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1. 发明专利

JP2019079976A ヘテロ接合バイポーラトランジスタおよびその製造方法审中-公开
公开(公告)号：JP2019079976A
公开(公告)日：2019-05-23
申请号：JP2017206823
申请日：2017-10-26
申请人：日本電信電話株式会社
发明人：白鳥悠太 , 星拓也 , 井田実
IPC分类号： H01L29/737 , H01L21/20 , H01L21/331
摘要：【課題】より容易に、製造歩留まり低下や素子間のコレクタ容量ばらつきを抑制しつつ、効果的にコレクタ寄生容量が低減できるようにする。【解決手段】ベース電極112が、エミッタ層104の全周囲のベースコンタクト領域でベース層103の表面に接する第1ベース電極部112aと、エミッタ層104の第1方向の一端側において、ベースコンタクト領域より外側で基板101の平面方向に延在する第2ベース電極部112bとを備え、第2ベース電極部112bの基板101側の底面は、第1ベース電極部112aの基板101側の底面より基板101から離れて配置され、第2ベース電極部112bと基板101との間には、ベース層103、コレクタ層102が形成されていない。【選択図】図1B

2. 发明专利

JP2017152550A ヘテロ接合バイポーラトランジスタおよびその製造方法审中-公开
公开(公告)号：JP2017152550A
公开(公告)日：2017-08-31
申请号：JP2016033833
申请日：2016-02-25
申请人：日本電信電話株式会社
发明人：栗島賢二 , 白鳥悠太 , 井田実 , 柏尾典秀
IPC分类号： H01L29/737 , H01L29/732 , H01L29/06 , H01L21/02 , H01L29/417 , H01L29/41 , H01L21/331
摘要：【課題】外部容量を低減した高品質なHBTが、比較的容易に製造できるようにする。【解決手段】第3金属パターン層104aおよび第4金属パターン層105aは、内部電極構造を形成しており、この内部電極構造を取り囲んで空洞領域121が形成されている。また、第3金属パターン層104cおよび第4金属パターン層105dは、空洞領域121を取り囲んで形成され、これらで外部支持構造を形成している。第3金属パターン層104cおよび第4金属パターン層105dは、内部電極構造の周囲に離間して配置されてリング状の外部支持構造を形成することで、空洞領域121を形成している。【選択図】図1A

3. 发明专利

JP6100503B2 実装方法有权
公开(公告)号：JP6100503B2
公开(公告)日：2017-03-22
申请号：JP2012241595
申请日：2012-11-01
申请人：日本電信電話株式会社
发明人：白鳥悠太 , 柏尾典秀 , 井田実 , 明吉智幸
IPC分类号： H01L21/603 , B23K20/00 , H01L21/60
CPC分类号： H01L2224/13 , H01L2224/13019 , H01L2224/14 , H01L2224/1403 , H01L2224/16225

4. 发明专利

JP6068326B2 多層配線用パッド構造の製造方法有权
标题翻译：制造多层布线焊盘结构的方法
公开(公告)号：JP6068326B2
公开(公告)日：2017-01-25
申请号：JP2013271367
申请日：2013-12-27
申请人：日本電信電話株式会社
发明人：栗島賢二 , 井田実 , 柏尾典秀
IPC分类号： H01L21/768 , H01L23/522 , H01L21/822 , H01L27/04 , H01L21/60 , H01L21/3205
CPC分类号： H01L24/03 , H01L24/05 , H01L2224/05085

5. 发明专利

JP2016171183A 半導体集積回路审中-公开
标题翻译：半导体集成电路
公开(公告)号：JP2016171183A
公开(公告)日：2016-09-23
申请号：JP2015049429
申请日：2015-03-12
申请人：日本電信電話株式会社
发明人：井田実 , 栗島賢二 , 柏尾典秀
IPC分类号： H01L23/532 , H01L21/3205 , H01L23/522 , H01L21/312 , H01L21/318 , H01L21/768
摘要：【課題】一段と耐湿性を向上させた半導体集積回路を提供できるようにする。【解決手段】基板(1)上に素子が集積された半導体集積回路(20)において、前記基板(1)および前記素子の上に形成された有機絶縁膜からなる層間絶縁膜(5)と、前記層間絶縁膜(5)の上に形成された無機絶縁膜からなる表面保護膜(22)とを備え、前記層間絶縁膜(5)の外縁の二辺が出会う部分は、平面視弧状に形成されているようにする。【選択図】図1
摘要翻译：要解决的问题：提供一种具有进一步提高的耐湿性的半导体集成电路。解决方案：一种其中元件集成在基板（1）上的半导体集成电路（20），包括：层间绝缘膜（5），其由形成在所述基板（1）和所述元件上的有机绝缘膜; 以及由在层间绝缘膜（5）上形成的无机绝缘膜构成的表面保护膜（22）。在层间绝缘膜（5）的外边缘处的两侧在平面图中形成为弧形的部分。选择的图：图1

6. 发明专利

JP2015103776A 多層配線用パッド構造审中-公开
标题翻译：多层布线的PAD结构
公开(公告)号：JP2015103776A
公开(公告)日：2015-06-04
申请号：JP2013245779
申请日：2013-11-28
申请人：日本電信電話株式会社
发明人：井田実 , 栗島賢二 , 柏尾典秀
IPC分类号： H01L21/768 , H01L23/522 , H01L21/3205
CPC分类号： H01L24/05
摘要：【課題】多層配線構造の半導体チップにおいて耐湿性の高いパッド構造を提供する。【解決手段】本発明に係る多層配線用パッド構造は、半導体基板(101)上に層間絶縁膜(107〜109)を介して積層された複数のパッド用配線パターン部(102〜105)と、層間絶縁膜を貫通して形成され、夫々のパッド用配線パターン部を電気的に接続するコンタクトプラグ(106_1〜106_3)と、最上位の配線層の直下に形成された層間絶縁膜(109)を貫通し、前記コンタクトプラグを囲んで形成された金属から成る構造体(110)と、パッド領域の一部に開口部を有し、最上位層に形成された保護膜(111)とを有する。【選択図】図1
摘要翻译：要解决的问题：提供一种在多层布线结构的半导体芯片中具有高耐湿性的焊盘结构。解决方案：根据本发明的多层布线的焊盘结构包括：多个布线图案部分（102至105）对于通过层间绝缘膜（107至109）堆叠在半导体衬底（101）上方和上方的焊盘; 接触插塞（106_1至106_3），其形成为穿透层间绝缘膜并电连接用于焊盘的布线图案部分; 穿过形成在最上层布线层下面的层间绝缘膜（109）的结构（110），围绕接触塞并由金属构成; 以及保护膜（111），其在焊盘区域的一部分中具有形成在最上层的开口。

7. 发明专利

JP2019192745A バイポーラトランジスタおよびその製造方法审中-公开
公开(公告)号：JP2019192745A
公开(公告)日：2019-10-31
申请号：JP2018082781
申请日：2018-04-24
申请人：日本電信電話株式会社
发明人：白鳥悠太 , 井田実
IPC分类号： H01L29/737 , H01L21/331
摘要：【課題】電気的特性や機械的強度の低下なく、InP系DHBTの放熱性をより向上させる。【解決手段】放熱基板101の上に、コレクタ層105,ベース層106、エミッタ層107、エミッタキャップ層108,エミッタ電極109,ベース電極110を備える素子部が形成され、エミッタ配線114とエミッタ放熱パッド103とを接続する金属からなるエミッタ放熱ビア117に加え、ベース配線115とベース放熱パッド104とを接続する金属からなるベース放熱ビア119を備える【選択図】図1A

8. 发明专利

JP2019083284A 化合物半導体集積回路审中-公开
公开(公告)号：JP2019083284A
公开(公告)日：2019-05-30
申请号：JP2017210968
申请日：2017-10-31
申请人：日本電信電話株式会社
发明人：井田実 , 武藤美和
IPC分类号： H01L21/768 , H01L23/522 , H01L21/60 , H01L21/318 , H01L21/3205
摘要：【課題】高速性能の劣化が抑制された状態で、ボンディングパッドにおける水分の侵入が抑制できるようにする。【解決手段】基板101の上には、無機材料からなる第1保護膜104、有機材料からなる第2保護膜105、無機材料からなる第3保護膜106が形成されている。ボンディングパッド103のボンディング領域121においては、第1保護膜104、第2保護膜105、および第3保護膜106が開口し、ボンディングパッド103の表面が露出している。【選択図】図1

9. 发明专利

JP6130293B2 ヘテロ接合バイポーラトランジスタおよびその製造方法有权
公开(公告)号：JP6130293B2
公开(公告)日：2017-05-17
申请号：JP2013271383
申请日：2013-12-27
申请人：日本電信電話株式会社
发明人：柏尾典秀 , 栗島賢二 , 井田実
IPC分类号： H01L29/737 , H01L21/28 , H01L29/417 , H01L21/331

10. 发明专利

JP6022998B2 半導体装置有权
公开(公告)号：JP6022998B2
公开(公告)日：2016-11-09
申请号：JP2013099909
申请日：2013-05-10
申请人：日本電信電話株式会社
发明人：井田実 , 栗島賢二 , 柏尾典秀
IPC分类号： H01L21/8248 , H01L27/06 , H01L21/331 , H01L29/737 , H01L27/095 , H01L21/8222

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