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1. 发明专利

JP5944883B2 粒子逆流防止部材及び基板処理装置有权
标题翻译：颗粒逆流防止构件和基板处理装置
公开(公告)号：JP5944883B2
公开(公告)日：2016-07-05
申请号：JP2013261467
申请日：2013-12-18
申请人：東京エレクトロン株式会社
发明人： ▲高▼橋雅典 , 肥田剛 , 嶽本昇 , 薬師寺秀明 , 林家宏 , 原田彰俊
IPC分类号： H01L21/02 , H01L21/205 , H01L21/3065
CPC分类号： H01J37/32834 , H01J37/32844 , H01J37/32871 , Y02C20/30

2. 发明专利

JP6284786B2 プラズマ処理装置のクリーニング方法有权
公开(公告)号：JP6284786B2
公开(公告)日：2018-02-28
申请号：JP2014036382
申请日：2014-02-27
申请人：東京エレクトロン株式会社
发明人：宇田浩 , 辻本宏 , 原田彰俊 , 薬師寺秀明 , 杉山正治
IPC分类号： H01L21/3065
CPC分类号： H01J37/32862 , C23C16/4405 , H01L21/31116 , H01L21/31144

3. 发明专利

JP2016127173A プラズマ処理方法审中-公开
标题翻译：等离子体处理方法
公开(公告)号：JP2016127173A
公开(公告)日：2016-07-11
申请号：JP2015000694
申请日：2015-01-06
申请人：東京エレクトロン株式会社
发明人：高山貴光 , 原田彰俊 , 薬師寺秀明
IPC分类号： H05H1/46 , H01L21/683 , H01L21/3065
CPC分类号： H01J37/32091 , H01J37/32165 , H01J37/32706
摘要：【課題】直流電圧HVを印加する際の基板周辺へのパーティクルの引き込みを抑制することを目的とする。【解決手段】プラズマ処理が行われるチャンバ内に基板を搬入する工程と、基板を載置する載置台に、プラズマ励起用の高周波電力の周波数よりも低い周波数のバイアス用の高周波電力を印加する工程と、前記載置台上の基板を静電吸着する静電チャックに直流電圧を印加する工程と、を含み、前記直流電圧を印加する工程は、前記バイアス用の高周波電力を印加する工程の後に実行される、プラズマ処理方法が提供される。【選択図】図2
摘要翻译：要解决的问题：在施加直流电压HV时抑制颗粒向衬底周围的拉伸。等离子体处理方法包括将衬底运送到进行等离子体处理的腔室中的步骤，具有低于用于等离子体激发的用于偏压的频率的高频功率用于安装基板的安装台，以及将静电吸盘上的DC电压施加到安装台上静电吸引基板的步骤。在施加用于偏置的高频电源的步骤之后执行施加DC电压的步骤。选择图：图2

4. 发明专利

JP2016122795A 真空引き方法及び真空処理装置审中-公开
标题翻译：废气处理方法和真空处理装置
公开(公告)号：JP2016122795A
公开(公告)日：2016-07-07
申请号：JP2014263378
申请日：2014-12-25
申请人：東京エレクトロン株式会社
发明人：芳賀博文 , 中尾亘孝 , 薬師寺秀明
IPC分类号： C23C16/44 , B01J3/00 , H01L21/02 , H01L21/3065
CPC分类号： H01L21/67069 , H01L21/67017 , H01J37/32834
摘要：【課題】水分を凝固させないように真空処理室内を所定の圧力まで降圧させることを目的とする。【解決手段】真空処理室を有する真空処理装置の真空引き方法であって、前記真空処理室と排気装置とを接続するバルブを開き、該排気装置により第1の所定時間該真空処理室内を真空引きする第1の工程と、前記第1の工程後に前記バルブを閉じ、第2の所定時間放置して真空処理室11内の昇圧を促す第2の工程と、を有し、前記真空処理室内の水分を凝固させることなく前記真空処理室内の圧力が6.7Pa〜13.3×10 2 Paになるまで降圧する真空引き方法が提供される。【選択図】図6
摘要翻译：要解决的问题：将真空处理室的内部降低至预定的压力，以防止湿气凝结。解决方案：包括真空处理室的真空处理设备的抽空方法包括：第一用于打开连接真空处理室和排气装置的阀的步骤，并且通过排气装置将真空处理室的内部抽空第一预定时间; 以及在第一步骤之后关闭阀的第二步骤，并且使真空处理室离开第二预定时间以促进真空处理室11内的升压。提供排气方法，其执行降压直到其内部的压力真空处理室变为6.7Pa至13.3×10Pa，同时防止真空处理室内的水分凝结。选择图：图6

5. 发明专利

JP6558901B2 プラズマ処理方法有权
公开(公告)号：JP6558901B2
公开(公告)日：2019-08-14
申请号：JP2015000694
申请日：2015-01-06
申请人：東京エレクトロン株式会社
发明人：高山貴光 , 原田彰俊 , 薬師寺秀明
IPC分类号： H01L21/683 , H01L21/3065

6. 发明专利

JP6408904B2 真空引き方法及び真空処理装置审中-公开
公开(公告)号：JP6408904B2
公开(公告)日：2018-10-17
申请号：JP2014263378
申请日：2014-12-25
申请人：東京エレクトロン株式会社
发明人：芳賀博文 , 中尾亘孝 , 薬師寺秀明
IPC分类号： C23C16/44 , B01J3/00 , H01L21/02 , H01L21/3065
CPC分类号： H01L21/67069 , A61L2/14 , A61L2/24 , H01J37/32449 , H01J37/32834 , H01L21/67017 , Y10T137/0379 , Y10T137/86002 , Y10T137/86027 , Y10T137/86083

7. 发明专利

JP2015162544A プラズマ処理装置のクリーニング方法有权
标题翻译：清洗等离子体加工装置的方法
公开(公告)号：JP2015162544A
公开(公告)日：2015-09-07
申请号：JP2014036382
申请日：2014-02-27
申请人：東京エレクトロン株式会社
发明人：宇田浩 , 辻本宏 , 原田彰俊 , 薬師寺秀明 , 杉山正治
IPC分类号： H01L21/3065
CPC分类号： H01J37/32862 , C23C16/4405 , H01L21/31116 , H01L21/31144
摘要：【課題】プラズマ処理装置の処理容器内に残留するTi含有反応物を簡便かつ効率的に除去すること。【解決手段】Low-k膜のエッチング加工において、ドライエッチング工程(S 2 )を終了した直後に、半導体ウエハを静電チャック40上に保持したままでウエハ有りドライクリーニングのプロセスを実行する(ステップS 3 )。このウエハ有りドライクリーニング工程(S 3 )は、主にチャンバ10内に残留しているTi含有反応物を除去するために、処理ガス供給部70よりH 2 ガスとN 2 ガスを所定の流量比で含むクリーニングガスをチャンバ10内に導入し、プラズマ生成用の第1高周波HFを所定のパワーでサセプタ12に印加し、チャンバ10内でクリーニングガスの高周波放電によるプラズマを生成する。【選択図】図3
摘要翻译：要解决的问题：容易且有效地除去残留在等离子体处理装置的处理容器中的含Ti的反应物。解决方案：执行晶片存在干洗的工艺（步骤S），其中半导体晶片保持在静电在Low-k膜的蚀刻处理中完成干蚀刻处理（S）之后的卡盘40。在晶片式干洗的工序（S）中，将来自加工用气体供给部70的以规定的流量比设置的H气和Ngas的清洗气体引入到室10中，等离子体生成用的第一高频HF 以预定功率施加到感受体12，并且产生通过室10中的清洁气体的高频排放的等离子体，以除去主要在室10中残留的含Ti反应物。

8. 发明专利

JP2015119041A 粒子逆流防止部材及び基板処理装置有权
标题翻译：颗粒反流防止构件和基板处理装置
公开(公告)号：JP2015119041A
公开(公告)日：2015-06-25
申请号：JP2013261467
申请日：2013-12-18
申请人：東京エレクトロン株式会社
发明人： ▲高▼橋雅典 , 肥田剛 , 嶽本昇 , 薬師寺秀明 , 林家宏 , 原田彰俊
IPC分类号： H01L21/02 , H01L21/205 , H01L21/3065
CPC分类号： H01J37/32834 , H01J37/32844 , H01J37/32871 , Y02C20/30
摘要：【課題】排気効率を維持しながら、パーティクルの処理容器内への進入を防止することができる粒子逆流防止部材を提供すること。【解決手段】処理容器と排気装置とを連通する排気管の内部に配置される粒子逆流防止部材であって、第1の板状部材と、開口部を有し、第1の板状部材に対して第1の間隙を有して排気装置側に配置される第2の板状部材と、を有し、開口部は、平面視で第1の板状部材により覆われている、粒子逆流防止部材が提供される。【選択図】図2
摘要翻译：要解决的问题：提供一种能够防止颗粒进入处理容器的颗粒回流防止构件，同时保持排气效率。解决方案：一种排气管中布置的排气管中的连通处理容器排气系统包括第一板状构件和具有开口并且相对于第一板状构件具有第一间隙的布置在排气系统侧的第二板状构件。开口在平面图中被第一板状构件覆盖。

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