と接するように形成されたp型半導体層13と、p型半導体層13の、n型半導体基板11の反対側に形成されたn型半導体層15と、p型半導体層13とn型半導体層15に挟まれた発光層14と、を有する、エピタキシャルウエハ10を提供する。【選択図】図1
摘要翻译：要解决的问题：提供具有高发光效率的发光元件; 并提供组成发光元件的外延晶片。解决方案：实施例的外延晶片10包括：n型半导体衬底11; 形成在n型半导体衬底11的一个表面上以与n型半导体衬底11接触的p型半导体层13; 形成在p型半导体层13的与n型半导体基板11相反的一侧的n型半导体层15; 以及由p型半导体层13和n型半导体层15夹持的发光层14。

10. 发明专利

JP2017001907A β−Ga2O3基板、半導体積層構造体、及び半導体素子审中-公开
标题翻译：的β-GA2 O3衬底，所述半导体层叠结构，以及半导体元件
公开(公告)号：JP2017001907A
公开(公告)日：2017-01-05
申请号：JP2015116909
申请日：2015-06-09
申请人：株式会社タムラ製作所 , 株式会社光波
发明人：山下佳弘 , 飯塚和幸 , 森島嘉克
IPC分类号： H01L21/205 , C30B29/16
CPC分类号： C30B29/16 , H01L21/205
摘要：【課題】主面の中心点のみならず、中心点を含むより広い領域において結晶の配向性に優れるβ−Ga 2 O 3 基板、並びにそのβ−Ga 2 O 3 基板を含む半導体積層構造体及び半導体素子を提供する。【解決手段】(−201)面又は(101)面を主面2aとし、主面2aの中心における、[010]方向の幅2.3mm、[010]方向に垂直な方向の幅10mmの長方形の領域51に、主面2a上への正射影の方向が[010]方向である方向からX線を照射して得られる主面2aのX線ロッキングカーブの半値幅が100arcsec以下であり、主面2aの中心における、[010]方向の幅0.5mm、[010]方向に垂直な方向の幅0.15mmの長方形の領域52に、主面2a上への正射影の方向が[010]方向である方向からX線を照射して得られる主面2aのX線ロッキングカーブの半値幅が50arcsec以下である、β−Ga 2 O 3 基板2を提供する。【選択図】図6
摘要翻译：甲不是主表面只，β-GA2 O3基板的中央点，这是优异的在包括中心点的更广泛的区域的晶体的取向，以及半导体堆叠结构，并且包括所述β-GA2 O3衬底的半导体器件。主表面2a和A（-201）面或（101）面，在主面2a的中心，为2.3mm宽度的[010]方向，[010]方向垂直宽10mm的矩形的区域51中，通过从作为方向照射X射线得到的X射线摇摆的正投影的方向的主面2a的曲线FWHM在主面2a [010]方向是少100弧秒，所述主表面以0.5mm，矩形区域的方向上的[010]方向垂直的宽度0.15毫米52的宽度的[010]方向的中心2a中，正交投影的主表面2a的方向是[010]方向 X射线摇摆通过从方向照射X射线而获得的主面2a的曲线FWHM小于50弧秒，提供一种β-GA2 O3基板2。点域6

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