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1. 发明专利

JPWO2013077430A1 ＥＵＶリソグラフィ用反射型マスクブランクおよびその製造方法审中-公开
标题翻译：的EUV光刻用反射型掩模基板和其制造方法
公开(公告)号：JPWO2013077430A1
公开(公告)日：2015-04-27
申请号：JP2013545973
申请日：2012-11-22
申请人：旭硝子株式会社
发明人：和伸前重 , 和伸前重 , 正樹三上 , 正樹三上
IPC分类号： H01L21/027 , C23C14/06 , G02B5/08 , G03F1/24
CPC分类号： G03F1/22 , B82Y10/00 , B82Y40/00 , G03F1/24
摘要： Mo/Si多層反射膜での膜応力による基板の変形を緩和でき、かつ、Mo/Si多層反射膜での膜応力の経時変化を緩和できるEUVマスクブランクの製造方法の提供。基板の成膜面上に、EUV光を反射する多層反射膜を形成した後、前記多層反射膜上にEUV光を吸収する吸収体層を形成することにより、EUVL用反射型マスクブランクを製造する、EUVL用反射型マスクブランクの製造方法であって、前記多層反射膜が、Mo/Si多層反射膜であり、かつ、該Mo/Si多層反射膜の最上層がSi膜であり、前記吸収体層の形成後、該吸収体層が形成された基板を110〜170℃の温度で加熱処理するEUVL用反射型マスクブランクの製造方法。
摘要翻译：它可以放松基板的变形由于在Mo / Si多层反射膜的膜应力，并提供一种方法，用于产生EUV掩模基板，其可以减轻在Mo / Si多层反射膜的膜应力的老化。上成膜的基板的表面上以形成反射EUV光，通过形成为在多层反射膜吸收EUV光的吸收体层，从而产生EUVL用反射型掩模基板的多层反射膜用于制造EUVL，多层反射膜，Mo / Si多层反射膜，且Mo / Si多层反射膜的最上层的反射掩模坯的方法是Si膜，吸收形成层，EUVL用在110至170℃的温度下形成，其基板的热处理，其吸收层中的反射型掩模基板的制造方法的后..

2. 发明专利

JPWO2012105508A1 ＥＵＶリソグラフィ用反射型マスクブランク有权
公开(公告)号：JPWO2012105508A1
公开(公告)日：2014-07-03
申请号：JP2012555867
申请日：2012-01-30
申请人：旭硝子株式会社
发明人：和幸林 , 和幸林 , 和伸前重 , 和伸前重 , 俊之宇野 , 俊之宇野
IPC分类号： H01L21/027 , G03F1/22
CPC分类号： G03F1/24 , G03F1/54 , G03F1/80
摘要：吸収層のエッチング条件におけるエッチング選択比が十分高く、かつパターン形成後のラインエッジラフネスが大きくなることがなく、高解像度のパターンを得ることができるEUVマスクブランクの提供。基板上に、EUV光を反射する反射層と、EUV光を吸収する吸収層と、ハードマスク層と、が、この順に形成されたEUVリソグラフィ用反射型マスクブランクであって、前記吸収層が、タンタル(Ta)およびパラジウム(Pd)のうち少なくとも一方を主成分とし、前記ハードマスク層が、クロム(Cr)と、窒素(N)および酸素(O)のいずれか一方と、水素(H)と、を含有し、前記ハードマスク層における、Crと、NおよびOのいずれか一方と、の合計含有率が85〜99.9at%であり、Hの含有率が0.1〜15at%であることを特徴とするEUVリソグラフィ用反射型マスクブランク。

3. 发明专利

JPWO2014069309A1 プラズマＣＶＤ装置用のプラズマ源およびこのプラズマ源を用いた物品の製造方法审中-公开
标题翻译：一种制造等离子体源的方法和利用等离子体CVD装置的等离子体源的制品
公开(公告)号：JPWO2014069309A1
公开(公告)日：2016-09-08
申请号：JP2014544453
申请日：2013-10-23
申请人：旭硝子株式会社
发明人：弘朋河原 , 弘朋河原 , 信孝青峰 , 信孝青峰 , 和伸前重 , 和伸前重 , 有紀青嶋 , 有紀青嶋 , 博羽根川 , 博羽根川
IPC分类号： C23C16/503 , H01L21/31 , H01L21/316 , H05H1/46
CPC分类号： C23C16/402 , C23C16/50 , C23C16/505 , H01J37/32091 , H01J37/32568 , H01J37/32577 , H05H1/46 , H05H2001/4675 , H05H2001/4682
摘要：プラズマCVD装置用のプラズマ源であって、第1の電極、第2の電極、第3の電極、および第4の電極の4つがこの順に配列された電極群を有し、前記電極群は、交流電源に接続され、前記4つの電極のうちの2つに供給される電圧は、残りの2つの電極に供給される電圧と位相がずれており、隣接する電極の間には、原料ガスが供給される空間が設けられ、隣接する2つの電極のうちの少なくとも一組に印加される電圧は、同位相であることを特徴とするプラズマ源。
摘要翻译：用于等离子体CVD装置中，第一电极，第二电极，第三电极，和四个等离子源是所述第四电极具有依次配置的电极组，其中，所述电极组，被连接到交流电源，供给到所述四个电极的电压的偏移电压和相位要被提供给余下的两个电极，相邻电极之间，所述原料气体是供给空间内设置，等离子体源，其中施加到至少一对相邻的两个电极的电压同相。

4. 发明专利

JPWO2013176048A1 原料供給方法および原料供給装置审中-公开
标题翻译：原料供给方法和原料供给装置
公开(公告)号：JPWO2013176048A1
公开(公告)日：2016-01-12
申请号：JP2014516778
申请日：2013-05-17
申请人：旭硝子株式会社
发明人：有紀青嶋 , 有紀青嶋 , 信孝青峰 , 信孝青峰 , 弘朋河原 , 弘朋河原 , 博羽根川 , 博羽根川 , 和伸前重 , 和伸前重
IPC分类号： C23C16/448 , C23C16/455 , H01L21/31
CPC分类号： C23C16/405 , C23C16/4485
摘要：タンクを準備する工程と、容器を準備する工程と、前記タンク内に液体原料を供給する工程と、前記液体原料を加熱して第1の圧力を有する原料蒸気を得る工程と、前記容器内の圧力を前記第1の圧力よりも低い第2の圧力に調整する工程と、前記第1の圧力と前記第2の圧力の圧力差を利用して、接続部材を介して前記タンク内の前記原料蒸気を前記容器に供給する工程と、を有する原料供給方法。
摘要翻译：制备罐中，制备容器，以及将所述液体原料到罐的步骤，获得具有通过在容器中加热液体原料的第一压力的原料蒸气的步骤使用压力调节到第二压力的步骤低于所述第一压力，所述第一压力和第二压力，通过连接构件的原料在罐之间的压力差原料供给方法包括向所述容器供给蒸汽的步骤中，。

5. 发明专利

JP5533395B2 Euv method of manufacturing a reflective mask blank for lithography 有权
公开(公告)号：JP5533395B2
公开(公告)日：2014-06-25
申请号：JP2010167302
申请日：2010-07-26
申请人：旭硝子株式会社
发明人：喬宏三森 , 博利伊勢 , 和伸前重 , 和幸林
IPC分类号： H01L21/027 , G03F1/24

6. 发明专利

JPWO2010055832A1 導電性積層体及びプラズマディスプレイ用保護板审中-公开
公开(公告)号：JPWO2010055832A1
公开(公告)日：2012-04-12
申请号：JP2010537778
申请日：2009-11-10
申请人：旭硝子株式会社
发明人：川本　泰 , 泰川本 , 志堂寺　栄治 , 栄治志堂寺 , 和伸前重 , 和伸前重 , 尚洋眞下 , 尚洋眞下
IPC分类号： B32B9/00 , B32B7/02 , B32B15/04 , C03C17/36 , C23C14/06 , G09F9/00 , H05K9/00
CPC分类号： H05K9/0096
摘要：導電性(電磁波遮蔽性)に優れ、可視光透過率が高く、生産性に優れる導電性積層体、及び、さらに透過・反射バンドが広いプラズマディスプレイ用保護板を提供する。基体と、基体上に形成された導電膜とを有する導電性積層体であって、前記導電膜は、基体側から第1金属酸化物層、第2金属酸化物層及び金属層がこの順で配置され、この積層単位がn回積層され(nは1〜6の整数)、導電膜の最表層としてさらに第1金属酸化物層が配置され、前記第1金属酸化物層は、チタン元素とM元素とを含む酸化物層であり、前記M元素は原子量が80以上である元素の群から1種以上選ばれ、第1金属酸化物層中に10〜60原子%含まれ、前記第2金属酸化物層は亜鉛元素を含む酸化物を主成分とする層であり、前記金属層は銀を主成分とする層であり、前記積層単位中の第2金属酸化物層と金属層とは直接接することを特徴とする導電性積層体。

7. 发明专利

JPWO2012105698A1 導電膜付基板、多層反射膜付基板、およびＥＵＶリソグラフィ用反射型マスクブランク有权
公开(公告)号：JPWO2012105698A1
公开(公告)日：2014-07-03
申请号：JP2012555995
申请日：2012-02-03
申请人：旭硝子株式会社
发明人：和伸前重 , 和伸前重 , 和幸林 , 和幸林 , 俊之宇野 , 俊之宇野
IPC分类号： H01L21/027 , G03F1/24
CPC分类号： G03F1/24
摘要：シート抵抗が低く、表面平滑性に優れ、かつ、静電チャックとの密着性に優れた導電膜を有し、さらに、EUVマスクブランクでの膜応力による基板の変形を抑制できるEUVマスクブランク用の導電膜付基板の提供。基板上に導電膜が形成された、EUVリソグラフィ用反射型マスクブランクの製造に使用される導電膜付基板であって、前記導電膜が、基板側に形成される層(下層)と、前記下層の上に形成される層(上層)の少なくとも二層を有し、前記導電膜の下層が、クロム(Cr)、酸素(O)および水素(H)を含有し、前記導電膜の上層が、クロム(Cr)、窒素(N)および水素(H)を含有することを特徴とする導電膜付基板。

8. 发明专利

JP4639764B2 Cylindrical target and a film forming method 有权
公开(公告)号：JP4639764B2
公开(公告)日：2011-02-23
申请号：JP2004330739
申请日：2004-11-15
申请人： Agcセラミックス株式会社 , 旭硝子株式会社
发明人：幸治 ▲あべ▼松 , 和伸前重 , 朋広山田 , 栄治志堂寺 , 宏植田 , 佳人片山
IPC分类号： C23C14/34

9. 发明专利

JPWO2014181641A1 透光性基板、有機ＬＥＤ素子、透光性基板の製造方法审中-公开
标题翻译：透光性基板，有机LED元件，具有透光性的基板的制造方法
公开(公告)号：JPWO2014181641A1
公开(公告)日：2017-02-23
申请号：JP2015515827
申请日：2014-04-11
申请人：旭硝子株式会社
发明人：尚洋眞下 , 直人木原 , 和伸前重 , 晃男藤原 , 政洋岸 , 伸宏中村 , 衛礒部
IPC分类号： C03C17/34 , B32B9/00 , B32B17/06 , H01L51/50 , H05B33/02 , H05B33/26 , H05B33/28
CPC分类号： C03C17/3411 , C03C17/3417 , C03C17/361 , C03C17/3626 , C03C25/226 , C03C2217/94 , C03C2217/948 , C03C2218/153 , C03C2218/155 , C23C14/0036 , C23C14/0084 , H01L31/022475 , H01L51/0096 , H01L51/442 , H01L51/5215 , H01L51/5268 , H01L2251/301 , H01L2251/308 , H01L2251/558 , Y02E10/549 , Y02P70/521
摘要：【解決手段】Bi、Ti、およびSnからなる群から選定された少なくとも一つの元素を含むガラス基板と、該ガラス基板上に形成された被覆層と、該被覆層上に形成された透明導電膜とを有し、前記被覆層が乾式の成膜方法により成膜されたことを特徴とする透光性基板が提供される。
摘要翻译： A双向，Ti和含有选自Sn组成的组，和形成在所述玻璃基板上的涂布层中选择的至少一种元素的玻璃基板，形成在涂覆层的透明导电膜有门，所述覆盖层是透光性基板上设置，其特征在于它是通过形成的干式法的膜形成的。

10. 发明专利

JPWO2013176132A1 ガラス基板を製造する方法およびガラス基板审中-公开
标题翻译：方法和玻璃基板以产生玻璃基板
公开(公告)号：JPWO2013176132A1
公开(公告)日：2016-01-14
申请号：JP2014516805
申请日：2013-05-21
申请人：旭硝子株式会社
发明人：博羽根川 , 博羽根川 , 信孝青峰 , 信孝青峰 , 有紀青嶋 , 有紀青嶋 , 弘朋河原 , 弘朋河原 , 和伸前重 , 和伸前重
IPC分类号： C03C17/245 , B32B17/06 , C03C17/34 , C03C17/36
CPC分类号： C03C17/245 , C03C17/3411 , C03C17/36 , C03C17/366 , C03C2217/73 , C03C2218/152 , C03C2218/153 , C23C16/40 , G02B1/11 , G02B5/08 , G02B5/208
摘要：低温CVD法により表面に第1の層が成膜されたガラス基板を製造する方法であって、(1)ガラス基板を準備するステップと、(2)低温CVD法により、前記ガラス基板に第1の層を成膜するステップと、を有し、前記(2)のステップ後のガラス基板は、前記第1の層へのFTIR測定によって得られるOH基由来のピークにおける、波数2600cm−1〜3800cm−1の範囲のベースライン補正後の積分値が、9.0以下であり、前記第1の層におけるCの含有量は、1.64at%以下であることを特徴とする方法。
摘要翻译：所述第一层的方法，以产生制备的玻璃基板是通过低温CVD方法形成的表面上的玻璃基片，（1），（2）低温CVD方法中，第一玻璃基板上包括沉积层，（2）在从由FTIR测量在第一层上获得的OH基团的峰，波数2600厘米-1〜3800厘米的步骤之后的玻璃基板的步骤在-1的范围基线校正后的积分值是9.0或更小，C的在第一层中的内容，其中，所述或更少1.64at％。

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