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1. 发明专利

JP2017021998A プラズマ処理装置审中-公开
标题翻译：的等离子体处理装置
公开(公告)号：JP2017021998A
公开(公告)日：2017-01-26
申请号：JP2015139019
申请日：2015-07-10
申请人：東京エレクトロン株式会社 , 株式会社東北テクノアーチ
发明人：野沢俊久 , 茂山和基 , 美山遼 , 寒川誠二
IPC分类号： H01L21/3065 , H01L21/302 , H01L21/205 , H01L21/31 , C23C16/511 , H05H1/46
CPC分类号： C23C16/50 , H01J37/32422 , H01J37/3244 , H01J37/32467
摘要：【課題】仕切り板の消耗および被処理体の汚染を抑制する。【解決手段】プラズマ処理装置10は、処理容器12と、仕切り板40とを有する。仕切り板40は、絶縁性の材料で形成され、複数の開口40hを有し、処理容器12内をプラズマ生成室S1と処理室S2とに仕切る。また、仕切り板40の処理室S2側の面には、導電性の材料で形成された導電性部材40aが設けられる。導電性部材40aには、交流電圧、または、プラズマ生成室S1からそれぞれの開口40hを介して処理室S2へ導く荷電粒子の極性と逆の極性の直流電圧の少なくともいずれかの電圧が印加される。【選択図】図1
摘要翻译：本发明涉及抑制待处理的分隔板的浪费和物体的污染。一种等离子体处理装置10包括处理容器12，和一个分隔板40。分隔板40被具有多个开口40H的绝缘材料形成，所述处理腔室12分割以将处理腔室S2与等离子体生成室S1。另外，分隔板40，其由导电性材料的导电构件40a的形成的处理腔室S2侧的表面上设置。导电体40a，交流电压，或带电粒子的直流电压的极性相反的极性的电压中的至少一个被施加到通过各个开口40H从等离子体生成室S1至处理腔室S2导致。点域1

2. 发明专利

JP2017195407A プラズマ処理装置审中-公开
公开(公告)号：JP2017195407A
公开(公告)日：2017-10-26
申请号：JP2017132974
申请日：2017-07-06
申请人：東京エレクトロン株式会社
发明人：野沢俊久
IPC分类号： C23C16/44 , H05H1/46 , H01L21/31
摘要：【課題】基板が帯電している場合であっても、基板から昇降ピンを引き離す。【解決手段】リフトアーム15の上方に、所定の間隔、離して他のリフトアーム150を設け、他のリフトアーム150により昇降ピン14をウェハWから引き離すようにする。昇降ピン14の下端部14bは昇降ピン14の外径よりも太い係止部である。他のリフトアーム150は、昇降ピン14の下端部14bと係止するように形成する。昇降ピン14を上昇させる際には、リフトアーム15により昇降ピン14の下端部14bを上方に押すことで昇降ピン14を上昇させ、昇降ピン14を下降させる際には、他のリフトアーム150の下面に下端部14bを係止させ、その状態で他のリフトアーム150を下降させることで、他のリフトアーム150により昇降ピン14を押し下げる。【選択図】図7

3. 发明专利

JP2015082546A プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法审中-公开
标题翻译：等离子体加工设备和等离子体处理方法
公开(公告)号：JP2015082546A
公开(公告)日：2015-04-27
申请号：JP2013218985
申请日：2013-10-22
申请人：東京エレクトロン株式会社
发明人：根本剛直 , 野沢俊久
IPC分类号： H01L21/318 , C23C16/455 , H05H1/46 , H01L21/31
CPC分类号： C23C16/45561 , C23C16/4408 , C23C16/45502 , C23C16/45519 , C23C16/511 , H01J37/32192 , H01J37/3244
摘要：【課題】プラズマ処理装置内の処理ガスを整流し、プラズマ処理を適切に行う。【解決手段】プラズマ処理装置1は、ウェハWを収容する処理容器10と、処理容器10の底面に設けられ、ウェハWを載置する載置台20と、処理容器10の天井面中央部に設けられ、当該処理容器10の内部に第1の処理ガスT1を供給する第1の処理ガス供給管60と、処理容器10の側面に設けられ、当該処理容器10の内部に第2の処理ガスT2を供給する第2の処理ガス供給管70と、処理容器10の側面であって、第2の処理ガス供給管70の上方に設けられ、処理容器10の内部に下方に向かう整流ガスRを供給する整流ガス供給管80と、処理容器10の内部にマイクロ波を放射するラジアルラインスロットアンテナ40と、を有する。【選択図】図2
摘要翻译：要解决的问题：通过对等离子体处理装置中的处理气体进行整流来适当地进行等离子体处理。解决方案：等离子体装置1包括：容纳晶片W的处理容器10; 设置在处理容器10的底面并安装晶片W的安装台20; 设置在处理容器10的顶面的中心的第一处理气体供给管60，并向处理容器10的内部供给第一处理气体T1; 设置在处理容器10的侧面并将第二处理气体T2供给到处理容器10的内部的第二处理气体供给管70; 设置在处理容器10的侧面和第二处理气体供给管70上方的整流气体供给管80，并且向处理容器10的内部供给整流气体R; 以及将微波照射到处理容器10的内部的径向线槽天线40。

4. 发明专利

JP6386632B2 プラズマ処理装置审中-公开
公开(公告)号：JP6386632B2
公开(公告)日：2018-09-05
申请号：JP2017132974
申请日：2017-07-06
申请人：東京エレクトロン株式会社
发明人：野沢俊久
IPC分类号： C23C16/44 , H05H1/46 , H01L21/31

5. 发明专利

JP2016058536A プラズマ処理装置及びクリーニング方法审中-公开
标题翻译：等离子体加工设备和清洁方法
公开(公告)号：JP2016058536A
公开(公告)日：2016-04-21
申请号：JP2014183425
申请日：2014-09-09
申请人：東京エレクトロン株式会社
发明人：野沢俊久
IPC分类号： H01L21/3065 , C23C16/44 , C23C16/50 , H01L21/31
CPC分类号： H01J37/3288 , H01J37/3244 , H01J37/32862
摘要：【課題】プラズマ処理装置の処理容器内の隅部に付着した膜を効率的に剥離させる。【解決手段】処理ガスをプラズマ化させてウェハWを処理するプラズマ処理装置1は、ウェハWを気密に収容する処理容器2と、処理容器2の底面に設けられ、ウェハWを載置するサセプタ10と、処理容器2内に処理ガスまたはパージガスの少なくともいずれかを供給するガス供給管50と、処理容器2内で処理ガスのプラズマを生成するラジアルラインスロットアンテナ3と、処理容器2内を、排気管22を介して排気する排気機構21と、処理容器2内の隅部に対して超音波振動を印加する超音波振動発生機構70と、を有する。【選択図】図1
摘要翻译：要解决的问题：有效地剥离附着在等离子体处理装置的处理容器中的角落的膜。解决方案：用于通过等离子体处理气体处理晶片W的等离子体处理装置1具有用于容纳晶片W气密地设置在设置在处理容器2的底面上的基座10，用于将处理气体和净化气体中的至少任一种供给到处理容器2中的气体供给管50，产生等离子体的径向线槽天线3 处理容器2中的处理气体的排气机构21，用于经由排气管22排出处理容器2的排气机构21，以及用于对处理容器2的角部施加超声波振动的超声波振动发生机构70.选择的图： 1

6. 发明专利

JP6156850B2 プラズマ処理装置及びプラズマ処理装置の部材の交換判断方法有权
公开(公告)号：JP6156850B2
公开(公告)日：2017-07-05
申请号：JP2014262848
申请日：2014-12-25
申请人：東京エレクトロン株式会社
发明人：野沢俊久
IPC分类号： H01L21/3065 , C23C16/44 , H05H1/46 , H01L21/31
CPC分类号： C23C16/455 , C23C16/4404 , H01J37/32477 , H01J37/32504 , H01J37/32559 , H01J37/32715 , H01J37/32853

7. 发明专利

JP2016092026A 成膜装置およびシャワーヘッド有权
标题翻译：沉积装置和淋浴头
公开(公告)号：JP2016092026A
公开(公告)日：2016-05-23
申请号：JP2014220479
申请日：2014-10-29
申请人：東京エレクトロン株式会社
发明人：岩▲崎▼ 征英 , 野沢俊久 , 山下晃平
IPC分类号： C23C16/455 , H01L21/31
CPC分类号： C23C16/45565 , C23C16/4584 , C23C16/52 , H01J37/3244 , H01J37/32449
摘要：【課題】載置台の回転中心から載置台の径方向における被処理基板の膜厚の均一性を向上させる。【解決手段】開示する成膜装置は、基板を載置し、軸線Xを中心に回転する載置台と、第1の領域において下面が載置台に対向するように設けられ、内部に第1および第2のバッファ空間を有するユニットUと、第1および第2のバッファ空間に供給される前駆体ガスの流量を独立に制御する流量制御器とを備える。ユニットUの下面には、第1のバッファ空間に連通し、第1のバッファ空間に供給された前駆体ガスを噴射する複数の噴射口16hを含む内側噴射部161aと、第2のバッファ空間に連通し、第2のバッファ空間に供給された前駆体ガスを噴射する複数の噴射口16hを含む中間噴射部162aとが設けられる。内側噴射部161aに含まれる噴射口16hは、いずれも、中間噴射部162aに含まれる噴射口16hよりも、軸線Xに近い位置に設けられる。【選択図】図6
摘要翻译：要解决的问题：为了提高处理基板在放置台的旋转中心的径向方向上的膜厚的均匀性。解决方案：沉积装置包括：放置台，其上放置基板，并且其中围绕轴线X旋转; 单元U被设置成使得底面在第一区域中面对放置台并且包括第一和第二缓冲空间; 以及流量控制器，其独立地控制要供给到第一和第二缓冲空间的前体气体的流动。在单元U的底面设置有内部喷射部161a和中间喷射部162a。内部喷射部分被传送到第一缓冲空间，并且包括多个喷射端口16h，用于喷射供给到第一缓冲空间的前体气体。中间喷射部分连通到第二缓冲空间，并且包括多个喷射端口16h，用于喷射供给到第二缓冲空间的前体气体。包括在内部喷射部161a中的所有喷射口16h设置在比包括在中间喷射部162a中的喷射口16h更靠近轴线X的位置。图示了图6

8. 发明专利

JP2015122355A 基板処理装置有权
标题翻译：基板加工设备
公开(公告)号：JP2015122355A
公开(公告)日：2015-07-02
申请号：JP2013264072
申请日：2013-12-20
申请人：東京エレクトロン株式会社
发明人：野沢俊久 , 齊藤武尚 , 山岸幸司
IPC分类号： C23C16/455 , H01L21/3065 , H01L21/31
CPC分类号： C23C16/345 , C23C16/45561 , C23C16/4558 , C23C16/511
摘要：【課題】基板処理装置の処理容器内に処理ガスを導入する際に、当該処理ガスが経由する拡散室内でのガスの流れを最適化することで、処理容器内に導入される処理ガスの均一化を行う。【解決手段】処理ガスにより被処理体を処理する基板処理装置であって、被処理体を収容する処理容器と、前記処理容器内に設けられ、被処理体を載置する載置部と、前記処理容器の側面に設けられ、当該処理容器の内部に処理ガスを供給する処理ガス供給部と、前記処理ガス供給部の外方に設けられる処理ガス拡散機構を備え、前記処理ガス拡散機構は多段に設けられた第1拡散室と第2拡散室から構成され、前記第1拡散室は前記第2拡散室の上方に位置し、これら第1拡散室と第2拡散室とは複数の処理ガス連通路を介して連通していることを特徴とする、基板処理装置が提供される。【選択図】図1
摘要翻译：要解决的问题：通过优化当处理气体被引入基板处理装置的处理容器中时处理气体通过的扩散室中的气体的流动来均匀化被引入处理容器中的工艺气体。解决方案：一种用于通过处理气体处理加工体的基板处理装置包括：处理容器，用于存储加工体; 设置在处理容器中的用于放置加工体的放置部; 处理气体供给部，其设置在处理容器的侧面上，用于将处理气体供给到处理容器的内部; 以及在处理气体供给部侧面设置的处理气体扩散机构。处理气体扩散机构包括形成多级的第一扩散室和第二扩散室。第一扩散室位于第二扩散室的上方，第一扩散室和第二室通过多个通信通道连通。

9. 发明专利

JP2015072885A プラズマ処理装置有权
标题翻译：等离子体加工装置
公开(公告)号：JP2015072885A
公开(公告)日：2015-04-16
申请号：JP2014001936
申请日：2014-01-08
申请人：東京エレクトロン株式会社
发明人：野沢俊久 , 吉川潤 , 会田倫崇 , 山▲崎▼ 政宏 , 齊藤武尚 , 鍛治文彦 , 山岸幸司
IPC分类号： H01L21/3065 , C23C16/511 , H05H1/46
CPC分类号： H01J37/32192 , H01J37/32229 , H01J37/3244
摘要：【課題】プラズマ化される処理ガスを供給するための経路の電界強度を低減すること。【解決手段】プラズマ処理装置は、処理空間を画成する処理容器と、プラズマ励起用のマイクロ波を発生するマイクロ波発生器とを備える。また、プラズマ処理装置は、処理空間を密閉するように処理容器に装着され、マイクロ波発生器によって発生されるマイクロ波を処理空間に導入する誘電体部材を備える。また、プラズマ処理装置は、誘電体部材の内部に設けられ、マイクロ波によりプラズマ化される処理ガスを誘電体部材に形成された貫通孔を介して処理空間に供給するインジェクタを備える。また、プラズマ処理装置は、誘電体部材の貫通孔を囲むようにインジェクタの内部に配置され、貫通孔に向けて誘電体部材の内部を伝搬するマイクロ波をインジェクタの内部側に導波する誘電体製の導波板を備える。【選択図】図2
摘要翻译：要解决的问题：提供一种等离子体处理装置，其能够降低用于供给待转化为等离子体的处理气体的路径的电场强度。解决方案：等离子体处理装置包括用于限定处理空间的处理容器，微波发生器其产生用于等离子体激发的微波，以及安装在处理容器上以密封处理空间并将由微波发生器产生的微波引入处理空间的电介质构件。等离子体处理装置还包括设置在电介质构件内的注入器，并且通过微波将处理气体通过形成在电介质构件中的通孔提供给处理空间。等离子体处理装置还包括电介质波导板，其布置在喷射器内部以围绕电介质构件的通孔，并将在电介质构件内部传播的微波朝向通孔引导至喷射器的内侧。

10. 发明专利

JP6062491B2 上部誘電石英板及びスロットアンテナの基本概念有权
标题翻译：上电介质石英板的基本概念和缝隙天线
公开(公告)号：JP6062491B2
公开(公告)日：2017-01-18
申请号：JP2015112213
申请日：2015-06-02
申请人：東京エレクトロン株式会社
发明人：ジエンピンチョウ , 野沢俊久
IPC分类号： H05H1/46 , C23C16/509 , H01L21/3065
CPC分类号： H01L21/67069 , H01J37/3211 , H01J37/32119 , H01J37/3222 , H01J37/32238

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