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1. 发明专利

JP2017116677A レジスト組成物、レジストパターン形成方法、酸発生剤成分及び化合物审中-公开
公开(公告)号：JP2017116677A
公开(公告)日：2017-06-29
申请号：JP2015250578
申请日：2015-12-22
申请人：東京応化工業株式会社 , Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd
发明人： NAGAMINE TAKASHI , ENDO KOTARO , IKUKAWA TOMOHIRO
IPC分类号： G03F7/004 , C07D493/08 , C08F220/28 , C09K3/00 , G03F7/038 , G03F7/039
CPC分类号： G03F7/0045 , C07C211/63 , C07C321/28 , C07C323/20 , C07C2103/74 , C07D493/08 , G03F7/0046 , G03F7/038 , G03F7/0397 , G03F7/091 , G03F7/162 , G03F7/168 , G03F7/2041 , G03F7/325 , G03F7/38
摘要：【課題】リソグラフィー特性がより優れたレジスト組成物、及び該レジスト組成物を用いたレジストパターン形成方法を提供する。【解決手段】露光により酸を発生し、かつ、酸の作用により現像液に対する溶解性が変化するレジスト組成物であって、酸の作用により現像液に対する溶解性が変化する基材成分(A)と、露光により酸を発生する酸発生剤成分(B)と、を含有し、酸発生剤成分(B)は、一般式(b1)で表される化合物(B1)を含むことを特徴とする。一般式(b1)中、Rb1は、極性基を含む炭素数7〜30の有橋脂環式基を表す。Yb1は、置換基(但し、芳香族炭化水素基及びビニル基からなる群より選択される置換基を除く)を有していてもよい、炭素数9以上の直鎖状炭化水素基を表す。Vb1は、フッ素化アルキレン基を表す。mは1以上の整数であって、Mm+はm価の有機カチオンを表す。[化1]【選択図】なし

2. 发明专利

JP2014238557A 溶剤現像ネガ型レジスト組成物、レジストパターン形成方法有权
标题翻译：溶剂型负极组合物和形成耐药性图案的方法
公开(公告)号：JP2014238557A
公开(公告)日：2014-12-18
申请号：JP2013122142
申请日：2013-06-10
申请人：東京応化工業株式会社 , Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd
发明人： IKUKAWA TOMOHIRO , TSUNODA RIKITA , SUZUKI YUSUKE , YOKOYA JIRO
IPC分类号： G03F7/038 , C08F220/18 , G03F7/004 , G03F7/039 , H01L21/027
CPC分类号： G03F7/038 , G03F7/0045 , G03F7/0046 , G03F7/0048 , G03F7/0397 , G03F7/325
摘要：【課題】溶剤現像ネガ型レジスト組成物及びパターン形成方法の提供。【解決手段】酸の作用により有機溶剤に対する溶解性が減少する基材成分(A)と、酸解離定数(pKa)が2.0以上の酸を発生する光崩壊性クエンチャー(D0)と、下記一般式(f0−1)で表される構成単位(f0−1)又は(f0−2)で表される構成単位(f0−2)を有する含フッ素高分子化合物(f)を含むフッ素添加剤(F)とを含有することを特徴とする溶剤現像ネガ型レジスト組成物。[式中、Rは水素原子、炭素数1〜5のアルキル基または炭素数1〜5のハロゲン化アルキル基であり、Rf1はフッ素原子を含む脂肪族炭化水素基である。][化1]【選択図】なし
摘要翻译：要解决的问题：提供溶剂显影负性抗蚀剂组合物和形成图案的方法。溶剂显影负性抗蚀剂组合物包含：与有机溶剂的溶解度降低的基材成分（A）通过酸的作用; 产生酸解离常数（pKa）为2.0以上的酸的光可降解猝灭剂（D0）和含有具有下述通式（f0-1）表示的结构单元（f0-1）的含氟聚合物（f）或由通式（f0-1）表示的结构单元（f0-2））的氟添加剂（F）（f0-2）。式中，R表示氢原子，碳原子数1〜5的烷基或碳原子数1〜5的卤代烷基，并且R表示含有氟原子的脂族烃基。

3. 发明专利

JP2014085412A Resist composition and resist pattern formation method 有权
标题翻译：电阻组合和电阻形成方法
公开(公告)号：JP2014085412A
公开(公告)日：2014-05-12
申请号：JP2012232370
申请日：2012-10-19
申请人： Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd , 東京応化工業株式会社
发明人： IKUKAWA TOMOHIRO
IPC分类号： G03F7/004 , C07C381/12 , C09K3/00 , G03F7/038 , G03F7/039 , H01L21/027
CPC分类号： G03F7/0382 , G03F7/0045 , G03F7/0392 , G03F7/0397 , G03F7/20
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a resist composition that can bring about a resist pattern having the roughness more reduced and having an excellent mask reproducibility in resist pattern formation.SOLUTION: The resist composition is a resist composition which generates acid upon exposure and whose solubility in respect to a developer changes in accordance with the action from acid, and it contains a base material component (A) whose solubility in respect to a developer changes in accordance with the action from acid, and an acid generator component (B) which generates acid upon exposure, and the invention is characterized in that the base material component (A) contains a polymeric compound (A1) having a constitutional unit (a0) which is a constitutional unit comprising acid decomposable group whose polarity increases by the action from acid and comprising lactone-containing cyclic group, -SO-containing cyclic group or carbonate-containing cyclic group, and the acid generator component (B) contains an acid generator (B1) comprising of a compound having a nitrogen atom with proton acceptor property and an acid generating portion that generates acid upon exposure within the same molecule.
摘要翻译：要解决的问题：提供一种抗蚀剂组合物，其可以产生具有更小的粗糙度并且在抗蚀剂图案形成中具有优异的掩模再现性的抗蚀剂图案。溶胶：抗蚀剂组合物是在曝光时产生酸并且其溶解度关于显影剂根据酸的作用而发生变化，并且其含有相对于显影剂的溶解度根据酸的作用而变化的基材组分（A）和产生酸的产生剂组分（B）本发明的特征在于，所述基材成分（A）含有具有结构单元（a0）的高分子化合物（A1），所述结构单元（a0）是包含酸分解性基团的结构单元，所述结构单元的极性通过酸的作用而增加，含有内酯的环状基团，含-SO的环状基团或含碳酸酯的环状基团，和酸发生剂组合物 nt（B）含有由具有质子受体特性的氮原子的化合物和在同一分子内暴露时产生酸的酸产生部分的酸发生剂（B1）。

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