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1. 发明专利

JP2014207340A 焼成方法及び焼成装置审中-公开
标题翻译：燃烧装置和燃烧方法
公开(公告)号：JP2014207340A
公开(公告)日：2014-10-30
申请号：JP2013084380
申请日：2013-04-12
申请人：東京エレクトロン株式会社 , Tokyo Electron Ltd
发明人： NISHIBAYASHI TAKAHIRO
IPC分类号： H01L21/288 , H01L21/28 , H01L21/336 , H01L21/368 , H01L29/786 , H05K3/12
CPC分类号： H05K3/1283 , H01L51/0022 , H01L51/0097 , H05K2203/1476
摘要：【課題】電子デバイスのインクのパターンを焼成する際、基板へのダメージを低減する。【解決手段】電子デバイスのインクのパターンの焼成方法であって、ランプから複数の波長帯を含む光を前記被印刷体に照射し、該被印刷体に塗布されたインクのパターンを焼成する第1の焼成ステップと、前記第1の焼成ステップによる光の照射後に、再び前記ランプから複数の波長帯を含む光を前記被印刷体に照射し、該被印刷体に塗布されたインクのパターンを焼成する第2の焼成ステップと、を有し、前記第2の焼成ステップは、1回又は2回以上繰り返される。【選択図】図7
摘要翻译：要解决的问题：当电子设备的油墨图案被燃烧时减少对基板的损坏。解决方案：电子设备的油墨图案的燃烧方法包括：第一燃烧步骤，其中包括多个波长范围的光从一个灯到印刷体以燃烧施加到印刷体上的油墨图案; 以及第二燃烧步骤，其中包括多个波长范围的光从灯辐射到印刷体，以在第一燃烧步骤中在照射光线之后燃烧施加到印刷体上的油墨图案。第二次燃烧步骤重复一次或多次。

2. 发明专利

JP2011181631A Method of activating surface, program, computer storage medium, and surface-activating apparatus 审中-公开
标题翻译：激活表面，程序，计算机存储介质和表面活化装置的方法
公开(公告)号：JP2011181631A
公开(公告)日：2011-09-15
申请号：JP2010043358
申请日：2010-02-26
申请人： Tokyo Electron Ltd , 東京エレクトロン株式会社
发明人： NISHIBAYASHI TAKAHIRO , HIROSE KEIZO
IPC分类号： H01L21/02 , H01L21/3065
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To appropriately activate the surfaces of substrates when bonding the substrates to each other. SOLUTION: A processing unit 70 of the surface activation apparatus includes a radical generation unit 80 for generating radicals, by making a processed gas excited by plasma and a processing unit 81 for activating surfaces W U1 , W L1 of wafers W U , W L by the radicals generated by the radical generating unit 80. The processing unit 81 includes: a processing vessel 120 for storing the wafers W U , W L , a radical supply port 131 for supplying radicals into the processing vessel 120; a heat-treatment plate 140 provided at a lower portion of the radical supply port 131 and placing the wafers W U , W L for heat treatment; and a radical introduction plate 150, that is provided to divide the inside of the processing vessel 120 into a radical supply region R1 at a side of the radical supply port 131 and a processing region R2, at a side of the heat-treatment plate 140 and introduces the radicals from the radical supply region R1 to the processing region R2. COPYRIGHT: (C)2011,JPO&INPIT
摘要翻译：要解决的问题：当将基板彼此接合时，适当地激活基板的表面。解决方案：表面激活装置的处理单元70包括：通过制造由等离子体激发的处理气体和用于激活表面W U1 的处理单元81产生自由基的自由基产生单元80，由自由基产生单元80产生的自由基的晶片W U ，W L 的W L1 。处理单元81包括：处理容器 120，用于存储晶片W U L ，用于将自由基供给到处理容器120中的自由基供给口131; 设置在自由基供给口131的下部并且放置用于热处理的晶片W U L 的热处理板140; 和自由基引入板150，其被设置成将处理容器120的内部分割成在自由基供给口131的一侧的自由基供给区域R1和处理区域R2，在热处理板140的一侧并将自由基供给区域R1的基团引入到处理区域R2。版权所有（C）2011，JPO＆INPIT

3. 发明专利

JP2004186682A Device for forming insulating film 有权
公开(公告)号：JP2004186682A
公开(公告)日：2004-07-02
申请号：JP2003387472
申请日：2003-11-18
申请人： Tokyo Electron Ltd , 東京エレクトロン株式会社
发明人： NISHIBAYASHI TAKAHIRO
IPC分类号： B05D5/12 , B05C9/12 , B05C11/08 , H01L21/31 , H01L21/677 , H01L21/68 , H01L21/768
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To enhance effectiveness of transporting by making the occupancy of a device small in an insulating film forming device, in which an insulating film is formed on a substrate, for example on a wafer. SOLUTION: An insulating film forming device is composed of a first treatment tower T1 and a second treatment tower T2, constituted by mutually laminating a coating unit 26 for coating a coating liquid on a wafer including an insulating film forming material, a temperature-regulating unit 25 for regulating the wafer to a specified temperature before being coated with the coating liquid, and a baking unit 28 for heating the wafer coated with the coating liquid, and the wafer is transferred to each processing unit of the treatment towers T1 and T2 by a substrate transfer means 24. The wafer is sequentially subjected to a series of processings by a plurality of processing units of each processing tower T1 and T2, whereby the insulating film is formed on the wafer. In this way, since the processing unit is thus collected, the fractional occupancy of the device is made small, effectiveness of transfer is enhanced. COPYRIGHT: (C)2004,JPO&NCIPI

4. 发明专利

JP2003338499A Method and system for forming film 审中-公开
标题翻译：形成薄膜的方法和系统
公开(公告)号：JP2003338499A
公开(公告)日：2003-11-28
申请号：JP2002145239
申请日：2002-05-20
申请人： Tokyo Electron Ltd , 東京エレクトロン株式会社
发明人： NISHIBAYASHI TAKAHIRO
IPC分类号： G03F7/38 , B05C9/14 , B05D3/02 , H01L21/02 , H01L21/31 , H01L21/316 , H01L21/768
CPC分类号： H01L21/02107 , H01L21/02203 , H01L21/02282 , H01L21/02337 , H01L21/31637 , H01L21/31695 , H01L28/40
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a method and a system for forming an insulation film of good quality by performing an appropriate heat treatment, e.g. formation of a molecular skeletal, hardening, and the like, of the insulation film on a substrate at respective stages.
SOLUTION: The insulation film is applied onto the substrate W and heat treated in a chamber 42 under a pressure higher than the normal pressure and then cured in another chamber under a pressure lower than the normal pressure. A good molecular skeleton can thereby be formed by preventing detachment of porodiene from the insulation film during the heat treatment and an insulation film of good quality can be formed by bake hardening the insulation film through curing.
COPYRIGHT: (C)2004,JPO
摘要翻译：要解决的问题：提供一种通过进行适当的热处理来形成质量好的绝缘膜的方法和系统，例如，在各个阶段在基板上形成绝缘膜的分子骨架，硬化等。解决方案：将绝缘膜施加到基板W上，并在高于常压的压力下在室42中进行热处理，然后在低于常压的压力下在另一个室中固化。因此，可以通过防止热处理期间绝缘膜上的多异戊烯脱离而形成良好的分子骨架，通过固化烘烤硬化绝缘膜，可以形成质量好的绝缘膜。版权所有（C）2004，JPO

5. 发明专利

JP2011187716A Joining system, joining method, program, and computer memory media 有权
标题翻译：接合系统，接合方法，程序和计算机记忆媒体
公开(公告)号：JP2011187716A
公开(公告)日：2011-09-22
申请号：JP2010051911
申请日：2010-03-09
申请人： Tokyo Electron Ltd , 東京エレクトロン株式会社
发明人： NISHIBAYASHI TAKAHIRO , IWASHITA TAIJI , TAMURA TAKESHI , KITAYAMA MASUNARI
IPC分类号： H01L21/02
CPC分类号： H01L21/187 , H01L21/67092 , H01L21/67109 , H01L21/6715 , H01L21/67167 , H01L21/67184 , H01L21/67288 , H01L21/67748 , H01L21/68 , Y10T156/10 , Y10T156/14 , Y10T156/17
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To improve the throughput of substrate joining processing while suitably joining substrates to each other. SOLUTION: A joining system 1 includes a carry-in/out station 2 which holds a plurality of wafers W U and W L and a plurality of stacked wafers W T , and carries the wafers W U and W L and stacked wafers W T in and out of a processing station 3, and the processing station 3 which processes the wafers W U and W L as specified to bond the wafers W U and W L together. The processing station 3 includes a surface activating device 30 which activates surfaces of the wafers W U and W L , a device 40 for making a surface hydrophilic which makes the surfaces of the wafers W U and W L hydrophilic and cleans them, a joining device 41 which joins the wafers W U and W L together, and a transfer region 60 for transferring the wafers W U and W L and the stacked wafers W T to the surface activating device 30, device 40 for making a surface hydrophilic and joining device 41. COPYRIGHT: (C)2011,JPO&INPIT
摘要翻译：要解决的问题：为了在适当地接合基板的同时提高基板接合处理的生产量。解决方案：接合系统1包括保持多个晶片W＆lt; SB＆gt;和＆lt; SB＆gt; L＆lt; SB＆gt;和多个堆叠晶片W的进/出站2 ＆lt; SB＆gt; T＆lt; SB＆gt;中，并且将晶片W＆lt; SB＆gt;和＆lt; SB＆gt; L＆lt; SB＆gt;和层叠晶片W＆lt; SB＆gt; 站3以及处理站3，其处理晶片W U 和W L ，以将晶片W U →在一起。处理站3包括启动晶片W U 和W L 的表面的表面启动装置30，用于使表面亲水的装置40，其使得晶片W＆lt; SB＆gt; U＆lt; SB＆gt;和＆lt; SB＆gt; L＆lt; / SB＆gt;亲水化并清洗它们;接合装置41将晶片W＆ SB>和用于将晶片W U 和W L 和堆叠晶片W T 转移到表面激活装置的转移区域60 30，用于制造表面亲水的装置40和接合装置41.版权所有（C）2011，JPO＆INPIT

6. 发明专利

JP2011181633A Joining device 有权
标题翻译：加工设备
公开(公告)号：JP2011181633A
公开(公告)日：2011-09-15
申请号：JP2010043380
申请日：2010-02-26
申请人： Tokyo Electron Ltd , 東京エレクトロン株式会社
发明人： NISHIBAYASHI TAKAHIRO , KITAYAMA MASUNARI , YOSHITAKA NAOTO
IPC分类号： H01L21/02 , H01L21/60
CPC分类号： H01L21/67092 , H01L21/187
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To appropriately and efficiently join substrates, while suppressing the occurrence of voids between the substrates. SOLUTION: A conveyance region T1 and a processing region T2 are formed in a joining apparatus 41. The conveyance region T1 includes: a wafer conveying body 82 for conveying wafers W U , W L , and a superposed wafer W T; a position adjustment mechanism 90 for adjusting the orientation of a horizontal direction of the wafers W U , W L; and an inverting mechanism 130 for inverting the front and rear of the upper wafer W U . The processing region T2 includes: a lower chuck 100 for placing the lower wafer W L on an upper surface for holding; an upper chuck 101 for holding the upper wafer W U on a lower surface; and a pressing member 120 for allowing one edge of the lower wafer W L to abut on one edge of the upper wafer W U for pressing when the wafers W U , W L are joined. COPYRIGHT: (C)2011,JPO&INPIT
摘要翻译：要解决的问题：为了适当且有效地接合基板，同时抑制基板之间的空隙的发生。
解决方案：输送区域T1和处理区域T2形成在接合装置41中。输送区域T1包括：用于输送晶片W的晶片输送体82，W L＆lt; SB＆gt;和叠加晶片W＆lt; SB＆gt;＆lt; / SB＆gt;用于调整晶片W的水平方向的位置调整机构90， L; 和用于反转上晶片W U 的前后的翻转机构130。处理区域T2包括：用于将下晶片W L 放置在用于保持的上表面的下卡盘100; 用于将上晶片W U 保持在下表面上的上卡盘101; 以及用于使晶片W U 的一个边缘抵靠在上晶片W U 的一个边缘上的按压构件120，用于在晶片W < ，W L 连接。版权所有（C）2011，JPO＆INPIT

7. 发明专利

JP2014205310A パターン形成方法、転写方法及び印刷システム审中-公开
标题翻译：图案形成方法，传送方法和打印系统
公开(公告)号：JP2014205310A
公开(公告)日：2014-10-30
申请号：JP2013084381
申请日：2013-04-12
申请人：東京エレクトロン株式会社 , Tokyo Electron Ltd
发明人： NISHIBAYASHI TAKAHIRO
IPC分类号： B41M1/02 , B41F17/14
摘要：【課題】インクを用いた電子デバイス用のパターン形成後のメンテナンスを容易にする。【解決手段】インクが塗布された被塗布材に凸版を押圧することにより、電子デバイス用の所定のパターンを形成するパターン形成方法であって、前記凸版のパターンが形成された面と、前記被塗布材のインクが塗布された面とを平板状で対向させ、前記対向させた凸版の面と被塗布材の面とを平板状で接触させ、該被塗布材に残置したインクによって前記所定のパターンを形成する、ことを特徴とするパターン形成方法が形成される。【選択図】図1
摘要翻译：要解决的问题：为了便于在通过使用墨水形成电子设备的图案之后的维护。解决方案：所提供的图案形成方法是用于通过将凸版压印到一个电子设备上形成用于电子设备的指定图案的图案形成方法涂覆有油墨的涂覆目标材料，其中已经形成图案的凸版的表面和涂覆有油墨的涂覆目标材料的表面彼此相对定位，其中凸版和表面的表面彼此相对的涂覆目标材料在平面上接触，以便在涂料目标材料上形成指定的图案，其中墨水留在其上。

8. 发明专利

JP2013232685A Bonding apparatus 审中-公开
标题翻译：绑定装置
公开(公告)号：JP2013232685A
公开(公告)日：2013-11-14
申请号：JP2013154753
申请日：2013-07-25
申请人： Tokyo Electron Ltd , 東京エレクトロン株式会社
发明人： NISHIBAYASHI TAKAHIRO , KITAYAMA MASUNARI , YOSHITAKA NAOTO
IPC分类号： H01L21/02 , H01L21/60 , H01L21/68 , H01L21/683
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To appropriately and efficiently perform bond between substrates, while suppressing occurrence of voids between the substrates.SOLUTION: A conveyance region T1 and a processing region T2 are formed in a bonding apparatus 41. The conveyance region T1 comprises: a wafer conveying body 82 for conveying wafers Wand W, and a superposed wafer W; a position adjustment mechanism 90 for adjusting orientation of a horizontal direction of the wafers Wand W; and an inverting mechanism 130 for inverting front and rear surfaces of the upper wafer W. The processing region T2 comprises: a lower chuck 100 for placing the lower wafer Won an upper surface for holding; an upper chuck 101 for holding the upper wafer Won a lower surface; and a pressing member 120 for allowing one place of the lower wafer Wto abut on one place of the upper wafer Wfor pressing when the wafers Wand Ware bonded.
摘要翻译：要解决的问题：适当且有效地进行基板之间的结合，同时抑制基板之间的空隙的发生。解决方案：输送区域T1和处理区域T2形成在接合装置41中。输送区域T1包括：晶片用于输送晶片Wand的输送体82和叠置的晶片W; 位置调整机构90，用于调整晶片W，W的水平方向的取向; 以及用于反转上晶片W的前表面和后表面的反转机构130.处理区域T2包括：下卡盘100，用于将下晶片放置在用于保持的上表面; 用于将上晶片保持在下表面的上卡盘101; 以及用于允许下晶片W的一个位置抵靠上晶片W的一个位置的压制构件120，用于当晶片Wand Ware粘合时进行压制。

9. 发明专利

JP2012049266A Joint system, joint method, program and computer-storable medium 审中-公开
标题翻译：联合系统，联合方法，程序和计算机可存储介质
公开(公告)号：JP2012049266A
公开(公告)日：2012-03-08
申请号：JP2010188803
申请日：2010-08-25
申请人： Tokyo Electron Ltd , 東京エレクトロン株式会社
发明人： NISHIBAYASHI TAKAHIRO
IPC分类号： H01L21/02 , H01L27/00
CPC分类号： H01L21/6838 , H01L21/67092 , H01L21/67109 , H01L21/6715 , H01L21/67748 , H01L21/6831
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To enhance the throughput of substrate joint processing with properly joining substrates.SOLUTION: In a joint system, the surface of a wafer is activated by using plasma of processing gas in a surface activating device (steps S2, S9) under the state that the wafer is electrostatically attracted to a lower electrode (steps S1, S8), the electrostatic attraction of the wafer to the lower electrode is stopped (steps S3, S10), and then the wafer is electrically neutralized by using plasma of neutralizing gas (steps S4, S11). Thereafter, in a surface hydrophilic device, the surface of the wafer is made hydrophilic (steps S5, S12). In a joint device, wafers whose surfaces are activated and made hydrophilic are joined to each other by Van der Waals' forces and hydrogen bond (steps S6, S7, S13 to S17).
摘要翻译：要解决的问题：通过适当地接合基板来提高基板接合处理的吞吐量。解决方案：在接合系统中，在晶片被静电吸引到下电极的状态下，通过使用表面激活装置中的处理气体的等离子体（步骤S2，S9）来激活晶片的表面（步骤S1 ，S8），停止晶片对下电极的静电吸引（步骤S3，S10），然后通过使用中和气体的等离子体对晶片进行电中和（步骤S4，S11）。此后，在表面亲水装置中，使晶片的表面亲水化（步骤S5，S12）。在接合装置中，其表面被激活并制成亲水的晶片通过范德华力和氢键彼此接合（步骤S6，S7，S13至S17）。版权所有（C）2012，JPO＆INPIT

10. 发明专利

JP2011181632A Joining method, program, and computer recording medium 审中-公开
标题翻译：接口方法，程序和计算机记录介质
公开(公告)号：JP2011181632A
公开(公告)日：2011-09-15
申请号：JP2010043371
申请日：2010-02-26
申请人： Tokyo Electron Ltd , 東京エレクトロン株式会社
发明人： NISHIBAYASHI TAKAHIRO , HIROSE KEIZO , YOSHITAKA NAOTO , KITAYAMA MASUNARI
IPC分类号： H01L21/02
CPC分类号： H01L21/67092 , H01L21/187
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To appropriately and efficiently join substrates, while suppressing the occurrence of a void between the substrates.
SOLUTION: An upper wafer and a lower wafer are subjected to surface activation (processes S1, S5), and surface hydrophilicity-impartation and cleaning (processes S2, S6) for conveying to a joining device. In the joining device, the orientation of a horizontal direction of an upper wafer and a lower wafer is adjusted (processes S3, S7) for holding by an upper chuck and a lower chuck. In this case, the front and rear of the upper wafer are inverted (process S4). After that, a position in a horizontal direction of the lower wafer and the upper wafer is adjusted (process S8), and then the lower wafer and the upper wafer are disposed mutually against, at a prescribed interval (process S9). Then, one edge of the lower wafer is allowed to abut on one edge of the upper wafer (process S10). Then, while one edge of the lower wafer and one edge of the upper wafer are pressed, the upper wafer is allowed to successively abut on the lower wafer from one edge of the upper wafer toward the other edge side, thus joining the upper and lower wafers (process S11).
COPYRIGHT: (C)2011,JPO&INPIT
摘要翻译：要解决的问题：为了适当且有效地接合基板，同时抑制基板之间的空隙的发生。解决方案：上晶片和下晶片进行表面激活（工艺S1，S5）和表面亲水性赋予和清洁（处理S2，S6），用于输送到接合装置。在接合装置中，调整上晶片和下晶片的水平方向的取向（用于由上卡盘和下卡盘保持的工序S3，S7）。在这种情况下，上晶片的前后反转（处理S4）。之后，调整下晶片和上晶片的水平方向的位置（处理S8），然后以规定的间隔将下晶片和上晶片相对配置（处理S9）。然后，允许下晶片的一个边缘邻接上晶片的一个边缘（处理S10）。然后，当下晶片的一个边缘和上晶片的一个边缘被按压时，允许上晶片从上晶片的一个边缘朝向另一边缘侧连续地抵接在下晶片上，从而连接上和下晶片（工艺S11）。版权所有（C）2011，JPO＆INPIT

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