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1. 发明专利

JPWO2018066297A1 電解処理治具及び電解処理方法审中-公开
公开(公告)号：JPWO2018066297A1
公开(公告)日：2019-08-08
申请号：JP2017032321
申请日：2017-09-07
申请人：東京エレクトロン株式会社
发明人：星野智久 , ▲濱▼田正人 , 金子聡 , 山口恭満
IPC分类号： C25D21/10 , C25D21/04 , C25D17/00 , C25D17/12
摘要：被処理基板に供給された処理液を用いて、当該被処理基板に電解処理を行う際に利用する電解処理治具は、平板状の基体と、当該基体の表面に設けられて、処理液に接触して被処理基板との間で電圧を印加するための直接電極とを有しており、電解処理治具における被処理基板側の表面は凹凸形状を有している。

2. 发明专利

JP2015167234A 2流体ノズル及び基板液処理装置並びに基板液処理方法有权
标题翻译：双流体喷嘴和底板液体处理装置和底板液体处理方法
公开(公告)号：JP2015167234A
公开(公告)日：2015-09-24
申请号：JP2015081633
申请日：2015-04-13
申请人：東京エレクトロン株式会社
发明人：金子聡 , 甲斐義広
IPC分类号： B05B7/10 , B05B7/08 , B05B1/34 , B05B1/14 , H01L21/304
摘要：【課題】小径の処理液の液滴を均一に噴霧できる2流体ノズル及び同2流体ノズルを用いた基板液処理装置並びに基板液処理方法を提供すること。【解決手段】本発明では、液体吐出部(48)から吐出した処理液と気体吐出口(52)から吐出した気体とを混合して生成した処理液の液滴を被処理体に向けて噴霧する2流体ノズル(34)において、液体吐出部(48)は、気体吐出口(52)の内側に同一円周上に配置した複数の液体吐出口(47)で構成し、複数の液体吐出口(47)は、隣接する液体吐出口(47)の間隔を、各液体吐出口(47)から吐出した処理液同士が接触しない間隔とすることにより、液体吐出部(48)と気体吐出口(52)の下方近傍で複数の液体吐出口(47)から吐出されたそれぞれの処理液と気体吐出口(52)から吐出された気体とを衝突させて処理液の液滴を生成することにした。【選択図】図4
摘要翻译：要解决的问题：提供能够均匀地喷射处理液的小直径液滴的二流体喷嘴，以及使用双流体喷嘴的基板液体处理装置和基板液体处理方法。解决方案：将从液体排出部分（48）排出的处理液和从气体排出口（52）排出的气体混合的双液体喷嘴（34），并将由此产生的处理液体的液滴喷射到处理目标身体在双液体喷嘴中，液体排出部分（48）包括在气体排出口（52）内侧设置在同一圆周上的多个排液口（47）。多个排液口47配置成相邻的排液口47之间的间隙设定为从各排液口47排出的处理液不与各喷液口47接触的位置。另外，使从多个排液口（47）排出的各处理液和从气体排出口（52）排出的气体在液体排出部（48）的下方附近与气体排出口（52），从而产生处理液体的液滴。

3. 发明专利

JP2015113523A 基板処理装置及び基板処理方法並びに基板処理プログラムを記録したコンピュータ読み取り可能な記録媒体有权
标题翻译：基板处理装置和基板处理方法以及记录有基板处理程序的计算机可读记录介质
公开(公告)号：JP2015113523A
公开(公告)日：2015-06-22
申请号：JP2013259017
申请日：2013-12-16
申请人：東京エレクトロン株式会社
发明人：川口義広 , 金子聡
IPC分类号： H01L21/304 , C23C18/31
CPC分类号： B05C11/1002 , B05C3/005 , B05C3/02 , C23C18/1619 , C23C18/1632 , C23C18/1675 , C23C18/168 , C23C18/1669 , Y10T137/0318 , Y10T137/0329
摘要：【課題】基板を処理する処理流体を所定温度に加熱して所定流量だけ安定して供給できるようにすること。【解決部】本発明では、基板(3)を処理流体で処理する1又は複数の基板処理部(11〜18)と、基板処理部(11〜18)に加熱した処理流体を供給する処理流体供給部(19,20)と、処理流体供給部(19,20)を制御する制御部(21)とを有し、処理流体供給部(19,20)は、処理流体を貯留する貯留タンク(35)と、処理流体を加熱するための加熱用熱交換器(51)と、1又は複数の基板処理部(11〜18)に処理流体を供給するための供給流路(52)とを備え、供給流路(52)は、加熱用熱交換器(51)を迂回するバイパス流路(71)を基板処理部(11〜18)よりも上流側に設け、加熱用熱交換器(51)で加熱された処理流体とバイパス流路(72)から供給された処理流体とを混合して処理流体を基板処理部(11〜18)に供給することにした。【選択図】図3
摘要翻译：要解决的问题：为了使处理基板的处理流体仅通过将处理流体加热到规定温度即可通过规定的流量稳定地供给。解决方案：基板处理装置包括：一个或多个基板处理单元（11- 18），每个处理衬底（3）与处理流体; 用于将加热的处理流体供应到基板处理单元（11-18）的处理流体供应单元（19,20）; 以及用于控制处理流体供应单元（19,20）的控制器（21）。处理流体供给单元（19,20）包括用于存储处理流体的储存箱（35）用于加热处理流体的加热热交换器（51）以及用于将处理流体供应到所述一个或多个基板处理单元（11-18）的供给路径（52）。供给路径（52）包括在基板处理单元（11-18）的上游侧旁路加热热交换器（51）的旁路路径（71）。由加热热交换器（51）加热的加工流体和从旁通路径（72）供给的加工流体混合，将混合处理流体供给到基板处理单元（11-18）。

4. 发明专利

JP5726637B2 液処理装置、液処理方法有权
公开(公告)号：JP5726637B2
公开(公告)日：2015-06-03
申请号：JP2011116216
申请日：2011-05-24
申请人：東京エレクトロン株式会社
发明人：金子聡
IPC分类号： B08B3/02 , H01L21/304

5. 发明专利

JPWO2020121886A1 基板液処理装置及び基板液処理方法审中-公开
公开(公告)号：JPWO2020121886A1
公开(公告)日：2021-10-21
申请号：JP2019047182
申请日：2019-12-03
申请人：東京エレクトロン株式会社
发明人：金子聡 , 元松一騎
IPC分类号： H01L21/304 , C23C18/31
摘要：基板液処理装置は、基板を保持する基板保持部と、基板保持部に保持されている基板の上面に処理液を供給する処理液供給部と、基板保持部に保持されている基板の上面を覆う蓋体と、基板保持部に保持されている基板と蓋体との間のスペースに不活性ガスを供給するガス供給部であって、不活性ガスを噴出するガス供給口を有するガス供給部と、を備え、ガス供給口の開口方向は、基板保持部に保持されている基板の上面以外に向けられている。

6. 发明专利

JPWO2019107331A1 基板液処理装置审中-公开
公开(公告)号：JPWO2019107331A1
公开(公告)日：2020-12-03
申请号：JP2018043496
申请日：2018-11-27
申请人：東京エレクトロン株式会社
发明人：元松一騎 , 金子聡
IPC分类号： H01L21/304 , C23C18/31
摘要： [課題]基板上の処理液の加熱制御をゾーン単位で精度良く行うことができる基板液処理装置を提供する。 [解決手段]基板液処理装置は、基板を保持する基板保持部と、基板の処理面に処理液を供給する処理液供給部と、処理面上の処理液を加熱する加熱ユニットとを備える。加熱ユニットは、ヒータと、ヒータを挟むようにして設けられる第1面状体及び第2面状体とを有する。ヒータは、加熱ユニットの複数の加熱ゾーンのそれぞれに設けられる複数の発熱体を有する。第1面状体及び第2面状体のうちの少なくともいずれか一方は溝を有し、当該溝は、複数の加熱ゾーンのうちの隣接する加熱ゾーン間の境界に対応する領域に設けられる。

7. 发明专利

JP6069398B2 2流体ノズル及び基板液処理装置並びに基板液処理方法有权
标题翻译： 2流体喷嘴和底物溶液处理设备和底物溶液处理方法
公开(公告)号：JP6069398B2
公开(公告)日：2017-02-01
申请号：JP2015081633
申请日：2015-04-13
申请人：東京エレクトロン株式会社
发明人：金子聡 , 甲斐義広
IPC分类号： B05B7/10 , B05B7/08 , B05B1/34 , B05B1/14 , H01L21/304

8. 发明专利

JP2015108176A 基板処理装置及び基板処理方法並びに基板処理プログラムを記録した記録媒体有权
标题翻译：基板处理设备，基板处理方法和存储介质存储基板处理程序
公开(公告)号：JP2015108176A
公开(公告)日：2015-06-11
申请号：JP2013252102
申请日：2013-12-05
申请人：東京エレクトロン株式会社
发明人：金子聡 , 元松一騎 , 坂本和紀
IPC分类号： H01L21/306 , H01L21/683 , H01L21/288 , C25D7/12 , C25D21/02 , C25D21/12
CPC分类号： C23C18/1675 , C23C18/1619 , C23C18/1664
摘要：【課題】基板の表面温度と異なる温度の処理流体で基板を処理する場合に、基板の温度の均一性を向上させて良好に処理する。【解決手段】第1のノズル24を基板3の中央部の全域処理開始位置P2から基板3の外周部の全域処理終了位置P5に向けて基板3の外周側へ移動させながら第1のノズル24から基板3に向けて基板3の表面温度とは異なる温度の処理流体を吐出して基板3を処理する基板全域処理を行い、その後、第1のノズル24を全域処理開始位置P2よりも外周側の外周域処理開始位置P6に向けて基板3の内周側へ移動させた後に、第1のノズル24を外周域処理開始位置P6から基板3の外周部の外周域処理停止位置P7に向けて基板3の外周側へ移動させながら第1のノズル24から基板3に向けて処理流体を吐出して基板3を処理する基板外周域処理を行う。【選択図】図9
摘要翻译：要解决的问题：为了提高衬底的温度均匀性，使得衬底处理良好，当用具有与衬底的表面温度不同的温度的处理流体处理衬底时。解决方案：基底整个区域处理工艺在第一喷嘴24从基板3的整个区域处理开始位置P2朝向基板3的外周侧移动的同时，将与基板3的表面温度不同的温度的处理流体从第一喷嘴24朝向基板3排出位于基板3的中央部位于位于基板3的周边部的整个区域处理结束位置P5。然后，将第一喷嘴24朝向基板3的内周侧移动到周边区域处理开始位置P6位于比整个区域处理开始位置P2的外部位置，基板周边区域处理在将第一喷嘴24从周边区域处理开始位置P6向周边区域处理开始位置P6移动到周边区域处理停止位置P7的同时，执行从第一喷嘴24向基板3排出处理流体的处理。在基板3的周边部分。

9. 发明专利

JPWO2020067246A1 基板処理装置および基板処理方法审中-公开
公开(公告)号：JPWO2020067246A1
公开(公告)日：2021-09-02
申请号：JP2019037766
申请日：2019-09-26
申请人：東京エレクトロン株式会社
发明人：守田聡 , 飽本正巳 , 森川勝洋 , 水永耕市 , 岩下光秋 , 金子聡
IPC分类号： C23C18/31 , H01L21/304
摘要：基板処理装置は、基板を保持した回転テーブルを回転駆動機構と、回転テーブルと一緒に回転するように回転テーブルに設けられ基板を加熱する電気ヒーターと、回転テーブルと一緒に回転するように回転テーブルに設けられ、電気ヒーターに電気的に接続された受電電極と、受電電極と接触して受電電極を介して電気ヒーターに駆動電力を供給する給電電極と、給電電極と受電電極とを相対的に接離させる電極移動機構と、給電電極に駆動電力を供給する給電部と、回転テーブルの周囲を囲む処理カップと、基板に処理液を供給する少なくとも1つの処理液ノズルと、処理液ノズルに処理液として少なくとも無電解メッキ液を供給する処理液供給機構と、電極移動機構、給電部、回転駆動機構および処理液供給機構を制御する制御部とを備える。

10. 发明专利

JP6783317B2 電解処理治具及び電解処理方法有权
公开(公告)号：JP6783317B2
公开(公告)日：2020-11-11
申请号：JP2018543792
申请日：2017-09-07
申请人：東京エレクトロン株式会社
发明人：星野智久 , ▲濱▼田正人 , 金子聡 , 山口恭満
IPC分类号： C25D21/10 , C25D21/04 , C25D17/00 , C25D17/12

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