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1. 发明专利

JP2020136314A 配線基板の製造方法审中-公开
公开(公告)号：JP2020136314A
公开(公告)日：2020-08-31
申请号：JP2019023683
申请日：2019-02-13
申请人：日立化成株式会社
发明人：鳥羽正也 , 蔵渕和彦 , 増子崇 , 満倉一行 , 大竹俊亮
IPC分类号： H05K3/18
摘要：【課題】配線部と絶縁材料層が十分な密着性を有し且つ伝送損失が十分に小さい配線基板の製造方法を提供すること。【解決手段】本発明の配線基板の製造方法は、(A)支持基板上に第1絶縁材料層を形成する工程と、(B)第1絶縁材料層に第1開口部を形成する工程と、(C)第1絶縁材料層の表面上に無電解めっきによってシード層を形成する工程と、(D)シード層の表面上に配線部形成用のレジストパターンを設ける工程と、(E)シード層の表面であってレジストパターンから露出している領域に、パッドと配線とを含む配線部を電解めっきによって形成する工程と、(F)レジストパターンを除去する工程と、(G)レジストパターンの除去によって露出したシード層を除去する工程と、(H)配線部の表面に対して第1表面処理を施す工程と、(I)配線部を覆うように、第2絶縁材料層を形成する工程と、(J)第2絶縁材料層に第2開口部を形成する工程とを含む。【選択図】図3

2. 发明专利

JP6428164B2 半導体装置及びその製造方法审中-公开
公开(公告)号：JP6428164B2
公开(公告)日：2018-11-28
申请号：JP2014222745
申请日：2014-10-31
申请人：日立化成株式会社
发明人：鳥羽正也 , 蔵渕和彦
IPC分类号： H01L23/12

3. 发明专利

JP2018092967A 導体及びその形成方法、並びに構造体及びその製造方法审中-公开
公开(公告)号：JP2018092967A
公开(公告)日：2018-06-14
申请号：JP2016232483
申请日：2016-11-30
申请人：日立化成株式会社
发明人：浦島航介 , 鳥羽正也 , 江尻芳則 , 米倉元気
IPC分类号： H05K1/09 , H05K3/12
摘要：【課題】導電性及び被着体との接着性に優れる導体及びその形成方法、並びに該導体を備える構造体及びその製造方法を提供すること。【解決手段】被着体上に導体を形成する導体の形成方法であって、被着体と接する第一の外表面、第一の外表面とは異なる第二の外表面、及び第一の外表面と第二の外表面とを連通させる連通孔を有する導電体層を被着体上に設ける工程と、連通孔に樹脂組成物を充填する工程と、を備える、導体の形成方法。【選択図】図1

4. 发明专利

JP2017069328A 配線パターン及びその製造方法审中-公开
公开(公告)号：JP2017069328A
公开(公告)日：2017-04-06
申请号：JP2015191506
申请日：2015-09-29
申请人：日立化成株式会社
发明人：満倉一行 , 鳥羽正也 , 蔵渕和彦
IPC分类号： H01L23/12 , H05K3/22 , H05K1/09
CPC分类号： H01L2224/16227 , H01L2224/19 , H01L2224/32225 , H01L2224/73204 , H01L2224/81005 , H01L2924/181
摘要：【課題】チップ同士の伝送に優れた高密度の半導体装置を良好な歩留まりと信頼性とを両立し、かつ、低コストで製造できる配線パターンを提供すること。【解決手段】配線パターンは、多孔質銅の空隙部に樹脂組成物が充填された層を有する。配線パターンの製造方法は、(I)銅ペーストを支持体上に塗布する銅ペーストの塗布工程と、(II)塗布した銅ペーストを焼結する焼結工程と、(III)得られた多孔質銅に樹脂組成物を充填させる樹脂組成物の充填工程と、を備える。【選択図】図30

5. 发明专利

JP2017069257A 半導体装置の製造方法审中-公开
公开(公告)号：JP2017069257A
公开(公告)日：2017-04-06
申请号：JP2015189745
申请日：2015-09-28
申请人：日立化成株式会社
发明人：鳥羽正也 , 蔵渕和彦 , 満倉一行 , 福原紀一
IPC分类号： H01L21/56 , H01L23/12
摘要：【課題】半導体装置の薄型化、微細化、高密度化を可能とする半導体装置を効率よく、低コストに製造する高密度なモールド貫通型ビア(「TMV(Through Mold Via)」)を形成できる半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】支持体と硬化性樹脂組成物の積層体により半導体素子の能動面以外を硬化性樹脂組成物で封止し、硬化性樹脂組成物の硬化物にモールド貫通型ビアを形成する半導体装置の製造方法であり、下記工程(I)〜(III)を備える半導体装置の製造方法。 (I)支持体と熱硬化性樹脂組成物の開口部に銅ペーストを充填する工程、 (II)前記銅ペーストを焼結処理し、銅層を形成する工程、 (III)支持体をはく離する工程。【選択図】図11

6. 发明专利

JP2020155456A 配線基板审中-公开
公开(公告)号：JP2020155456A
公开(公告)日：2020-09-24
申请号：JP2019049781
申请日：2019-03-18
申请人：日立化成株式会社
发明人：鳥羽正也 , 蔵渕和彦 , 増子崇 , 満倉一行 , 大竹俊亮
IPC分类号： H05K1/02 , H05K3/38
摘要：【課題】微細化及び優れた高周波伝送特性の要求が高い半導体装置を効率よく、低コストに製造するため、高周波絶縁材料との密着性を確保でき、高周波帯の伝送損失を低減できる配線基板を提供する。【解決手段】本発明の配線基板は、第1絶縁材料層と、第1絶縁材料層上に形成される配線部及び回路形成用の第2絶縁材料層とを備え、前記配線部は、表面処理後の導体表面の平均表面粗さRaが70nm以下であって、前記第2絶縁材料層とのピール強度が0.5kN/m以上である。【選択図】図3

7. 发明专利

JP6749887B2 封止用フィルム及びそれを用いた電子部品装置有权
公开(公告)号：JP6749887B2
公开(公告)日：2020-09-02
申请号：JP2017502386
申请日：2016-02-23
申请人：日立化成株式会社
发明人：渡瀬裕介 , 野村豊 , 荻原弘邦 , 金子知世 , 鳥羽正也 , 鈴木雅彦 , 藤本大輔
IPC分类号： H01L23/31 , C08K3/00 , C08L9/00 , C08L63/00 , C08L83/04 , H01L23/29

8. 发明专利

JP2020017675A 配線基板の製造方法审中-公开
公开(公告)号：JP2020017675A
公开(公告)日：2020-01-30
申请号：JP2018140629
申请日：2018-07-26
申请人：日立化成株式会社
发明人：鳥羽正也 , 蔵渕和彦 , 増子崇 , 満倉一行 , 安部慎一郎
IPC分类号： H05K3/46 , H05K3/10
摘要：【課題】チップ同士の伝送に優れた微細配線層を有する配線基板を良好な歩留まり且つ低コストで製造する方法を提供する。【解決手段】本発明の配線基板の製造方法は、支持基板上に第1絶縁材料層を形成する工程と、第1絶縁材料層に第1開口部を形成する工程と、第1絶縁材料層の第1開口部を含む表面を改質する工程と、改質された第1絶縁材料層の上記表面に、無電解銅めっきによりシード層を形成する工程と、第1開口部に連通する開口部と、シード層に至る凹部とを有する配線形成用レジストをシード層上に形成する工程と、電解めっきにより、第1開口部及び開口部並びに凹部に導電材料を充填する工程と、レジストをはく離する工程と、レジストのはく離によって露出した領域のシード層を除去する工程(VIII)とを含む。【選択図】図3

9. 发明专利

JP2017107731A 導電性シート、その製造方法、及びそれを用いて得られる半導体装置及び電子部品审中-公开
公开(公告)号：JP2017107731A
公开(公告)日：2017-06-15
申请号：JP2015240450
申请日：2015-12-09
申请人：日立化成株式会社
发明人：満倉一行 , 鳥羽正也 , 蔵渕和彦
IPC分类号： H05K1/09 , H01L21/52 , H01L23/14 , H01L23/373 , H01B13/00 , H01B1/22 , H01B5/02
摘要：【課題】導電性に優れた導電性シート、その製造方法、半導体装置及び電子部品を提供すること。【解決手段】導電性シートは、多孔質金属の空隙部に樹脂組成物を充填させてなる。導電性シートの製造方法は、支持体上に金属ペーストを塗布する工程と、前記金属ペーストを焼結して、空隙部を有する多孔質金属を得る工程と、前記多孔質金属の前記空隙部に樹脂組成物を充填させて導電性シートを得る工程と、を備える。【選択図】図4

10. 发明专利

JP2017010992A 半導体装置及びその製造方法审中-公开
标题翻译：半导体器件及其制造方法
公开(公告)号：JP2017010992A
公开(公告)日：2017-01-12
申请号：JP2015122212
申请日：2015-06-17
申请人：日立化成株式会社
发明人：鳥羽正也 , 蔵渕和彦 , 藤本大輔 , 野村豊 , 荻原弘邦 , 渡瀬裕介 , 金子知世
IPC分类号： H01L23/12 , H01L21/56
CPC分类号： H01L2224/18
摘要：【課題】レーザー研削の後の樹脂層において樹脂残渣を好適に除去することが可能な、半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】支持フィルム112上に半硬化又は未硬化状態の熱硬化性樹脂組成物層(a)を形成する工程、能動面126a、及び、能動面126aとは反対側の受動面126bを有する半導体素子126の能動面126aと仮固定層124とが当接するように半導体素子126を仮固定する工程、半導体素子126を熱硬化性樹脂組成物層(a)で封止した後に熱硬化性樹脂組成物層(a)を硬化することにより、半導体素子126の受動面126bを覆う絶縁層114aを形成する工程、並びに、支持フィルム112及び絶縁層114aをレーザーにより研削し、仮固定層124にまで至る開口部128を設ける工程、を備える、半導体装置の製造方法。【選択図】図8
摘要翻译：本发明公开了激光研磨后的树脂层，可以适当地除去树脂残留物，以提供一种制造半导体器件的方法。在未固化状态形成的半固化或热固性树脂组合物层的方法（a）在支撑膜112，活性表面126A，并且具有一个无源表面126B相对的活动表面126A 和半导体元件126和临时固定层124的活性表面126A被暂时固定半导体元件126，以便用热固性树脂组合物层的密封之后的半导体器件126接触的过程中，热固化性树脂（a）中通过固化组合物层（a），形成由激光的绝缘层114A，其覆盖半导体器件126的钝化表面126B，以及支撑膜112和绝缘层114a和接地，以临时固定层124 提供开口128点延伸的包括，一种制造半导体器件的方法的步骤。点域8

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