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1. 发明专利

JPWO2019031556A1 架橋性化合物を含有する光硬化性段差基板被覆組成物审中-公开
公开(公告)号：JPWO2019031556A1
公开(公告)日：2020-07-09
申请号：JP2018029809
申请日：2018-08-08
申请人：日産化学株式会社
发明人：遠藤貴文 , ▲徳▼永光
IPC分类号： G03F7/26 , H01L21/027 , G03F7/11
摘要：【課題】パターンへの充填性と平坦化性を有する被膜を形成する段差基板被覆組成物を提供。【解決手段】部分構造(I)と部分構造(II)とを含む化合物(E)、溶剤(F)、及び架橋性化合物(H)を含み該部分構造(II)がエポキシ基とプロトン発生化合物の反応により生じたヒドロキシ基を含む光硬化性段差基板被覆組成物であって、該部分構造(I)は下記式(1−1)乃至式(1−5)からなる群より選ばれる少なくとも一つの部分構造、又は式(1−6)と式(1−7)若しくは式(1−8)との組み合わせからなる部分構造であり、部分構造(II)は下記式(2−1)又は式(2−2)の部分構造である上記組成物。化合物(E)中、エポキシ基とヒドロキシ基とを0≦(エポキシ基)/(ヒドロキシ基)≦0.5となるモル比で含み、部分構造(II)を0.01≦(部分構造(II))/(部分構造(I)+部分構造(II))≦0.8となるモル比。【化1】【選択図】なし

2. 发明专利

JPWO2017188263A1 膜密度が向上したレジスト下層膜を形成するための組成物审中-公开
公开(公告)号：JPWO2017188263A1
公开(公告)日：2019-02-28
申请号：JP2017016406
申请日：2017-04-25
申请人：日産化学株式会社
发明人： ▲徳▼永光 , 大野正司 , 坂本力丸 , 橋本圭祐
IPC分类号： G03F7/26 , H01L21/027 , G03F7/20 , C08G12/26 , C08G8/04 , G03F7/11
摘要：【課題】膜密度、硬度、ヤング率、Wiggling耐性(パターンの曲がり耐性)が高く、それにより高いエッチング耐性を有するレジスト下層膜を形成するためのレジスト下層膜形成組成物を提供する。【解決手段】下記式(1): 【化1】 (式(1)中、基A及び基Bはそれぞれ、芳香族環、縮合芳香族環、又は縮合芳香族ヘテロ環を有する有機基であって、酸化により質量増を生じる化学基(a)、加熱により架橋形成を生じる化学基(b)、及び硬化中に相分離を誘発する化学基(c)からなる群より選ばれた同種又は異種の2つ以上の1価又は2価の化学基が、該基A及び/又は基B中の該環上の水素原子と、それぞれ置換した構造を有する有機基である。)で表される繰り返し単位構造を有するノボラック樹脂を含むレジスト下層膜形成組成物。該組成物は更に架橋剤、酸及び/又は酸発生剤を含む。該レジスト下層膜形成組成物を半導体基板上に塗布し焼成することによって得られるレジスト下層膜の製造方法。【選択図】なし

3. 发明专利

JPWO2019225615A1 炭素酸素間二重結合を利用したレジスト下層膜形成組成物审中-公开
公开(公告)号：JPWO2019225615A1
公开(公告)日：2021-06-24
申请号：JP2019020146
申请日：2019-05-21
申请人：日産化学株式会社
发明人： ▲徳▼永光 , 緒方裕斗 , 橋本圭祐 , 中島誠
IPC分类号： G03F7/11
摘要：高いエッチング耐性、良好なドライエッチング速度比及び光学定数を示し、いわゆる段差基板に対しても被覆性が良好で、埋め込み後の膜厚差が小さく、平坦な膜を形成し得るレジスト下層膜形成組成物を提供する。また、当該レジスト下層膜形成組成物に好適な重合体の製造方法、当該レジスト下層膜形成組成物を用いたレジスト下層膜、並びに半導体装置の製造方法を提供する。炭素原子数6〜60の芳香族化合物(A)と、炭素原子数3〜60の含酸素化合物(B)が有する炭素酸素間二重結合との反応生成物、及び溶剤を含み、前記含酸素化合物(B)は一分子中に1つの部分構造:−CON

4. 发明专利

JPWO2018190380A1 炭素原子間の不飽和結合によるプラズマ硬化性化合物を含む段差基板被覆膜形成組成物审中-公开
公开(公告)号：JPWO2018190380A1
公开(公告)日：2020-02-20
申请号：JP2018015268
申请日：2018-04-11
申请人：日産化学株式会社
发明人：遠藤貴文 , ▲徳▼永光 , 橋本圭祐 , 坂本力丸
IPC分类号： G03F7/26 , H01L21/027 , C08F20/30 , C08F20/58 , G03F7/11
摘要：【課題】パターンへの充填性と平坦化性を有する被膜を形成するプラズマ硬化性段差基板被覆膜形成組成物を提供する。【解決手段】下記式(1−1)乃至式(1−7)で表される部分構造(I): 【化1】 (式中、R 1 、R 1a 、R 3 、R 5a 、及びR 6a はそれぞれ独立して炭素原子数1〜10のアルキレン基、炭素原子数6〜40のアリーレン基(該アルキレン基及びアリーレン基は、1つ又は2つ以上のアミド基又はアミノ基で任意に置換されていても良い)、酸素原子、カルボニル基、イオウ原子、−C(O)−NR a −、−NR b −又はそれらの組み合わせからなる2価の基を表し、 R 5 は、それぞれ独立して、窒素原子、又は窒素原子と炭素原子数1〜10のアルキレン基、炭素原子数6〜40のアリーレン基(該アルキレン基及びアリーレン基は、1つ又は2つ以上のアミド基又はアミノ基で任意に置換されていても良い)、酸素原子、カルボニル基、イオウ原子、−C(O)−NR a −及び−NR b −からなる群から選択される少なくとも一つ以上の基との組み合わせからなる3価の基を表し、 R 2 、R 2a 、R 4 、及びR 6 は、それぞれ独立して水素原子、炭素原子数1〜10のアルキル基、又は水素原子と、炭素原子数1〜10のアルキレン基、酸素原子、カルボニル基、−C(O)−NR a −及び−NR b −からなる群から選択される少なくとも一つ以上の基との組み合わせからなる1価の基を表し、 R a は水素原子又は炭素原子数1〜10のアルキル基を表し、 R b は、水素原子、炭素原子数1〜10のアルキル基又は炭素原子数1〜10のアルキルカルボニル基を表し、 nは1〜10の繰り返し単位数を表し、及び点線は隣接原子との化学結合を表す。)から選ばれる少なくとも一つの部分構造を含む化合物(E)と溶剤(F)とを含むプラズマ硬化性段差基板被覆膜形成組成物。【選択図】なし

5. 发明专利

JPWO2017094780A1 インドロカルバゾールノボラック樹脂を含むレジスト下層膜形成組成物审中-公开
公开(公告)号：JPWO2017094780A1
公开(公告)日：2018-10-18
申请号：JP2016085561
申请日：2016-11-30
申请人：日産化学株式会社
发明人： ▲徳▼永光 , 齊藤大悟 , 橋本圭祐 , 坂本力丸
IPC分类号： C08G12/26 , H01L21/027 , G03F7/20 , G03F7/11
CPC分类号： G03F7/11 , C08G16/02 , C08G16/0268 , G03F7/20 , G03F7/2002 , G03F7/2059 , G03F7/26 , G03F7/40 , H01L21/0274
摘要：下記式(1):

(式(1)中、Aは少なくとも2個のアミノ基を有する2価の基であって、該基は縮合環構造を有し且つ該縮合環上の水素原子を置換する芳香族基を有する化合物から誘導される基であり、B1、B2はそれぞれ独立に水素原子、アルキル基、ベンゼン環基、縮合環基又はそれらの組み合わせを示すかまたは、B1とB2はそれらが結合する炭素原子と一緒になって環を形成しても良い。)で表される単位構造を含むポリマーを含むレジスト下層膜形成組成物。

6. 发明专利

JP6974799B2 膜密度が向上したレジスト下層膜を形成するための組成物有权
公开(公告)号：JP6974799B2
公开(公告)日：2021-12-01
申请号：JP2018514629
申请日：2017-04-25
申请人：日産化学株式会社
发明人： ▲徳▼永光 , 大野正司 , 坂本力丸 , 橋本圭祐
IPC分类号： G03F7/26 , H01L21/027 , G03F7/20 , C08G12/26 , C08G8/04 , G03F7/11

7. 发明专利

JP2020148891A レジスト下層膜形成組成物审中-公开
公开(公告)号：JP2020148891A
公开(公告)日：2020-09-17
申请号：JP2019045939
申请日：2019-03-13
申请人：日産化学株式会社
发明人： ▲徳▼永光 , 緒方裕斗 , 広原知忠 , 中島誠
IPC分类号： G03F7/26 , C08G59/04 , C08G8/20 , H01L21/027 , G03F7/11
摘要：【課題】埋め込み性が良好であり、高いドライエッチング耐性、耐熱性等を有するリソグラフィー工程に用いられるレジスト下層膜用の架橋剤の提供。【解決手段】(A)下記の式(i)構造又は式(ii)構造を有する架橋性化合物、(B)架橋性化合物(A)と架橋反応可能な膜材料、(C)酸触媒、及び(D)溶剤を含むレジスト下層膜形成組成物。又は【選択図】なし

8. 发明专利

JPWO2018131562A1 アミド溶媒を含むレジスト下層膜形成組成物审中-公开
公开(公告)号：JPWO2018131562A1
公开(公告)日：2019-11-07
申请号：JP2018000189
申请日：2018-01-09
申请人：日産化学株式会社
发明人： ▲徳▼永光 , 濱田聡志 , 橋本圭祐 , 坂本力丸
IPC分类号： G03F7/26 , G03F7/20 , C08G61/12 , G03F7/11
摘要：高エッチング耐性、高耐熱性と良好な塗布性とを併せ持つレジスト下層膜形成組成物、当該レジスト下層膜形成組成物を用いたレジスト下層膜及びその製造方法、レジストパターンの形成方法、及び半導体装置の製造方法を提供する。ポリマーと、溶媒として、式(1) (式(1)中のR 1 、R 2 及びR 3 は各々水素原子、酸素原子、硫黄原子又はアミド結合で中断されていてもよい炭素原子数1〜20のアルキル基を表し、互いに同一であっても異なっても良く、互いに結合して環構造を形成しても良い。)で表される化合物を含む、レジスト下層膜形成組成物。当該組成物を、段差を有してもよい半導体基板上に塗布・焼成してレジスト下層膜を形成し、その上に任意選択的に無機レジスト下層膜を介してレジスト膜を形成し、光又は電子線の照射と現像によりレジストパターンを形成し、レジストパターンにより下層膜等をエッチングし、パターン化された下層膜により半導体基板を加工して半導体装置を製造する。

9. 发明专利

JPWO2019225614A1 環式カルボニル化合物を用いたレジスト下層膜形成組成物审中-公开
公开(公告)号：JPWO2019225614A1
公开(公告)日：2021-07-01
申请号：JP2019020145
申请日：2019-05-21
申请人：日産化学株式会社
发明人： ▲徳▼永光 , 緒方裕斗 , 橋本圭祐 , 中島誠
IPC分类号： G03F7/004 , C08L65/00 , H01L21/027 , G03F7/20 , G03F7/11
摘要：高いエッチング耐性、良好なドライエッチング速度比及び光学定数を示し、いわゆる段差基板に対しても被覆性が良好で、埋め込み後の膜厚差が小さく、平坦な膜を形成し得るレジスト下層膜形成組成物を提供する。また、当該レジスト下層膜形成組成物に好適な重合体の製造方法、当該レジスト下層膜形成組成物を用いたレジスト下層膜、並びに半導体装置の製造方法を提供する。炭素原子数6〜60の芳香族化合物(A)と、炭素原子数3〜60の環式カルボニル化合物(B)が有するカルボニル基との反応生成物、及び溶剤を含み、前記反応生成物は、前記環式カルボニル化合物(B)の1つの炭素原子が、2つの前記芳香族化合物(A)を連結している、レジスト下層膜形成組成物とする。

10. 发明专利

JPWO2019124514A1 光硬化性シリコン含有被覆膜形成組成物审中-公开
公开(公告)号：JPWO2019124514A1
公开(公告)日：2021-01-14
申请号：JP2018047068
申请日：2018-12-20
申请人：日産化学株式会社
发明人：柴山亘 , ▲徳▼永光 , 石橋謙 , 橋本圭祐 , 中島誠
IPC分类号： C09D5/00 , G03F7/11 , C09D183/04
摘要：【課題】段差基板でシリコン含有被覆膜を高温で硬化焼成する必要がなく光硬化を行うことで、下層に存在する光硬化させた有機下層膜の平坦化を悪化させることがないので、平坦化性の高い有機下層膜上に平坦化性の高いシリコン含有被覆膜を形成し、その上層にレジストを被覆することで、層界面の乱反射抑制や、エッチング後の段差発生抑制に有効となる光硬化性シリコン含有被覆膜形成組成物を提供。【解決手段】加水分解性シラン、その加水分解物、又はその加水分解縮合物を含み、該加水分解性シランが式(1): 【化1】 (式(1)中、R 1 は光架橋に係る官能基。)の加水分解性シランを含む光硬化性シリコン含有被覆膜形成組成物。半導体装置製造のリソグラフィー工程で基板上の有機下層膜とレジスト膜との中間層に紫外線照射により硬化されるシリコン含有被覆膜を形成するための光硬化性シリコン含有被覆膜形成組成物。【選択図】なし

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