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    • 9. 发明专利
    • 基板処理装置及び基板処理方法並びに基板処理プログラムを記録した記録媒体
    • 基板处理设备,基板处理方法和存储介质存储基板处理程序
    • JP2015108176A
    • 2015-06-11
    • JP2013252102
    • 2013-12-05
    • 東京エレクトロン株式会社
    • 金子 聡元松 一騎坂本 和紀
    • H01L21/306H01L21/683H01L21/288C25D7/12C25D21/02C25D21/12
    • C23C18/1675C23C18/1619C23C18/1664
    • 【課題】基板の表面温度と異なる温度の処理流体で基板を処理する場合に、基板の温度の均一性を向上させて良好に処理する。 【解決手段】第1のノズル24を基板3の中央部の全域処理開始位置P2から基板3の外周部の全域処理終了位置P5に向けて基板3の外周側へ移動させながら第1のノズル24から基板3に向けて基板3の表面温度とは異なる温度の処理流体を吐出して基板3を処理する基板全域処理を行い、その後、第1のノズル24を全域処理開始位置P2よりも外周側の外周域処理開始位置P6に向けて基板3の内周側へ移動させた後に、第1のノズル24を外周域処理開始位置P6から基板3の外周部の外周域処理停止位置P7に向けて基板3の外周側へ移動させながら第1のノズル24から基板3に向けて処理流体を吐出して基板3を処理する基板外周域処理を行う。 【選択図】図9
    • 要解决的问题:为了提高衬底的温度均匀性,使得衬底处理良好,当用具有与衬底的表面温度不同的温度的处理流体处理衬底时。解决方案:基底整个区域处理工艺 在第一喷嘴24从基板3的整个区域处理开始位置P2朝向基板3的外周侧移动的同时,将与基板3的表面温度不同的温度的处理流体从第一喷嘴24朝向基板3排出 位于基板3的中央部位于位于基板3的周边部的整个区域处理结束位置P5。然后,将第一喷嘴24朝向基板3的内周侧移动到周边区域处理开始 位置P6位于比整个区域处理开始位置P2的外部位置,基板周边区域处理 在将第一喷嘴24从周边区域处理开始位置P6向周边区域处理开始位置P6移动到周边区域处理停止位置P7的同时,执行从第一喷嘴24向基板3排出处理流体的处理。 在基板3的周边部分。