专利快速检索-快速检索全球专利，免费商用专利数据库-IPRDB

4. 发明专利

JP2019169601A 赤外線発光素子审中-公开
公开(公告)号：JP2019169601A
公开(公告)日：2019-10-03
申请号：JP2018055946
申请日：2018-03-23
申请人：旭化成エレクトロニクス株式会社
发明人：外賀寛崇 , 藤田浩己
IPC分类号： H01L33/30
摘要：【課題】発光特性が改善された赤外線発光素子を提供する。【解決手段】この発明の赤外線発光素子は、基板1と、基板1上に形成されたn型コンタクト層2と、Al、In、AsおよびSbを含む化合物半導体層を含むn型コンタクト層上に形成されたn型導電型を有する第1バリア層3と、InAs x Sb (1-x) (0≦x≦1)を含む化合物半導体層を含むn型バリア層3上に形成された活性層4と、Al、Ga、AsおよびSbを含む化合物半導体層を含む活性層4上に形成された第2バリア層5と、を備える。【選択図】図1

6. 发明专利

JP2018067632A 赤外線発光素子审中-公开
公开(公告)号：JP2018067632A
公开(公告)日：2018-04-26
申请号：JP2016205213
申请日：2016-10-19
申请人：旭化成エレクトロニクス株式会社
发明人：外賀寛崇 , 藤田浩己
IPC分类号： H01L33/12 , H01L33/30
摘要：【課題】発光特性と量産性の両方が改善された赤外線発光素子を提供する。【解決手段】この発明の赤外線発光素子は、基板1と、基板1上に形成されたn型コンタクト層2と、AlInAsSb主成分とする化合物半導体層からなりn型コンタクト層上に形成されたn型バリア層3と、InAs x Sb (1-x) (0≦x≦1)主成分とする化合物半導体層からなりn型バリア層3上に形成された活性層4と、AlGaSb主成分とする化合物半導体層からなり活性層4上に形成されたp型バリア層5と、を備える。【選択図】図1

8. 发明专利

JP2020126977A 赤外線発光素子审中-公开
公开(公告)号：JP2020126977A
公开(公告)日：2020-08-20
申请号：JP2019019944
申请日：2019-02-06
申请人：旭化成エレクトロニクス株式会社
发明人：櫻井允喜 , 諸原理 , 藤田浩己
IPC分类号： G01N21/01 , G01N21/3504 , H01L33/30
摘要：【課題】発光強度の高い赤外線発光素子を提供する。【解決手段】半導体基板と、第1導電型を有する第1の化合物半導体層と、In及びSbを少なくとも含み、Al組成の割合又はAl組成の割合及びGa組成の割合が所定の範囲である発光層と、第2導電型を有する第3の化合物半導体層と、In及びSbを少なくとも含み、Al組成の割合又はAl組成の割合及びGa組成の割合が所定の範囲である第2の化合物半導体層と、を備える赤外線発光素子であり、第1の化合物半導体層は、In及びSbを少なくとも含み、Al組成の割合又はAl組成の割合及びGa組成の割合が所定の範囲である、第1A層と第1B層と第1C層とを、この順に有し、各層のAl組成の割合が所定の関係を満たす又は各層のAl組成の割合及びGa組成の割合が所定の関係を満たす赤外線発光素子。【選択図】図1

9. 发明专利

JP2019009438A 赤外線発光ダイオード审中-公开
公开(公告)号：JP2019009438A
公开(公告)日：2019-01-17
申请号：JP2018116236
申请日：2018-06-19
申请人：旭化成エレクトロニクス株式会社
发明人：藤田浩己
IPC分类号： H01L33/20 , H01L33/52 , H01L33/30
摘要：【課題】基板の裏面から光を取り出す赤外線発光ダイオードとして、発光効率及び発光強度の向上が期待できるものを提供する。【解決手段】赤外線発光ダイオード1は、半導体基板2、半導体基板2の一面21上に形成された半導体積層部3、金属層5を備える。半導体積層部3は、一面21側から第一導電型半導体層、活性層、及び第二導電型半導体層をこの順に有し、各層はインジウムおよびアンチモンの少なくとも一方を含む。半導体積層部3は、一面21から突出する第一メサ部301と第一メサ部から突出する第二メサ部302とを有し、第一メサ部301と第二メサ部302との境界が活性層よりも半導体基板2側に存在する。平面視における半導体基板2の外形面積に対する第二メサ部302の底面積の比率は0.21以上0.8以下である。活性層で発生した光の金属層5での反射率は0.60以上1.00以下である。半導体基板2の裏面22が光取り出し面である。【選択図】図1

你已经成功收藏专利！

检索式保存成功!

IPRDB