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1. 发明专利

JP6986418B2 積層型光電変換装置および積層型光電変換装置モジュールの製造方法有权
公开(公告)号：JP6986418B2
公开(公告)日：2021-12-22
申请号：JP2017214849
申请日：2017-11-07
申请人：株式会社カネカ
发明人：三島良太 , 足立大輔 , 目黒智巳
IPC分类号： H01L31/048 , H01L31/0236 , H01L31/18

2. 发明专利

JPWO2020174972A1 光電変換素子および光電変換素子の製造方法审中-公开
公开(公告)号：JPWO2020174972A1
公开(公告)日：2021-12-02
申请号：JP2020002820
申请日：2020-01-27
申请人：株式会社カネカ , 国立大学法人京都大学
发明人：三島良太 , 日野将志 , 目黒智巳 , 若宮淳志 , チョンミンアン
IPC分类号： H01L51/44 , H01L51/46
摘要：光吸収層に対して正孔輸送層が配置される側から光を入射させるペロブスカイト型光電変換素子を提供する。光電変換素子であって、ペロブスカイト型構造を有する化合物を含む光吸収層と、前記光吸収層の片側に配置される電子輸送層と、前記光吸収層のもう片側に配置される正孔輸送層と、を有し、前記正孔輸送層は、有機材料を含み、厚みが50nm以下で、吸収ピーク波長が400nm以下の蒸着層である。

3. 发明专利

JP6960233B2 太陽電池モジュール有权
公开(公告)号：JP6960233B2
公开(公告)日：2021-11-05
申请号：JP2017059763
申请日：2017-03-24
申请人：株式会社カネカ
发明人：日野将志 , 三島良太 , 目黒智巳
IPC分类号： H01L31/0747 , H01L31/078 , H01L51/48 , H01L51/44

4. 发明专利

JP6722007B2 積層型光電変換装置およびその製造方法有权
公开(公告)号：JP6722007B2
公开(公告)日：2020-07-15
申请号：JP2016049562
申请日：2016-03-14
申请人：株式会社カネカ
发明人：三島良太 , 日野将志 , 目黒智巳
IPC分类号： H01L31/0747 , H01L51/44

5. 发明专利

JP6618476B2 試料保持装置、太陽電池の製造方法及び太陽電池モジュールの製造方法有权
公开(公告)号：JP6618476B2
公开(公告)日：2019-12-11
申请号：JP2016552121
申请日：2015-09-30
申请人：株式会社カネカ
发明人：末崎恭 , 三島良太
IPC分类号： B65G49/07 , H01L31/18 , H01L21/677

6. 发明专利

JP2019114572A 積層型光電変換装置の製造方法审中-公开
公开(公告)号：JP2019114572A
公开(公告)日：2019-07-11
申请号：JP2016093754
申请日：2016-05-09
申请人：株式会社カネカ
发明人：三島良太 , 中野邦裕 , 目黒智巳
IPC分类号： H01L51/44 , H01L31/0747 , H01L31/06
摘要：【課題】工業的に製造可能な、結晶シリコン系光電変換ユニットと薄膜光電変換ユニットとが積層された高効率の積層型光電変換装置の製造方法を提供する。【解決手段】上記課題は、積層型光電変換装置(100)を作製する際に、エピタキシャル結晶シリコン基板を用いて作製した結晶シリコン系光電変換ユニット(2)上に薄膜系光電変換ユニットを形成することで解決される。エピタキシャル結晶シリコン基板は、下地層結晶シリコン基板上に成長させた多孔質層上に形成され、エピタキシャル結晶シリコン基板のみ取り出すことで基板となる。【選択図】図1

7. 发明专利

JP2016189358A 太陽電池の製造方法、めっき用治具、並びに、めっき装置审中-公开
标题翻译：制造太阳能电池的方法，镀层和镀层器件
公开(公告)号：JP2016189358A
公开(公告)日：2016-11-04
申请号：JP2013180251
申请日：2013-08-30
申请人：株式会社カネカ
发明人：三島良太 , 宮崎貴芳 , 末崎恭 , 足立大輔 , 柳原豊
IPC分类号： C25D17/08 , C25D17/06 , C25D17/00 , H01L31/04
CPC分类号： H01L31/18 , C25D17/005 , C25D17/06 , H01L31/022425 , Y02E10/50
摘要：【課題】本発明は、電解めっき法により、太陽電池の集電極の一部たるめっき層を形成するにあたって、裏面電極層が溶解することを防止できる太陽電池の製造方法を提供するものである。この太陽電池の製造方法に使用できるめっき用治具を提供するものである。さらに、このめっき用治具を使用できるめっき装置を提供するものである。【解決手段】めっき用治具2は、外部電源7と電気的に接続される本体部15と、被めっき基板20に給電するクリップ本体21を有し、めっき用治具2によって、クリップ本体21をめっき下地層51に接触させ、被めっき基板20をめっき浴5にめっき下地層51及び金属層57の大部分を浸漬した状態で固定し、さらに金属層57の表面に正の電荷が帯電しない程度に電気的に制限された状態で、クリップ本体21を介してめっき下地層51に給電する。【選択図】図2
摘要翻译：要解决的问题：提供一种太阳能电池制造方法，当通过电解电镀法形成作为太阳能电池的集电极的一部分的镀层时，能够防止背面电极层的溶解，可用于太阳能电池制造方法和可以使用电镀夹具的电镀装置。电镀夹具2包括电连接到外部电源7的主体部分15和用于向外部电源7供电的夹子主体21 电镀目标基板20.夹主体21通过电镀夹具2与镀层下层51接触。电镀对象基板20固定，而大部分电镀底层51和金属层57浸入电镀槽5，并且在施加电限制的同时通过夹子主体21向电镀下层51供电，使得金属层57的表面不带电 h正电荷。选择图：图2

8. 发明专利

JP2016072529A 太陽電池の製造方法及び太陽電池の製造装置审中-公开
标题翻译：太阳能电池的制造方法和太阳能电池的制造装置
公开(公告)号：JP2016072529A
公开(公告)日：2016-05-09
申请号：JP2014202573
申请日：2014-09-30
申请人：株式会社カネカ
发明人：牧田秀行 , 上野直遵 , 三島良太 , 柳原豊
IPC分类号： H01L31/0747 , H01L21/677 , H01L31/0224
CPC分类号： Y02E10/50
摘要：【課題】たとえめっき電極層で集電極の一部を形成した場合でも、余分なめっき電極層の発生を防止できる太陽電池の製造方法及び太陽電池の製造装置を提供する。【解決手段】着脱部11を仕掛太陽電池基板101の一部に接触させて吸着支持させる吸着工程と、仕掛太陽電池基板101の一部を吸着支持した状態で着脱部11を所定の位置に移動させる搬送工程と、着脱部11から仕掛太陽電池基板101を脱着させる脱着工程と、仕掛太陽電池基板101に対してめっき法によってめっき電極層を形成するめっき工程をこの順に実施するものであり、着脱部11の仕掛太陽電池基板101への吸着部は、JIS K 7202に準じたロックウェル硬度がM85以上M120以下である製造方法とする。【選択図】図7
摘要翻译：要解决的问题：为了提供即使在集电极的一部分由镀覆电极层形成的情况下也能够防止过度的电极电极层的太阳能电池的制造方法，以及制造方法太阳能电池。制造方法依次实现：吸附和支撑与工艺中太阳能电池基板101的一部分接触的安装/拆卸部分11的吸附步骤; 输送步骤，在吸附和支撑一部分工艺中的太阳能电池基板101的同时将安装/拆卸部11移动到预定位置; 从所述安装/拆卸部11除去所述工序中的太阳能电池基板101的除去工序; 以及电镀步骤，根据电镀方法在正在进行中的太阳能电池基板101上形成电镀电极层。为了吸附在工艺中的太阳能电池基板101的一部分附着/拆卸部11，符合JIS K 7202的洛氏线束为M85以上，M120以下。图7

9. 发明专利

JP6959795B2 バックコンタクト型太陽電池の製造方法有权
公开(公告)号：JP6959795B2
公开(公告)日：2021-11-05
申请号：JP2017157610
申请日：2017-08-17
申请人：株式会社カネカ
发明人：口山崇 , 三島良太 , 小島広平
IPC分类号： H01L31/18 , H01L51/48

10. 发明专利

JPWO2019138613A1 太陽電池の製造方法审中-公开
公开(公告)号：JPWO2019138613A1
公开(公告)日：2021-01-07
申请号：JP2018036419
申请日：2018-09-28
申请人：株式会社カネカ
发明人：三島良太 , 足立大輔
IPC分类号： H01L31/0224 , H01L21/306 , H01L31/0747
摘要：バックコンタクト型太陽電池を、効率よく、製造する。結晶基板11を含む太陽電池10の製造方法では、第1工程〜第5工程を含み、第2工程で、p型半導体層に13p対して、第1リフトオフ層LF1および第2リフトオフ層LF2を、この順で積み重ねて形成し、第4工程で、第3工程で残った第2リフトオフ層LF2、および、p型半導体層13pの無い非形成領域に対して、n型半導体層13nを、積み重ねて形成し、第5工程で、第1エッチング溶液を用いて、第1リフトオフ層LF1および第2リフトオフ層LF2を除去して、第2リフトオフ層LF2に積み重なるn型半導体層13nをも除去する。そして、第1エッチング溶液に対するp型半導体層13p、第1リフトオフ層LF1、および、第2リフトオフ層LF2のエッチング速度が、特定の関係式を満たす。

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