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1. 发明专利

JPWO2021090798A1 エッチング方法、プラズマ処理装置、処理ガス、デバイスの製造方法、プログラム、及び記憶媒体有权
公开(公告)号：JPWO2021090798A1
公开(公告)日：2021-11-25
申请号：JP2020041026
申请日：2020-11-02
申请人：東京エレクトロン株式会社
发明人：横山喬大 , 戸村幕樹 , 木原嘉英 , 須田隆太郎 , 大類貴俊
IPC分类号： H05H1/46 , H01L21/3065
摘要：開示されるエッチング方法は、プラズマ処理装置のチャンバ内に基板を準備する工程(a)を含む。基板はシリコン含有膜を含む。エッチング方法は、チャンバ内で処理ガスから形成されたプラズマからの化学種によりシリコン含有膜をエッチングする工程(b)を更に含む。処理ガスは、リン含有ガス、フッ素含有ガス、及び水素含有ガスを含む。水素含有ガスは、フッ化水素、H 2 、アンモニア、及び炭化水素からなる群から選択される少なくとも一つを含有する。

2. 发明专利

JP2021106228A エッチング方法及びエッチング装置审中-公开
公开(公告)号：JP2021106228A
公开(公告)日：2021-07-26
申请号：JP2019237331
申请日：2019-12-26
申请人：東京エレクトロン株式会社
发明人：須田隆太郎 , 戸村幕樹
IPC分类号： H01L21/3065
摘要：【課題】CD(Critical Dimension)の拡大を抑制しつつ、エッチングレートを向上させることができるエッチング方法及びエッチング装置を提供する。【解決手段】エッチング方法は、提供する工程と、設定する工程と、エッチングする工程とを有する。提供する工程は、シリコン酸化膜を含む被エッチング膜と、被エッチング膜の上に形成されたマスクとを有する基板を載置台上に提供する。設定する工程は、載置台の温度を0℃以下の温度となるように設定する。エッチングする工程は、フッ素、窒素及び炭素を含み、窒素の数に対するフッ素の数の比率F/Nが0.5〜10の範囲であるガスからプラズマを生成して、マスクを介してシリコン酸化膜をエッチングする。【選択図】図3

3. 发明专利

JP2020115498A エッチング方法およびエッチング装置审中-公开
公开(公告)号：JP2020115498A
公开(公告)日：2020-07-30
申请号：JP2019006032
申请日：2019-01-17
申请人：東京エレクトロン株式会社
发明人：熊倉翔 , 須田隆太郎
IPC分类号： H01L21/3065
摘要：【課題】反応生成物の影響によるエッチング不良の発生を抑制する技術を提供する。【解決手段】エッチング方法は、基板に形成されたシリコン含有膜又はメタル含有膜をエッチングする工程と、エッチングする工程中に基板に対して一時的に電磁波を照射して基板を加熱する工程と、を有する。【選択図】図5

4. 发明专利

JP6956288B2 基板処理方法、プラズマ処理装置、及びエッチングガス組成物有权
公开(公告)号：JP6956288B2
公开(公告)日：2021-11-02
申请号：JP2021046015
申请日：2021-03-19
申请人：東京エレクトロン株式会社
发明人：須田隆太郎 , 戸村幕樹
IPC分类号： H01L21/3065

5. 发明专利

JP2021090039A 基板処理方法及びプラズマ処理装置审中-公开
公开(公告)号：JP2021090039A
公开(公告)日：2021-06-10
申请号：JP2020154668
申请日：2020-09-15
申请人：東京エレクトロン株式会社
发明人：須田隆太郎 , 戸村幕樹
IPC分类号： H01L21/3065
摘要：【課題】プラズマエッチングにおいてマスクのエッチングに対するシリコンを含有する膜のエッチングの選択比を向上する技術を提供する。【解決手段】例示的実施形態に係る基板処理方法は、プラズマ処理装置のチャンバ内に基板を提供する工程を含む。基板は、シリコン含有膜及び該シリコン含有膜上に設けられたマスクを有する。基板処理方法は、チャンバ内において、フッ化水素ガスを含む第1の処理ガスからプラズマを生成する工程を更に含む。プラズマを生成する工程では、プラズマからの化学種により膜がエッチングされる。不活性ガスを除いた第1の処理ガスの全流量に対するフッ化水素ガスの流量は25体積%以上である。【選択図】図1

6. 发明专利

JP2022002337A 基板処理方法及びプラズマ処理装置审中-公开
公开(公告)号：JP2022002337A
公开(公告)日：2022-01-06
申请号：JP2021163469
申请日：2021-10-04
申请人：東京エレクトロン株式会社
发明人：須田隆太郎 , 戸村幕樹
IPC分类号： H01L21/3065
摘要：【課題】プラズマエッチングにおいてマスクのエッチングに対するシリコンを含有する膜のエッチングの選択比を向上する技術を提供する。【解決手段】例示的実施形態に係る基板処理方法は、プラズマ処理装置のチャンバ内に基板を提供する工程を含む。基板は、シリコン含有膜及びシリコン含有膜上に設けられたマスクを有する。基板処理方法は、基板が載置される基板支持体の温度を0℃以下に制御する工程をさらに含む。基板処理方法は、フッ化水素ガス、並びにフルオロカーボンガス及びハイドロフルオロカーボンガスからなる群から選択される少なくとも1種の炭素含有ガスを含む第1の処理ガスから生成したプラズマにより、シリコン含有膜をエッチングする工程をさらに含む。エッチングする工程では、プラズマからの化学種により膜がエッチングされる。不活性ガスを除いた第1の処理ガスの中でフッ化水素ガスの流量が最も多い。【選択図】図1

7. 发明专利

JP2021190692A ボーイングを抑制するための保護側壁層を形成する方法及び装置审中-公开
公开(公告)号：JP2021190692A
公开(公告)日：2021-12-13
申请号：JP2021066417
申请日：2021-04-09
申请人：東京エレクトロン株式会社
发明人：須田隆太郎 , 熊谷圭恵 , 戸村幕樹
IPC分类号： H01L27/11556 , H01L27/11582 , H01L21/336 , H01L29/788 , H01L29/792 , H01L21/3065
摘要：【課題】エッチング形状の側壁にボーイング作用を生じることなく、または低減した、高アスペクト比(HAR)エッチングを行うことができる方法および装置を提供する。【解決手段】基板をエッチングする方法は、基板をエッチングして凹部の第1の部分を基板に形成する第1工程を含む。凹部の第1の部分は底面及び側壁を含む。方法はまた、側壁内又は側壁上にケイフッ化アンモニウム(AFS)層を形成する第2工程と、次いで、底面をエッチングして凹部の第2の部分を形成する第3工程と、を含む。第3工程は、AFS層による側壁の保護を維持しながら実施される。【選択図】図6

8. 发明专利

JP2021174985A 基板処理方法、プラズマ処理装置、及びエッチングガス組成物有权
公开(公告)号：JP2021174985A
公开(公告)日：2021-11-01
申请号：JP2021046015
申请日：2021-03-19
申请人：東京エレクトロン株式会社
发明人：須田隆太郎 , 戸村幕樹
IPC分类号： H01L21/3065
摘要：【課題】プラズマエッチングにおいてマスクのエッチングに対するシリコンを含有する膜のエッチングの選択比を向上する技術を提供する。【解決手段】例示的実施形態に係る基板処理方法は、プラズマ処理装置のチャンバ内に基板を提供する工程を含む。基板は、シリコン含有膜及びシリコン含有膜上に設けられたマスクを有する。基板処理方法は、基板が載置される基板支持体の温度を0℃以下に制御する工程をさらに含む。基板処理方法は、フッ化水素ガス、並びにフルオロカーボンガス及びハイドロフルオロカーボンガスからなる群から選択される少なくとも1種の炭素含有ガスを含む第1の処理ガスから生成したプラズマにより、シリコン含有膜をエッチングする工程をさらに含む。エッチングする工程では、プラズマからの化学種により膜がエッチングされる。不活性ガスを除いた第1の処理ガスの中でフッ化水素ガスの流量が最も多い。【選択図】図1

9. 发明专利

JP2021153170A エッチング方法及びプラズマ処理装置审中-公开
公开(公告)号：JP2021153170A
公开(公告)日：2021-09-30
申请号：JP2020169758
申请日：2020-10-07
申请人：東京エレクトロン株式会社
发明人：横山喬大 , 戸村幕樹 , 木原嘉英 , 須田隆太郎 , 大類貴俊
IPC分类号： H01L21/768 , H05H1/46 , H01L21/3065
摘要：【課題】シリコン含有膜のプラズマエッチングにおいて横方向のエッチングを抑制するエッチング方法を提供する。【解決手段】一つの例示的実施形態に係るエッチング方法は、プラズマ処理装置のチャンバ内に基板を準備する工程を含む。基板は、シリコン含有膜を含む。エッチング方法は、チャンバ内で処理ガスから形成されたプラズマからの化学種によりシリコン含有膜をエッチングする工程を更に含む。処理ガスは、ハロゲン元素及びリンを含む。【選択図】図1

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