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3. 发明专利

JP2019016383A メモリシステムおよび制御方法审中-公开
公开(公告)号：JP2019016383A
公开(公告)日：2019-01-31
申请号：JP2018180110
申请日：2018-09-26
申请人：東芝メモリ株式会社
发明人：菅野伸一
IPC分类号： G06F12/00 , G06F12/02
摘要：【課題】データの更新頻度に関する情報をホストに提供することができるメモリシステムを実現する。【解決手段】実施形態によれば、メモリシステムは、不揮発性メモリと、コントローラとを具備する。前記コントローラは、論理ブロックアドレスを含むライトコマンドをホストから受信する。前記コントローラは、前記論理ブロックアドレスへの前回のライトから前記論理ブロックアドレスへの今回のライトまでに前記ホストによって前記不揮発性メモリに書き込まれたデータの総量、または前記論理ブロックアドレスへの前回のライトから前記論理ブロックアドレスへの今回のライトまでの時間経過に関する値を取得する。前記コントローラは、前記データの総量、または前記時間経過に関する値を、前記受信されたライトコマンドに対する応答として前記ホストに通知する。【選択図】図1

4. 发明专利

JP2019008730A メモリシステム审中-公开
公开(公告)号：JP2019008730A
公开(公告)日：2019-01-17
申请号：JP2017126616
申请日：2017-06-28
申请人：東芝メモリ株式会社
发明人：菅野伸一
IPC分类号： G06F12/00 , G06F11/10 , G06F12/02
摘要：【課題】ある領域に格納されているデータを他の領域の論理アドレスを通して利用することができるメモリシステムを実現する。【解決手段】メモリシステムは、不揮発性メモリの第1の領域に対応する第1の論理物理アドレス変換テーブルの内容を、不揮発性メモリの第2の領域に対応する第2の論理物理アドレス変換テーブルにコピーする。メモリシステムは、第2の領域の論理アドレスを指定するリード要求に応じて、第2の論理物理アドレス変換テーブルに基づいて、第1のデータの一部を第1の領域から読み出して前記ホスト計算機に返す。メモリシステムは、第1の領域に割り当てられている前記不揮発性メモリの第1のブロック群からリフレッシュ条件を満たすブロックを検出し、検出されたブロック内のデータの誤りを訂正し、誤りが訂正されたデータを、前記検出されたブロックと同じブロックに書き戻す。【選択図】図6

5. 发明专利

JP2018198087A 制御方法审中-公开
公开(公告)号：JP2018198087A
公开(公告)日：2018-12-13
申请号：JP2018158361
申请日：2018-08-27
申请人：東芝メモリ株式会社
发明人：菅野伸一
IPC分类号： G06F3/08 , G11C11/16 , G11C16/04 , G06F3/06
CPC分类号： G06F3/0679 , G06F3/0614 , G06F3/0644 , G06F12/0246
摘要：【課題】微細化および高速動作に有利なストレージシステムを提供する。【解決手段】ストレージシステムは、第1不揮発性メモリを含むデータ書き込みの単位である複数のページPMから構成される第1グループBKM1と、第1グループのデータ書き込みの回数をカウントする第1カウンタCO1と、を備える第1ストレージと、第1ストレージを制御するコントローラと、を具備する。コントローラは、第1グループ内において、全てのページのデータ書き込みが行われたか否かを判定し、全ての前記ページのデータ書き込みが行われていない場合、第1グループにおいてデータ書き込みが行われていないページに対してデータ書き込みを行い、全ての前記ページのデータ書き込みが行われている場合、第1カウンタの値をカウントアップする。【選択図】図14

6. 发明专利

JP6437428B2 不揮発性半導体メモリのコントローラ审中-公开
公开(公告)号：JP6437428B2
公开(公告)日：2018-12-12
申请号：JP2015254003
申请日：2015-12-25
申请人：東芝メモリ株式会社
发明人：菅野伸一
IPC分类号： G06F11/10 , G11C16/34 , G11C11/56 , G06F12/16
CPC分类号： G06F3/0616 , G06F3/0661 , G06F3/0679 , G11C7/1006 , G11C11/5642 , G11C2211/5641

7. 发明专利

JP2018181374A 不揮発性メモリの制御方法审中-公开
公开(公告)号：JP2018181374A
公开(公告)日：2018-11-15
申请号：JP2018138742
申请日：2018-07-24
申请人：東芝メモリ株式会社
发明人：菅野伸一
IPC分类号： G06F12/00 , G06F12/02
CPC分类号： G06F12/0253 , G06F3/0619 , G06F3/0655 , G06F3/0659 , G06F3/0688 , G06F12/0246 , G06F2212/1016 , G06F2212/7201 , G06F2212/7205
摘要：【課題】メモリシステムのメモリ寿命を延ばす。【解決手段】本実施形態に係る不揮発性メモリの制御方法は、不揮発性メモリを制御するコントローラが、不揮発性メモリに含まれる複数のメモリ領域ごとの有効データのデータ量を検出することと、コントローラが、複数のメモリ領域ごとに、複数のメモリ領域の書き込み順序又は書き込みからの経過時間に応じて変化するしきい値を設定することと、コントローラが、複数のメモリ領域ごとのデータ量と前記しきい値とに基づいて、データ量がしきい値より小さいメモリ領域を選択することと、コントローラが、選択されたメモリ領域の有効データを他のメモリ領域に移動し、選択されたメモリ領域を消去することと、を含む。【選択図】図1

9. 发明专利

JP6398102B2 メモリシステム有权
公开(公告)号：JP6398102B2
公开(公告)日：2018-10-03
申请号：JP2015110461
申请日：2015-05-29
申请人：東芝メモリ株式会社
发明人：菅野伸一
IPC分类号： G06F12/02 , G06F12/1027 , G06F12/00
CPC分类号： G06F3/0605 , G06F3/0659 , G06F3/0679 , G06F9/467 , G06F12/0246 , G06F13/1694 , G06F2212/1008 , G06F2212/7201 , G06F2212/7203

10. 发明专利

JP6378226B2 メモリシステム审中-公开
公开(公告)号：JP6378226B2
公开(公告)日：2018-08-22
申请号：JP2016042477
申请日：2016-03-04
申请人：東芝メモリ株式会社
发明人：菅野伸一
IPC分类号： G06F12/00 , G06F12/02
CPC分类号： G06F12/0253 , G06F3/0619 , G06F3/0655 , G06F3/0659 , G06F3/0688 , G06F12/0246 , G06F2212/1016 , G06F2212/7201 , G06F2212/7205

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