专利快速检索-快速检索全球专利，免费商用专利数据库-IPRDB

1. 发明专利

JP2021190599A 薄膜トランジスタ及びその製造方法审中-公开
公开(公告)号：JP2021190599A
公开(公告)日：2021-12-13
申请号：JP2020095731
申请日：2020-06-01
申请人：日本放送協会 , 株式会社神戸製鋼所
发明人：中田充 , 武井達哉 , 辻博史 , 宮川幹司 , 越智元隆 , 西山功兵
IPC分类号： H01L21/336 , H01L29/786
摘要：【課題】高いキャリア移動度を有するとともに、しきい値電圧の負側へのシフトを抑制することができる、酸化物半導体層を備える薄膜トランジスタとその製造方法を提供する。【解決手段】基板上に少なくとも酸化物半導体層、ゲート絶縁膜、ゲート電極を、この順に形成する薄膜トランジスタの製造方法であって、前記酸化物半導体層を構成する金属元素がIn、Ga、Zn、及びSnを含み、前記ゲート電極の側から前記酸化物半導体層に向けて所定の光を照射せしめて、前記ゲート電極と重ならない前記酸化物半導体層の領域を低抵抗化し、ソース・ドレイン領域を形成することを特徴とする。なお、各金属元素の割合は、Inが45原子%以上65原子%以下、Gaが5原子%以上16原子%以下、Znが10原子%以上40原子%以下、及びSnが3原子%以上10原子%以下であることが望ましい。【選択図】図1

2. 发明专利

JP2019114609A 薄膜トランジスタおよびその製造方法审中-公开
公开(公告)号：JP2019114609A
公开(公告)日：2019-07-11
申请号：JP2017245318
申请日：2017-12-21
申请人：日本放送協会
发明人：武井達哉 , 辻博史 , 中田充
IPC分类号： H01L21/336 , H01L29/786
摘要：【課題】酸窒化亜鉛を半導体層に用いた薄膜トランジスタにおいて、高い移動度を保ちつつ、電気的特性の安定性を向上させうる薄膜トランジスタおよびその製造方法を提供する。【解決手段】基板1上に、少なくとも、ゲート電極2、ゲート絶縁膜3、酸化物半導体層4、およびソース電極5とドレイン電極6を積層した構成とされ、酸化物半導体層4は、少なくともZn、O、N、およびInを含む半導体を材料として用い、前記酸化物半導体層4に含まれるInの該酸化物半導体層4全体に対する割合が、1.5atomic%以上、かつ4.8atomic%以下に設定されている。【選択図】図1

3. 发明专利

JP2016213380A 薄膜デバイスおよびその製造方法审中-公开
标题翻译：薄膜器件及其制造的方法
公开(公告)号：JP2016213380A
公开(公告)日：2016-12-15
申请号：JP2015097510
申请日：2015-05-12
申请人：日本放送協会 , 株式会社日本触媒
发明人：中田充 , 深川弘彦 , 辻博史 , 本村玄一 , 中嶋宜樹 , 武井達哉 , 森井克行
IPC分类号： H01L51/50 , H05B33/08 , H05B33/10 , H01L21/336 , H01L21/306 , H01L29/786
摘要：【課題】有機電界発光素子と、この有機電界発光素子を駆動するTFT素子とを一体的に形成する際に、特に、TFT素子の酸化物半導体層またはソース/ドレイン電極をウエットエッチングによりパターニングすることを可能とする。【解決手段】有機電界発光素子10を、陰極と陽極との間に、酸化物を含む電子注入層3および発光層5を含む複数の層を積層して形成するとともに、TFT素子を、ウエットエッチングによって形成する酸化物半導体層14を含む複数の層を積層して形成し、有機電界発光素子10およびTFT素子20の各層を積層形成する際に、酸化物半導体層14のウエットエッチングで使用するエッチング液に対する電子注入層3のエッチングレートが、このエッチング液に対する酸化物半導体層14のエッチングレートの1/5以下となるように設定する。【選択図】図1
摘要翻译：甲机电致发光器件，用于驱动有机电致发光装置时形成为一体，特别是，由氧化物半导体层或TFT元件的源极/漏极电极的湿法蚀刻形成图案的TFT元件可能是。的一种有机发光元件10中，在阴极和阳极之间，从而通过堆叠多个层包括电子注入层3和发光层5含有氧化物，TFT元件，湿法蚀刻形成多个层包括氧化物半导体层14上形成通过层压由有机电致发光器件10的每个层和TFT元件20层叠形成的情况下，使用氧化物半导体层14的湿法蚀刻蚀刻形成用于液体电子注入层3的蚀刻速率被设定为1/5或更小的氧化物半导体层14的蚀刻速率的相对于所述蚀刻溶液。点域1

4. 发明专利

JP2018137424A 薄膜トランジスタ、薄膜デバイスおよび薄膜トランジスタの製造方法审中-公开
公开(公告)号：JP2018137424A
公开(公告)日：2018-08-30
申请号：JP2017230118
申请日：2017-11-30
申请人：日本放送協会 , 株式会社神戸製鋼所
发明人：中田充 , 辻博史 , 藤崎好英 , 武井達哉 , 越智元隆 , 後藤裕史 , 釘宮敏洋
IPC分类号： H01L29/786 , H01L27/088 , H01L21/8234 , H01L21/336
摘要：【課題】エッチストップ構造のTFTにおいて、従来技術のチャネルよりも長さを短縮することができ、オン電流の増加を図ることが可能な薄膜トランジスタ、薄膜デバイスおよび薄膜トランジスタの製造方法を提供する。【解決手段】基板11上にゲート電極12、ゲート絶縁膜13、第2の酸化物半導体膜14´、第1の酸化物半導体膜14、これら酸化物半導体膜14、14´を保護するエッチストップ層15、ソース/ドレイン電極部、およびドナー等を含むコート層を、この順に積層してなる。第1の酸化物半導体膜14の領域において、ソース/ドレイン電極部と上下方向に重ならない領域が、ソース/ドレイン電極部と上下方向に重なる領域よりも、抵抗率の低い低抵抗領域14Bとして形成されている。【選択図】図1

5. 发明专利

JP2018133418A 薄膜トランジスタ审中-公开
公开(公告)号：JP2018133418A
公开(公告)日：2018-08-23
申请号：JP2017025364
申请日：2017-02-14
申请人：日本放送協会
发明人：辻博史 , 武井達哉 , 中田充
IPC分类号： H01L29/786
摘要：【課題】主成分としてZn−O−Nを含む半導体を活性層に用いる薄膜トランジスタにおいて、高い電界効果移動度を保持しつつ、電気的特性の安定性を向上させた薄膜トランジスタを提供する。【解決手段】薄膜トランジスタは、少なくとも亜鉛、酸素、窒素、及びシリコンを含む半導体層と、前記半導体層の第1面に配設されるソースと、前記半導体層の前記第1面に配設されるドレインと、前記半導体層の前記第1面又は第2面に配設されるゲート絶縁膜と、前記ゲート絶縁膜を介して前記半導体層に接続されるゲートとを含む。【選択図】図1

6. 发明专利

JP2016162535A フレキシブルな有機EL表示装置およびその製造方法审中-公开
标题翻译：柔性有机EL显示装置及其制造方法
公开(公告)号：JP2016162535A
公开(公告)日：2016-09-05
申请号：JP2015038415
申请日：2015-02-27
申请人：日本放送協会
发明人：本村玄一 , 中嶋宜樹 , 武井達哉 , 都築俊満
IPC分类号： H01L51/50 , H05B33/02 , H05B33/04 , H05B33/10
摘要：【課題】フレキシブルな有機EL表示装置におけるフィルム基板を支持基材から剥離する際に、デバイスが大きなダメージを受けるのを抑制し得るフレキシブルな有機EL表示装置およびその製造方法を提供する。【解決手段】フレキシブルな有機EL表示装置を作製する最初の段階で、フィルム基板1を支持基材21上に形成しておきS1、この後、フィルム基板1上に有機EL発光素子10とTFT素子30からなるデバイスを一体的に形成しS2、S3、次に、このデバイスを設けたフィルム基板1を支持基材21から剥離しS4、この後、上記デバイス上に封止フィルム23を形成するS5。【選択図】図1
摘要翻译：要解决的问题：提供一种柔性有机EL显示装置及其制造方法，其能够在从支撑基板去除柔性有机EL显示装置的膜基板时抑制装置的严重损坏。解决方案：在第一制造柔性有机EL显示装置的阶段，在支撑基板21上形成薄膜基板1（步骤1）。然后，将由有机EL发光元件10和TFT元件30构成的器件整体地形成在膜基片1上（步骤2和3）。接下来，从支撑基板21移除设置有该装置的薄膜基板1（步骤4）。最后，在装置上形成密封膜23（步骤5）。选择的图：图1

7. 发明专利

JP2020123645A 薄膜トランジスタ审中-公开
公开(公告)号：JP2020123645A
公开(公告)日：2020-08-13
申请号：JP2019014077
申请日：2019-01-30
申请人：日本放送協会 , 株式会社神戸製鋼所
发明人：中田充 , 辻博史 , 藤崎好英 , 武井達哉 , 越智元隆 , 後藤裕史
IPC分类号： H01L21/336 , H01L29/786
摘要：【課題】エッチストップ構造のTFTにおいて、従来技術よりも、素子面積を大きくすることなく、チャネルの長さを短縮してオン電流の増加を図ることが可能な薄膜トランジスタを提供する。【解決手段】ソース電極16およびドレイン電極17の一方と、酸化物半導体膜14が、エッチストップ層1、2(15A、B)の非形成部分において当接する、多角形(例えば矩形)をなす接触領域18を備え、この接触領域18を構成する多角形(矩形)の少なくとも1つの頂点を挟む2つの辺(ES層当接領域19A1〜A4)がエッチストップ層2(15B)と接触するように構成されている。これにより、上記少なくとも1つの頂点の近傍を、導体化したショート位置とすることができる。【選択図】図2

8. 发明专利

JP2019121634A 薄膜トランジスタおよびその製造方法审中-公开
公开(公告)号：JP2019121634A
公开(公告)日：2019-07-22
申请号：JP2017253743
申请日：2017-12-28
申请人：日本放送協会
发明人：辻博史 , 武井達哉 , 中田充
IPC分类号： H01L21/336 , H01L29/786
摘要：【課題】酸窒化亜鉛を半導体層に用いた薄膜トランジスタにおいて、高い移動度を保ちつつ、電気的特性の安定性を向上させ得る薄膜トランジスタおよびその製造方法を提供する。【解決手段】基板1上に、少なくとも、ゲート電極2、ゲート絶縁膜3、半導体層4、およびソース電極5とドレイン電極6を積層した構成とされ、半導体層4は、少なくともZn、O、N、およびZrを含む半導体を材料として用いる。半導体層4に含まれるZrの割合が0.7atomic%以上、かつ1.5atomic%以下とすることが好ましい。【選択図】図1

9. 发明专利

JP2015176872A 薄膜トランジスタおよび該薄膜トランジスタを備えた有機ELディスプレイ装置审中-公开
标题翻译：薄膜晶体管和包含其的有机EL显示器件
公开(公告)号：JP2015176872A
公开(公告)日：2015-10-05
申请号：JP2014049445
申请日：2014-03-12
申请人：日本放送協会
发明人：中嶋宜樹 , 中田充 , 辻博史 , 藤崎好英 , 武井達哉 , 山本敏裕
IPC分类号： H01L21/28 , H01L29/423 , H01L29/49 , H01L51/50 , H05B33/02 , G09F9/30 , H01L29/786
摘要：【課題】本発明は、加熱後においても優れた電気特性を維持できる薄膜トランジスタおよび該薄膜トランジスタを備えた有機ELディスプレイ装置の提供を目的とする。【解決手段】本発明は、基板上に、ゲート絶縁膜を介しゲート電極と半導体層を互いに重畳する領域に設け、前記半導体層に接続するソース電極及びドレイン電極を設けた薄膜トランジスタであって、前記ソース電極及びドレイン電極が、前記半導体層に被着されるコンタクト層と、該コンタクト層上に積層形成された導電材料からなり、前記コンタクト層より厚い電極本体層とを積層して構成され、前記コンタクト層がアルミニウムまたはアルミニウム合金からなり、前記電極本体層がアルミニウムまたはアルミニウム合金以外の導電材料からなることを特徴とする。【選択図】図1
摘要翻译：要解决的问题：提供即使在加热之后也能够保持优异的电特性的薄膜晶体管，并提供包含该薄膜晶体管的有机EL显示装置。解决方案：提供一种薄膜晶体管，其在基板上，栅电极和半导体层经由栅极绝缘膜设置在相互重叠的区域中，并且提供与半导体层连接的源电极和漏电极。源极电极和漏极电极通过层叠沉积在半导体层上的接触层和由形成在接触层上并且比接触层更厚的由导电材料形成的电极主体层构成。接触层由铝或铝合金形成，电极主体层由除铝或铝合金之外的导电材料形成。

10. 发明专利

JP2015133264A 有機エレクトロルミネッセンス表示装置审中-公开
标题翻译：有机电致发光显示装置
公开(公告)号：JP2015133264A
公开(公告)日：2015-07-23
申请号：JP2014004643
申请日：2014-01-14
申请人：日本放送協会
发明人：本村玄一 , 中嶋宜樹 , 武井達哉 , 清水貴央
IPC分类号： H01L51/50 , H05B33/02 , H05B33/22 , H05B33/04
摘要：【課題】ダークスポットが発生しにくく、寿命の長い有機EL表示装置を提供する。【解決手段】対向配置されたプラスチックフィルム基板間に有機エレクトロルミネッセンス素子10が配置された有機エレクトロルミネッセンス表示装置11であって、有機エレクトロルミネッセンス素子10の一方の面または両面に接して、侵入した水分を拡散させるプラスチックフィルムからなる拡散層5が配置されている有機エレクトロルミネッセンス表示装置11とする。拡散層5が水蒸気透過率1×10 −1 g/m 2 /日以上のプラスチックフィルムからなるものであることが好ましい。【選択図】図1
摘要翻译：要解决的问题：提供几乎不产生黑点的长寿命有机EL显示装置。解决方案：在有机电致发光显示装置11中，有机电致发光元件10布置在彼此面对的塑料薄膜基板之间。与有机电致发光元件10的一个表面或两个表面接触地设置扩散层5，其扩散侵入水分并由塑料膜形成。优选地，扩散层5由具有水蒸汽的塑料膜形成渗透率为1×10g / m /天以上。

你已经成功收藏专利！

检索式保存成功!

IPRDB

热门服务

关于我们

友情链接

联系方式