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2. 发明专利

JPWO2008096866A1 光触媒薄膜、光触媒薄膜の形成方法及び光触媒薄膜被覆製品有权
公开(公告)号：JPWO2008096866A1
公开(公告)日：2010-05-27
申请号：JP2008557174
申请日：2008-02-08
申请人：東海旅客鉄道株式会社 , 独立行政法人物質・材料研究機構
发明人：クリストファーコルドニエ , クリストファーコルドニエ , 哲也志知 , 哲也志知 , 勝又　健一 , 健一勝又 , 靖博勝又 , 靖博勝又 , 藤嶋　昭 , 昭藤嶋 , 貴史沼田 , 貴史沼田 , 佐々木　高義 , 高義佐々木
IPC分类号： B01J35/02 , B01J23/20
CPC分类号： B01J35/004 , B01J23/20 , B01J37/0215 , C03C17/25 , C03C21/001 , C03C2217/218 , C03C2217/228 , C03C2217/23 , C03C2217/71 , C03C2218/111
摘要：本発明にかかる光触媒薄膜の形成方法は、アルカリ金属を含む基体の表面にニオビアナノシートを含む層を形成して焼成することにより、ニオブ−アルカリ金属複合酸化物を含む光触媒薄膜を形成することを特徴とする。

3. 发明专利

JP5688816B2 超格子構造を有する強誘電体薄膜とその製造方法、並びに強誘電体素子とその製造方法有权
标题翻译：强电介质薄膜以及它们的具有超晶格结构的制造方法，以及它们的铁电元件及其制造方法
公开(公告)号：JP5688816B2
公开(公告)日：2015-03-25
申请号：JP2012538643
申请日：2011-10-04
申请人：独立行政法人物質・材料研究機構
发明人：実長田 , 実長田 , 佐々木　高義 , 高義佐々木
IPC分类号： H01L21/316 , C01G33/00 , H01B3/00 , H01L21/8246 , H01L27/105 , H01L41/187 , H01L41/317 , H01L41/39
CPC分类号： H01L41/183 , C30B19/062 , G11C11/22 , H01G4/12 , H01G4/33 , H01L21/02197 , H01L27/11507 , H01L28/55 , H01L41/1871 , H01L41/1873 , H01L41/1876 , H01L41/1878 , H01L41/317 , Y10T428/24975

4. 发明专利

JPWO2013005468A1 誘電体薄膜、誘電体薄膜素子および薄膜コンデンサ有权
标题翻译：电介质薄膜，介电薄膜元件和薄膜电容器
公开(公告)号：JPWO2013005468A1
公开(公告)日：2015-02-23
申请号：JP2013522504
申请日：2012-04-20
申请人：株式会社村田製作所 , 独立行政法人物質・材料研究機構
发明人：貴史岡本 , 貴史岡本 , 実長田 , 実長田 , 佐々木　高義 , 高義佐々木
IPC分类号： H01G4/12 , H01L21/822 , H01L27/04
CPC分类号： H01G4/10 , H01G4/018 , H01G4/18 , H01G4/206 , H01G4/33 , H01L28/40 , H01L29/94 , H01L51/0037 , H01L51/0579
摘要：【課題】漏れ電流を低減できる誘電体薄膜、誘電体薄膜素子および薄膜コンデンサを提供する。【解決手段】薄膜コンデンサ1は、基板10と、基板10上に形成された誘電体薄膜素子16と、を備えている。基板10は、Si板2と、Si板2上に形成されたSiO2膜4と、SiO2膜4上に形成されたTi膜6と、で形成されている。誘電体薄膜素子16は、下部電極8と、下部電極8上に形成された誘電体薄膜12と、誘電体薄膜12上に形成された上部電極14と、で構成されている。誘電体薄膜12は、ナノシートにより構成される薄膜であって、誘電体薄膜12の空隙部にp型導電性有機高分子が充填されている。ナノシートの主成分となる誘電体としては、Ti0.87O2、あるいは、Ca2Nb3O10などが用いられている。p型導電性有機高分子としては、ポリピロール、ポリアニリン、あるいは、ポリエチレンジオキシチオフェンなどが適している。
摘要翻译：的电介质薄膜能够降低漏电流，以提供电介质薄膜元件和薄膜电容器。一种薄膜电容器1包括基板10，和形成在基板10中，在介电薄膜元件16。基板10包括在Si基板2，形成在Si板2 SiO 2膜4，Ti膜6形成在SiO 2膜4，在其上形成。电介质薄膜元件16包括下电极8，形成在该下电极8的电介质薄膜12，和形成在电介质薄膜12上的上部电极14，在被配置。介电膜12是薄膜的纳米片，p型导电性有机聚合物填充在电介质膜12的间隙部分组成。电介质用作纳米片，Ti0.87O2等Ca2Nb3O10的主要成分被使用。在p型导电性有机聚合物，聚吡咯，聚苯胺，或聚乙烯二氧噻吩是合适的。

5. 发明专利

JP5626649B2 電磁波吸収材料有权
标题翻译：电磁波吸收材料
公开(公告)号：JP5626649B2
公开(公告)日：2014-11-19
申请号：JP2010516872
申请日：2009-06-10
申请人：独立行政法人物質・材料研究機構
发明人：実長田 , 実長田 , 佐々木　高義 , 高義佐々木
IPC分类号： H05K9/00 , B32B27/18 , C01G23/00
CPC分类号： H05K9/0088 , B82Y25/00 , C01G23/003 , C01G23/005 , C01G45/006 , C01G51/006 , C01G53/006 , C01P2002/52 , C01P2002/84 , C01P2004/24 , C01P2006/42 , C04B35/462 , C04B2235/3201 , C04B2235/3272 , C04B2235/3275 , H01F10/007 , H01F10/193 , H05K9/0096 , Y10T428/265

6. 发明专利

JP4831629B2 Magnetic artificial superlattice and a method of manufacturing the same 有权
公开(公告)号：JP4831629B2
公开(公告)日：2011-12-07
申请号：JP2007550195
申请日：2006-12-13
申请人：独立行政法人物質・材料研究機構
发明人：高義佐々木 , 実長田
IPC分类号： H01F10/32 , G02B27/28 , G02F1/09 , G11B5/64 , G11B5/673 , G11B5/842 , G11B11/105 , H01F10/18 , H01F41/24
CPC分类号： H01F41/302 , B82Y10/00 , B82Y25/00 , B82Y40/00 , G02F1/0036 , G02F1/093 , H01F10/3231 , Y10T156/10 , Y10T428/1129 , Y10T428/325

7. 发明专利

JP4635250B2 Fluorescent material, manufacturing method thereof and a light-emitting device 有权
公开(公告)号：JP4635250B2
公开(公告)日：2011-02-23
申请号：JP2004285812
申请日：2004-09-30
申请人：独立行政法人物質・材料研究機構
发明人：シンハオ , マルンチー , 高義佐々木 , 保夫海老名
IPC分类号： C09K11/67 , C09K11/08 , C09K11/57 , H01J11/22 , H01J11/24 , H01J11/34 , H01J11/42

8. 发明专利

JPWO2008126624A1 非鉛系磁性光学素子とその製造方法有权
公开(公告)号：JPWO2008126624A1
公开(公告)日：2010-07-22
申请号：JP2009509014
申请日：2008-03-13
申请人：独立行政法人物質・材料研究機構
发明人：実長田 , 実長田 , 佐々木　高義 , 高義佐々木
IPC分类号： G02F1/09 , B82B1/00 , H01F10/10
CPC分类号： G02F1/093 , G11B5/65 , G11B11/10541 , G11B11/10582 , G11B11/10584 , G11B11/10586 , H01F10/193
摘要：チタン格子位置に2種以上の異なる磁性元素を同時置換した層状チタン酸化物を単層剥離して得られる磁性元素同時置換チタニアナノシートからなる磁性ナノ薄膜を用いたことを特徴とする非鉛系磁性光学素子が開示されている。この非鉛系磁性光学素子は、単体として紫外光から近赤外光の広い波長領域で高い磁気光学効果を有する。

9. 发明专利

JPWO2008078652A1 誘電体素子とその製造方法有权
公开(公告)号：JPWO2008078652A1
公开(公告)日：2010-04-22
申请号：JP2008551070
申请日：2007-12-20
申请人：独立行政法人物質・材料研究機構
发明人：実長田 , 実長田 , 海老名　保男 , 保男海老名 , 佐々木　高義 , 高義佐々木
IPC分类号： H01L21/314 , H01L21/283 , H01L21/288 , H01L21/316 , H01L21/822 , H01L21/8242 , H01L27/04 , H01L27/108 , H01L27/28 , H01L29/78 , H01L51/05
CPC分类号： H01L27/10873 , C04B35/016 , C04B35/462 , C04B35/495 , C04B2235/3201 , C04B2235/3203 , C04B2235/3208 , C04B2235/3213 , C04B2235/3215 , C04B2235/3224 , C04B2235/3227 , C04B2235/3251 , C04B2235/3262 , C04B2235/3281 , C04B2235/3284 , C04B2235/3296 , C04B2235/764 , H01G4/1209 , H01G4/33 , H01L21/31691 , H01L27/1085 , H01L28/55 , H01L29/513 , H01L29/517 , Y10T156/10
摘要：誘電体薄膜がペロブスカイトナノシートの層よりなる誘電体素子を提供する。これによって、ペロブスカイトナノシートの有する独自の物性および高い組織、構造制御性を活用することができ、ナノ領域において高い誘電率と良好な絶縁特性を同時に実現することができる。

10. 发明专利

JPWO2007094244A1 ナノ超薄膜誘電体とその製造方法及びナノ超薄膜誘電体素子有权
公开(公告)号：JPWO2007094244A1
公开(公告)日：2009-07-02
申请号：JP2008500468
申请日：2007-02-08
申请人：独立行政法人物質・材料研究機構
发明人：実長田 , 実長田 , 佐々木　高義 , 高義佐々木
IPC分类号： H01L21/316 , H01G4/33
CPC分类号： H01L21/316 , B82Y10/00 , C09D1/00 , H01L21/28167 , H01L27/10873 , H01L28/40 , H01L29/517 , Y10T156/10
摘要：主として、層状チタン酸化物を剥離して得られたチタン酸化物のナノシート単体もしくはその積層をもって構成されているナノ超薄膜誘電体で、ナノ領域において高い誘電率と良好な絶縁特性を同時に実現し、かつ、基板界面劣化、組成ズレの影響の少ない低温での誘電体素子作成を可能とする。

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