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1. 发明专利

JPWO2021090798A1 エッチング方法、プラズマ処理装置、処理ガス、デバイスの製造方法、プログラム、及び記憶媒体有权
公开(公告)号：JPWO2021090798A1
公开(公告)日：2021-11-25
申请号：JP2020041026
申请日：2020-11-02
申请人：東京エレクトロン株式会社
发明人：横山喬大 , 戸村幕樹 , 木原嘉英 , 須田隆太郎 , 大類貴俊
IPC分类号： H05H1/46 , H01L21/3065
摘要：開示されるエッチング方法は、プラズマ処理装置のチャンバ内に基板を準備する工程(a)を含む。基板はシリコン含有膜を含む。エッチング方法は、チャンバ内で処理ガスから形成されたプラズマからの化学種によりシリコン含有膜をエッチングする工程(b)を更に含む。処理ガスは、リン含有ガス、フッ素含有ガス、及び水素含有ガスを含む。水素含有ガスは、フッ化水素、H 2 、アンモニア、及び炭化水素からなる群から選択される少なくとも一つを含有する。

2. 发明专利

JP2021086849A エッチング方法およびエッチング装置审中-公开
公开(公告)号：JP2021086849A
公开(公告)日：2021-06-03
申请号：JP2019212241
申请日：2019-11-25
申请人：東京エレクトロン株式会社
发明人：戸村幕樹 , 熊倉翔 , 笹川大成 , 木原嘉英
IPC分类号： H01L21/3065
摘要：【課題】エッチングにより形成されるパターンの形状、または形状の基板面内の均一性を改善する。【解決手段】エッチング方法は、工程a)と工程b)と工程c)と工程d)と工程e)とを含む。工程a)は、被エッチング膜を有する基板を載置台上に提供する工程である。工程b)は、被エッチング膜を部分的にエッチングして、凹部を形成する工程である。工程c)は、載置台の温度を第1温度に設定して、凹部の側壁に第1の膜厚分布を有する第1膜を形成する工程である。工程d)は、第1膜が形成された被エッチング膜をさらに部分的にエッチングする工程である。工程e)は、載置台の温度を第1温度とは異なる第2温度に設定して、凹部の側壁に第1の膜厚分布とは異なる第2の膜厚分布を有する第2膜を形成する工程である。【選択図】図1

3. 发明专利

JP2021077843A 基板処理方法および基板処理装置审中-公开
公开(公告)号：JP2021077843A
公开(公告)日：2021-05-20
申请号：JP2020024686
申请日：2020-02-17
申请人：東京エレクトロン株式会社
发明人：熊倉翔 , 笹川大成 , 戸村幕樹 , 木原嘉英
IPC分类号： H01L21/768 , H05H1/46 , H01L21/3065
摘要：【課題】半導体パターンの形状異常を抑制する。【解決手段】基板処理装置が実現する基板処理方法は、工程a)と工程b)とを含む。工程a)は、被処理体を部分的にエッチングし、凹部を形成する工程である。工程b)は、凹部の側壁に、凹部の深さ方向に沿って厚さの異なる膜を形成する工程である。工程b)は、工程b−1)と工程b−2)とを含む。工程b−1)は、第1反応物を供給し、凹部の側壁に第1反応物を吸着させる工程である。工程b−2)は、第2反応物を供給し、第1反応物と第2反応物とを反応させて膜を形成する工程である。【選択図】図1

4. 发明专利

JP6759004B2 被処理体を処理する方法有权
公开(公告)号：JP6759004B2
公开(公告)日：2020-09-23
申请号：JP2016167071
申请日：2016-08-29
申请人：東京エレクトロン株式会社
发明人：田端雅弘 , 木原嘉英
IPC分类号： H01L21/3205 , H01L21/768 , H05H1/46 , H01L21/3065

5. 发明专利

JP2020115538A エッチング処理方法およびエッチング処理装置审中-公开
公开(公告)号：JP2020115538A
公开(公告)日：2020-07-30
申请号：JP2019101416
申请日：2019-05-30
申请人：東京エレクトロン株式会社
发明人：戸村幕樹 , 木原嘉英 , 本田昌伸
IPC分类号： H05H1/46 , H01L21/3065
摘要：【課題】エッチング対象を適切にエッチングするエッチング処理方法およびエッチング処理装置を提供する。【解決手段】エッチング処理方法は、化合物を準備することと、その化合物が存在する環境でエッチング対象をエッチングすることとを備えている。エッチング対象をエッチングすることは、そのエッチング対象が窒化ケイ素SiNを含有するときに、水素Hおよびフッ素Fが存在する環境でそのエッチング対象をエッチングする工程を含み、そのエッチング対象がケイ素Siを含有するときに、窒素N、水素Hおよびフッ素Fが存在する環境でそのエッチング対象をエッチングする工程を含んでいる。その化合物は、フッ化水素HFより強い酸の陰イオンを構成する元素を含み、または、アンモニアNH 3 より強い塩基の陽イオンを構成する元素を含んでいる。【選択図】図10

6. 发明专利

JP2019153771A エッチング方法审中-公开
公开(公告)号：JP2019153771A
公开(公告)日：2019-09-12
申请号：JP2018161816
申请日：2018-08-30
申请人：東京エレクトロン株式会社
发明人：戸村幕樹 , 木原嘉英 , 本田昌伸
IPC分类号： H01L21/683 , H01L21/3065
摘要：【課題】マスクの直下における横方向のエッチングを抑制するシリコン含有膜のエッチング方法が提供される。【解決手段】酸化シリコン及び窒化シリコンの少なくとも一方から形成されたシリコン含有膜のエッチング方法が提供される。このエッチング方法は、(i)シリコン含有膜及び該シリコン含有膜上に設けられたマスクを有する被加工物をプラズマ処理装置のチャンバ本体内に準備する工程であり、該マスクには開口が形成されている、該工程と、(ii)シリコン含有膜をエッチングする工程であり、該シリコン含有膜をエッチングするために、フッ素、水素、及びヨウ素を含有する処理ガスのプラズマがチャンバ本体内で生成され、被加工物の温度が0℃以下の温度に設定される、該工程と、を含む。【選択図】図1

7. 发明专利

JP6382055B2 被処理体を処理する方法审中-公开
公开(公告)号：JP6382055B2
公开(公告)日：2018-08-29
申请号：JP2014206614
申请日：2014-10-07
申请人：東京エレクトロン株式会社
发明人：木原嘉英 , 久松亨 , 本田昌伸
IPC分类号： H01L21/3065 , H01L21/31 , C23C16/42 , H01L21/316
CPC分类号： H01J37/3244 , H01J37/32009 , H01J37/32532 , H01L21/02164 , H01L21/02258 , H01L21/02274 , H01L21/0337

8. 发明专利

JP2016207915A 被処理体を処理する方法有权
标题翻译：如何处理对象进行处理
公开(公告)号：JP2016207915A
公开(公告)日：2016-12-08
申请号：JP2015090158
申请日：2015-04-27
申请人：東京エレクトロン株式会社
发明人：木原嘉英 , 大石智之 , 久松亨
IPC分类号： H05H1/46 , H01L21/3065
CPC分类号： H01L21/3065 , C23C16/402 , C23C16/45534 , C23C16/45542 , H01L21/02164 , H01L21/02274 , H01L21/0228 , H01L21/0332 , H01L21/0337 , H01L21/31116 , H01L21/31138 , H01L21/31144 , H01L21/67069 , H01J2237/334
摘要：【課題】被処理体を処理する方法を提供する。【解決手段】一実施形態の方法は、被処理体を収容した処理容器内に、シリコン含有ガスを含む第1のガスを供給する第1工程と、第1工程の実行後に、処理容器内で希ガスのプラズマを生成する第2工程と、第2工程の実行後に、処理容器内で酸素ガスを含む第2のガスのプラズマを生成する第3工程と、第3工程の実行後に、処理容器内で希ガスのプラズマを生成する第4工程と、含む。この方法では、第1〜第4工程を含むシーケンスが繰り返して実行されることにより、シリコン酸化膜が形成される。また、この方法では、第2工程、第3工程、及び第4工程の少なくとも何れかにおいて、容量結合型のプラズマ処理装置の上部電極に負の直流電圧が印加される。【選択図】図1
摘要翻译：本发明的一个目的是提供一种用于处理所述加工对象物的方法。一个实施例的方法中，待处理包含该对象的处理腔室，所述第一步骤的执行后供给含有含硅气体的第一气体，的第一步骤，在处理容器生成所述稀有气体的等离子体，第二步骤中，生成包含在所述工艺容器的氧气气体的第二气体的等离子体的第三步骤的执行之后，第三步中，所述处理容器的执行之后的第二步骤在内部生成所述稀有气体的等离子体，其包含的第四步骤。以这种方式，通过包括第一至第四步骤是重复执行的顺序，在形成氧化硅膜。此外，在该方法中，第二步骤，第三步骤中的至少一个，和第四步骤中，负的直流电压施加到电容耦合等离子体处理设备的上部电极。点域1

9. 发明专利

JP2021103727A 基板処理方法および基板処理装置审中-公开
公开(公告)号：JP2021103727A
公开(公告)日：2021-07-15
申请号：JP2019234124
申请日：2019-12-25
申请人：東京エレクトロン株式会社
发明人：新関智彦 , 戸村幕樹 , 木原嘉英
IPC分类号： H01L27/11582 , H01L21/768 , H01L23/522 , H01L21/3065
摘要：【課題】基板上に形成されるパターンの形状異常を抑制する。【解決手段】基板処理装置が実行する基板処理方法は、工程a)と、工程b)と、工程c)とを含む。工程a)は、被エッチング膜と当該被エッチング膜上に形成されたマスクとを備える基板を提供する工程である。工程b)は、マスクの開口上部に保護膜を形成する工程である。工程c)は、開口上部の開口寸法の変動を保護膜により抑制しつつマスクをエッチングし、保護膜に覆われていない開口下部の寸法を変動させる工程である。【選択図】図1

10. 发明专利

JP6895352B2 被加工物を処理する方法有权
公开(公告)号：JP6895352B2
公开(公告)日：2021-06-30
申请号：JP2017174957
申请日：2017-09-12
申请人：東京エレクトロン株式会社
发明人：長友優 , 木原嘉英
IPC分类号： C23C16/455 , C23C16/14 , C23C16/50 , G03F7/20 , H01L21/3065

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