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1. 发明专利

JP2021086857A 基板処理装置及び基板処理方法审中-公开
公开(公告)号：JP2021086857A
公开(公告)日：2021-06-03
申请号：JP2019212546
申请日：2019-11-25
申请人：東京エレクトロン株式会社
发明人：井原亨 , 五師源太郎 , 山下剛秀
IPC分类号： H01L21/304
摘要：【課題】基板の表面に形成されたパターンの倒壊を抑制することができる基板処理装置及び基板処理方法を提供する。【解決手段】基板処理装置は、表面に液体が付着した基板を収容した処理容器内に処理流体を供給して、処理容器内の圧力を処理流体の臨界圧力よりも高い処理圧力まで上昇させる工程と、処理容器内の圧力を処理流体が超臨界状態を維持する圧力に維持しつつ、処理容器に処理流体を供給するとともに処理容器から処理流体を排出する工程と、を実行する。処理容器内の圧力を処理圧力まで上昇させる工程は、処理容器内の圧力を、臨界圧力よりも高く、かつ処理圧力よりも低い第1圧力まで上昇させる工程と、処理容器内の圧力を、第1圧力から処理圧力まで上昇させる工程と、を含む。処理容器内の圧力を第1圧力まで昇圧させる工程では、基板の温度を第1温度に制御し、処理圧力まで昇圧させる工程では、基板の温度を第1温度よりも高い第2温度に制御する。【選択図】図6

2. 发明专利

JP6462620B2 基板処理装置および基板処理方法有权
公开(公告)号：JP6462620B2
公开(公告)日：2019-01-30
申请号：JP2016065660
申请日：2016-03-29
申请人：東京エレクトロン株式会社
发明人：飯野正 , 井原亨 , 甲斐義広 , 徳永容一
IPC分类号： H01L21/683 , H01L21/027 , H01L21/304

3. 发明专利

JP2017183389A 基板処理装置および基板処理方法有权
公开(公告)号：JP2017183389A
公开(公告)日：2017-10-05
申请号：JP2016065660
申请日：2016-03-29
申请人：東京エレクトロン株式会社
发明人：飯野正 , 井原亨 , 甲斐義広 , 徳永容一
IPC分类号： H01L21/683 , H01L21/027 , H01L21/304
CPC分类号： C25D17/08 , C25D17/007 , C25D21/12 , C25D7/12 , H01L21/2885 , H01L21/67023 , H01L21/67173 , H01L21/6723 , H01L21/67253 , H01L21/67742 , H01L21/68728 , H01L21/68742 , H01L21/6875 , H01L21/68785 , H01L21/68792
摘要：【課題】基板を電気的障害から適切に保護することができる基板処理装置および基板処理方法を提供すること。【解決手段】実施形態に係る基板処理装置は、導電性の保持部と、導通経路部と、供給部と、接地部と、可変抵抗部とを備える。保持部は、基板を保持する。導通経路部は、保持部と接触し、導電性素材で形成される。供給部は、保持部に保持された基板に対して処理液を供給する。接地部は、一端部が導通経路部に接続され、他端部が接地電位に接続される。可変抵抗部は、接地部に設けられ、抵抗値を変更可能である。【選択図】図2

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