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1. 发明专利

JP2021082701A 膜をエッチングする方法及びプラズマ処理装置审中-公开
公开(公告)号：JP2021082701A
公开(公告)日：2021-05-27
申请号：JP2019208779
申请日：2019-11-19
申请人：東京エレクトロン株式会社
发明人：新関智彦 , 勝沼隆幸 , 木原嘉英 , 戸村幕樹
IPC分类号： H01L21/3065
摘要：【課題】膜の側壁面を保護し、且つ、膜に形成される開口の幅を当該開口の深さ方向において制御する技術を提供する。【解決手段】一つの例示的実施形態に係る方法は、前駆体ガスを供給することにより、基板上に前駆体層を形成する工程を含む。基板は、膜を有し、開口を提供する。方法は、処理ガスから形成されたプラズマからの化学種により膜をエッチングする工程を更に含む。膜をエッチングする工程では、開口の深さが増加され、且つ、プラズマからの化学種又は別の化学種により前駆体層から保護領域が形成される。前駆体層を形成する工程及び膜をエッチングする工程を各々が含む複数のサイクルが実行される。少なくとも一つのサイクルに含まれる膜をエッチングする工程の実行中の基板の温度と少なくとも一つの別のサイクルに含まれる膜をエッチングする工程の実行中の基板の温度が、互いに異なる温度に設定される。【選択図】図1

2. 发明专利

JP2016111177A エッチング方法有权
标题翻译：蚀刻方法
公开(公告)号：JP2016111177A
公开(公告)日：2016-06-20
申请号：JP2014246745
申请日：2014-12-05
申请人：東京エレクトロン株式会社
发明人：戸村幕樹 , 勝沼隆幸 , 本田昌伸
IPC分类号： H01L21/768 , H01L23/522 , H05H1/46 , H01L21/3065
CPC分类号： H01L21/3065 , H01L21/768 , H01L23/522 , H05H1/46 , H01L2924/0002
摘要：【課題】シリコン原子及び酸素原子を含む第1領域第1領域を第2領域に対して選択的にエッチングする。【解決手段】一実施形態の方法は、1回以上のシーケンスを実行する工程と、1回以上のシーケンスの実行によって形成されたフルオロカーボン含有膜の膜厚を低減させる工程とを含む。1回以上のシーケンスの各々は、フルオロカーボンガスを含み酸素ガスを含まない処理ガスのプラズマを生成することにより、被処理体上にフルオロカーボン含有膜を形成する工程と、フルオロカーボン含有膜に含まれるフルオロカーボンのラジカルにより第1領域をエッチングする工程と、を含む。この方法では、1回以上のシーケンスとフルオロカーボン含有膜の膜厚を低減させる工程との交互の繰り返しが実行される。【選択図】図1
摘要翻译：要解决的问题：选择性地将含有硅原子和氧原子的第一区域蚀刻到由不同于第一区域的材料形成的第二区域上。解决方案：蚀刻方法包括以下步骤：执行序列一次或多次并减少通过一个或多个执行序列形成的含氟碳化物膜的厚度。执行一次或多次的顺序包括以下步骤：通过产生包含碳氟化合物气体但不含氧气的处理气体的等离子体在待处理物体上形成含碳氟化合物的膜; 并用包含在含碳氟化合物的膜中的氟烃基蚀刻第一区域。在该方法中，执行一次或多次的顺序以及减少含碳氟化合物膜的厚度的步骤被交替地迭代执行。图1

3. 发明专利

JP6833657B2 基板をプラズマエッチングする方法有权
公开(公告)号：JP6833657B2
公开(公告)日：2021-02-24
申请号：JP2017214313
申请日：2017-11-07
申请人：東京エレクトロン株式会社
发明人：勝沼隆幸
IPC分类号： H01L21/768 , H01L21/3065

4. 发明专利

JP2019207911A 膜をエッチングする方法及びプラズマ処理装置审中-公开
公开(公告)号：JP2019207911A
公开(公告)日：2019-12-05
申请号：JP2018101397
申请日：2018-05-28
申请人：東京エレクトロン株式会社
发明人：勝沼隆幸
IPC分类号： H05H1/46 , H01L21/3065
摘要：【課題】膜をエッチングする化学種から側壁面を保護する保護領域を、膜の開口を閉塞させることなく、面内均一に形成することが可能な方法を提供する。【解決手段】例示的実施形態に係る膜をエッチングする方法では、前駆体の単分子層が膜上に形成される。膜は開口を画成する側壁面及び底面を有している。処理ガスから形成されたプラズマからの化学種により膜がエッチングされる。膜のエッチング中に、プラズマからの化学種又はプラズマからの別の化学種により単分子層から保護領域が形成される。【選択図】図1

5. 发明专利

JP6578145B2 エッチング方法有权
公开(公告)号：JP6578145B2
公开(公告)日：2019-09-18
申请号：JP2015135905
申请日：2015-07-07
申请人：東京エレクトロン株式会社
发明人：田端雅弘 , 勝沼隆幸 , 本田昌伸
IPC分类号： H01L21/3065

6. 发明专利

JP6438831B2 有機膜をエッチングする方法有权
公开(公告)号：JP6438831B2
公开(公告)日：2018-12-19
申请号：JP2015085886
申请日：2015-04-20
申请人：東京エレクトロン株式会社
发明人：李忠鍾 , 勝沼隆幸 , 本田昌伸
IPC分类号： H01L21/3065

7. 发明专利

JP2021048390A エッチング方法、プラズマ処理装置、及び基板処理システム审中-公开
公开(公告)号：JP2021048390A
公开(公告)日：2021-03-25
申请号：JP2020121613
申请日：2020-07-15
申请人：東京エレクトロン株式会社
发明人：勝沼隆幸 , 本田昌伸 , 中根由太 , 石川慎也
IPC分类号： H01L21/3065
摘要：【課題】有機膜と共に除去し易い保護膜により有機膜のプラズマエッチングによるボーイングの発生を抑制する技術を提供する。【解決手段】一つの例示的実施形態において、エッチング方法が提供される。エッチング方法は、有機膜に対するプラズマエッチングを実行する工程(a)を含む。有機膜上にはマスクが設けられている。プラズマエッチングにより凹部が有機膜に形成される。エッチング方法は、凹部を画成する有機膜の側壁面上に有機保護膜を形成する工程(b)を更に含む。エッチング方法は、工程(b)の後、有機膜に対する更なるプラズマエッチングを実行する工程(c)を含む。【選択図】図1

8. 发明专利

JP6396699B2 エッチング方法有权
公开(公告)号：JP6396699B2
公开(公告)日：2018-09-26
申请号：JP2014136543
申请日：2014-07-02
申请人：東京エレクトロン株式会社
发明人：北垣内圭二 , 勝沼隆幸 , 本田昌伸
IPC分类号： H01L21/3065
CPC分类号： H01L21/31116 , C23C2/006 , H01J37/32091 , H01L21/02164 , H01L21/0217 , H01L21/31055 , H01L21/311 , H01L21/76897

9. 发明专利

JP2018093189A プラズマエッチング方法审中-公开
公开(公告)号：JP2018093189A
公开(公告)日：2018-06-14
申请号：JP2017214314
申请日：2017-11-07
申请人：東京エレクトロン株式会社
发明人：勝沼隆幸
IPC分类号： H01L21/3065
摘要：【課題】金属含有マスクがマスクとして用いられる場合に、マスクの材料に起因したエッチングストップを回避する。【解決手段】プラズマエッチング方法は、所定のパターンを有する金属含有マスクに対して、第1の処理ガスのプラズマにより上部電極をスパッタしながら上部電極を構成する元素を含有する堆積物を堆積させる堆積工程と、上部電極を構成する元素を含有する堆積物が堆積した金属含有マスクをマスクとして、第2の処理ガスのプラズマにより被処理膜をエッチングするエッチング工程とを含む。【選択図】図3

10. 发明专利

JP6169521B2 プラズマエッチング方法有权
公开(公告)号：JP6169521B2
公开(公告)日：2017-07-26
申请号：JP2014080592
申请日：2014-04-09
申请人：東京エレクトロン株式会社
发明人：勝沼隆幸
IPC分类号： H01L21/3065
CPC分类号： H01J37/32477 , H01J37/32045 , H01L21/02115

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