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1. 发明专利

JP2016065140A 多孔性高分子フィルムの製造方法および多孔性高分子フィルム有权
标题翻译：生产多孔聚合物薄膜的方法和多孔聚合物薄膜
公开(公告)号：JP2016065140A
公开(公告)日：2016-04-28
申请号：JP2014194358
申请日：2014-09-24
申请人：日東電工株式会社 , 国立研究開発法人日本原子力研究開発機構
发明人：村木勇三 , 越川博 , 八巻徹也 , 前川康成 , 百合庸介 , 湯山貴裕 , 石坂知久 , 石堀郁夫 , 吉田健一
IPC分类号： C08J9/00
CPC分类号： C08J9/00
摘要：【課題】イオンビーム照射およびその後の化学エッチングを利用した多孔性高分子フィルムの製造方法であって、形成する細孔の形状、典型的には断面形状、の制御の自由度が高い方法を提供する。【解決手段】イオンビームを高分子フィルムに照射する工程(I)と、ビーム照射後の高分子フィルムにおけるイオンが衝突した部分の少なくとも一部を化学エッチングして、イオンの衝突の軌跡に沿って延びる貫通孔および/または非貫通孔を当該フィルムに形成する工程(II)とを含み、工程(II)において、高分子フィルムの一方の主面へのマスキング層の配置により、当該一方の主面からの上記部分のエッチングに比べて、他方の主面からの上記部分のエッチングの程度が大きい化学エッチングを実施する方法とする。【選択図】図5
摘要翻译：要解决的问题：提供一种利用离子束照射和随后的化学蚀刻制备多孔聚合物膜的方法，通过该方法，要形成的孔的形状的自由度通常为横截面形状提供了一种制备多孔聚合物膜的方法，其包含：其中聚合物膜被离子束照射的步骤（I）; 以及步骤（II），其中在光束照射之后聚合物膜中的离子碰撞的部分的至少一部分被进行化学蚀刻以形成沿着该轨迹延伸的通孔和/或非通孔的离子在膜上的碰撞。在步骤（II）中，进行化学蚀刻，其中通过将掩模层布置在聚合物膜的主面上，与上述部分的主面相比，蚀刻程度上面的部分从另一个主面是高的。选择图：图5

2. 发明专利

JP6044895B2 多孔性高分子フィルムの製造方法および多孔性高分子フィルム有权
标题翻译：制备与多孔聚合物膜的多孔聚合物膜
公开(公告)号：JP6044895B2
公开(公告)日：2016-12-14
申请号：JP2013067306
申请日：2013-03-27
申请人：日東電工株式会社 , 国立研究開発法人日本原子力研究開発機構
发明人：古山了 , 森山順一 , 長井陽三 , 百合庸介 , 石堀郁夫 , 湯山貴裕 , 石坂知久 , 奥村進 , 前川康成 , 越川博 , 八巻徹也 , 浅野雅春
IPC分类号： G21K5/04 , G21K5/00 , G21K5/10 , C08J9/00 , C08J9/36
CPC分类号： B29C67/20 , B01D39/1692 , B29C59/16 , B29D7/01 , C08J7/123 , B29C2035/0872 , B29K2267/003 , B29L2007/00 , C08J2367/02 , H01M2004/021 , H01M4/02 , H01M4/04 , H01M4/8605 , H01M4/88

3. 发明专利

JP2019166509A 防水通気フィルタ及び防水通気部材审中-公开
公开(公告)号：JP2019166509A
公开(公告)日：2019-10-03
申请号：JP2018058021
申请日：2018-03-26
申请人：日東電工株式会社 , 国立研究開発法人量子科学技術研究開発機構
发明人：山本元 , 相塚万理恵 , 百合庸介 , 湯山貴裕 , 吉田健一 , 石坂知久
IPC分类号： B01D46/54 , B01D69/06 , B01D69/10 , B01D71/34 , B01D71/48 , B01D71/50 , B01D71/64 , B01D69/00 , B01D39/16
摘要：【課題】厚さ方向に延びる複数の貫通孔が通気経路として形成された樹脂フィルムを備える防水通気フィルタについて、防水性及び機械的特性の低下を抑制しながら、通気性を改善する。【解決手段】一方の主面に開口を有する有底の凹部と、前記凹部の表面と他方の主面とを連通する第1の貫通孔と、を有する樹脂フィルムを備え、前記凹部の前記開口の面積は、前記凹部の表面における前記第1の貫通孔の開口の面積に比べて大きく、1つの前記凹部に対して2以上の前記第1の貫通孔が連通しており、前記一方の主面における前記凹部の開口率が30%を超える、防水通気フィルタとする。【選択図】図1A

4. 发明专利

JP6478261B2 多孔性高分子フィルムの製造方法および多孔性高分子フィルム有权
公开(公告)号：JP6478261B2
公开(公告)日：2019-03-06
申请号：JP2014194358
申请日：2014-09-24
申请人：日東電工株式会社 , 国立研究開発法人量子科学技術研究開発機構
发明人：村木勇三 , 越川博 , 八巻徹也 , 前川康成 , 百合庸介 , 湯山貴裕 , 石坂知久 , 石堀郁夫 , 吉田健一
IPC分类号： C08J9/00

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