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1. 发明专利

JP2017152540A 塗布型酸化物半導体、薄膜トランジスタ、表示装置および塗布型酸化物半導体の製造方法审中-公开
公开(公告)号：JP2017152540A
公开(公告)日：2017-08-31
申请号：JP2016033594
申请日：2016-02-24
申请人：日本放送協会
发明人：宮川幹司 , 辻博史 , 中田充
IPC分类号： H01L21/336 , H01L21/368 , G09F9/30 , G09F9/00 , H01L29/786
摘要：【課題】塗布型酸化物半導体であっても、エッチングの影響を受けることが小さく、半導体特性が劣化することがない塗布型酸化物半導体、薄膜トランジスタ、表示装置およびその塗布型酸化物半導体の製造方法を提供する。【解決手段】基板1上に、少なくとも、ゲート電極2、ゲート絶縁膜3、塗布型酸化物半導体層4、およびソース・ドレイン電極6をこの順に積層した構成とされ、半導体層4は、その前駆体溶液をベース上に塗布、乾燥してなる酸化物半導体層であって、その前駆体溶液が、少なくとも亜鉛およびスズから構成される金属成分を有しており、亜鉛1モルに対するスズの含有量が、0.5モル以上2モル以下の組成とされている。【選択図】図1

2. 发明专利

JP2020123645A 薄膜トランジスタ审中-公开
公开(公告)号：JP2020123645A
公开(公告)日：2020-08-13
申请号：JP2019014077
申请日：2019-01-30
申请人：日本放送協会 , 株式会社神戸製鋼所
发明人：中田充 , 辻博史 , 藤崎好英 , 武井達哉 , 越智元隆 , 後藤裕史
IPC分类号： H01L21/336 , H01L29/786
摘要：【課題】エッチストップ構造のTFTにおいて、従来技術よりも、素子面積を大きくすることなく、チャネルの長さを短縮してオン電流の増加を図ることが可能な薄膜トランジスタを提供する。【解決手段】ソース電極16およびドレイン電極17の一方と、酸化物半導体膜14が、エッチストップ層1、2(15A、B)の非形成部分において当接する、多角形(例えば矩形)をなす接触領域18を備え、この接触領域18を構成する多角形(矩形)の少なくとも1つの頂点を挟む2つの辺(ES層当接領域19A1〜A4)がエッチストップ層2(15B)と接触するように構成されている。これにより、上記少なくとも1つの頂点の近傍を、導体化したショート位置とすることができる。【選択図】図2

3. 发明专利

JP2019121634A 薄膜トランジスタおよびその製造方法审中-公开
公开(公告)号：JP2019121634A
公开(公告)日：2019-07-22
申请号：JP2017253743
申请日：2017-12-28
申请人：日本放送協会
发明人：辻博史 , 武井達哉 , 中田充
IPC分类号： H01L21/336 , H01L29/786
摘要：【課題】酸窒化亜鉛を半導体層に用いた薄膜トランジスタにおいて、高い移動度を保ちつつ、電気的特性の安定性を向上させ得る薄膜トランジスタおよびその製造方法を提供する。【解決手段】基板1上に、少なくとも、ゲート電極2、ゲート絶縁膜3、半導体層4、およびソース電極5とドレイン電極6を積層した構成とされ、半導体層4は、少なくともZn、O、N、およびZrを含む半導体を材料として用いる。半導体層4に含まれるZrの割合が0.7atomic%以上、かつ1.5atomic%以下とすることが好ましい。【選択図】図1

4. 发明专利

JP6496183B2 有機電界発光素子、表示装置、照明装置および有機電界発光素子の製造方法有权
公开(公告)号：JP6496183B2
公开(公告)日：2019-04-03
申请号：JP2015097511
申请日：2015-05-12
申请人：日本放送協会 , 株式会社日本触媒
发明人：深川弘彦 , 清水貴央 , 中田充 , 辻博史 , 森井克行
IPC分类号： H01L27/32 , G09F9/30 , H01L51/50

5. 发明专利

JP2015176872A 薄膜トランジスタおよび該薄膜トランジスタを備えた有機ELディスプレイ装置审中-公开
标题翻译：薄膜晶体管和包含其的有机EL显示器件
公开(公告)号：JP2015176872A
公开(公告)日：2015-10-05
申请号：JP2014049445
申请日：2014-03-12
申请人：日本放送協会
发明人：中嶋宜樹 , 中田充 , 辻博史 , 藤崎好英 , 武井達哉 , 山本敏裕
IPC分类号： H01L21/28 , H01L29/423 , H01L29/49 , H01L51/50 , H05B33/02 , G09F9/30 , H01L29/786
摘要：【課題】本発明は、加熱後においても優れた電気特性を維持できる薄膜トランジスタおよび該薄膜トランジスタを備えた有機ELディスプレイ装置の提供を目的とする。【解決手段】本発明は、基板上に、ゲート絶縁膜を介しゲート電極と半導体層を互いに重畳する領域に設け、前記半導体層に接続するソース電極及びドレイン電極を設けた薄膜トランジスタであって、前記ソース電極及びドレイン電極が、前記半導体層に被着されるコンタクト層と、該コンタクト層上に積層形成された導電材料からなり、前記コンタクト層より厚い電極本体層とを積層して構成され、前記コンタクト層がアルミニウムまたはアルミニウム合金からなり、前記電極本体層がアルミニウムまたはアルミニウム合金以外の導電材料からなることを特徴とする。【選択図】図1
摘要翻译：要解决的问题：提供即使在加热之后也能够保持优异的电特性的薄膜晶体管，并提供包含该薄膜晶体管的有机EL显示装置。解决方案：提供一种薄膜晶体管，其在基板上，栅电极和半导体层经由栅极绝缘膜设置在相互重叠的区域中，并且提供与半导体层连接的源电极和漏电极。源极电极和漏极电极通过层叠沉积在半导体层上的接触层和由形成在接触层上并且比接触层更厚的由导电材料形成的电极主体层构成。接触层由铝或铝合金形成，电极主体层由除铝或铝合金之外的导电材料形成。

6. 发明专利

JP2021190599A 薄膜トランジスタ及びその製造方法审中-公开
公开(公告)号：JP2021190599A
公开(公告)日：2021-12-13
申请号：JP2020095731
申请日：2020-06-01
申请人：日本放送協会 , 株式会社神戸製鋼所
发明人：中田充 , 武井達哉 , 辻博史 , 宮川幹司 , 越智元隆 , 西山功兵
IPC分类号： H01L21/336 , H01L29/786
摘要：【課題】高いキャリア移動度を有するとともに、しきい値電圧の負側へのシフトを抑制することができる、酸化物半導体層を備える薄膜トランジスタとその製造方法を提供する。【解決手段】基板上に少なくとも酸化物半導体層、ゲート絶縁膜、ゲート電極を、この順に形成する薄膜トランジスタの製造方法であって、前記酸化物半導体層を構成する金属元素がIn、Ga、Zn、及びSnを含み、前記ゲート電極の側から前記酸化物半導体層に向けて所定の光を照射せしめて、前記ゲート電極と重ならない前記酸化物半導体層の領域を低抵抗化し、ソース・ドレイン領域を形成することを特徴とする。なお、各金属元素の割合は、Inが45原子%以上65原子%以下、Gaが5原子%以上16原子%以下、Znが10原子%以上40原子%以下、及びSnが3原子%以上10原子%以下であることが望ましい。【選択図】図1

7. 发明专利

JP6741439B2 薄膜トランジスタの製造方法有权
公开(公告)号：JP6741439B2
公开(公告)日：2020-08-19
申请号：JP2016033594
申请日：2016-02-24
申请人：日本放送協会
发明人：宮川幹司 , 辻博史 , 中田充
IPC分类号： H01L21/336 , H01L21/368 , G09F9/30 , G09F9/00 , H01L29/786

8. 发明专利

JP2020096134A 塗布型金属酸化物膜の製造方法、それを用いて製造された塗布型金属酸化物膜および電子デバイス审中-公开
公开(公告)号：JP2020096134A
公开(公告)日：2020-06-18
申请号：JP2018234664
申请日：2018-12-14
申请人：日本放送協会
发明人：宮川幹司 , 中田充 , 辻博史
IPC分类号： H01L21/336 , H01L29/786 , H01L21/368
摘要：【課題】塗布製法を用いて金属酸化物膜を作成する際に、より簡易な製造プロセスにより形状にばらつきのない、高特性な金属酸化物膜を形成し得る、塗布型金属酸化物膜の製造方法、塗布型金属酸化物膜および電子デバイスを提供する。【解決手段】金属塩からなる無機酸塩を、過酸化水素が所定の重量割合を占める溶媒に溶解して金属酸化物の前駆体溶液を生成する前駆体溶液生成工程と、生成された前駆体溶液を被塗布体上に塗布する前駆体塗布工程(A)(a)と、前駆体溶液を乾燥させて金属酸化物膜の前駆体を生成するソフトアニーリング工程(A)(b)と、金属酸化物膜の前駆体にエネルギー線を照射して金属酸化物膜の酸化を行うエネルギー線照射工程(A)(c)と、エネルギー線が照射された金属酸化物膜のパターニングを行うエッチング工程(A)(d)と、をこの順に行うものである。【選択図】図1

9. 发明专利

JP2019114609A 薄膜トランジスタおよびその製造方法审中-公开
公开(公告)号：JP2019114609A
公开(公告)日：2019-07-11
申请号：JP2017245318
申请日：2017-12-21
申请人：日本放送協会
发明人：武井達哉 , 辻博史 , 中田充
IPC分类号： H01L21/336 , H01L29/786
摘要：【課題】酸窒化亜鉛を半導体層に用いた薄膜トランジスタにおいて、高い移動度を保ちつつ、電気的特性の安定性を向上させうる薄膜トランジスタおよびその製造方法を提供する。【解決手段】基板1上に、少なくとも、ゲート電極2、ゲート絶縁膜3、酸化物半導体層4、およびソース電極5とドレイン電極6を積層した構成とされ、酸化物半導体層4は、少なくともZn、O、N、およびInを含む半導体を材料として用い、前記酸化物半導体層4に含まれるInの該酸化物半導体層4全体に対する割合が、1.5atomic%以上、かつ4.8atomic%以下に設定されている。【選択図】図1

10. 发明专利

JP2016213380A 薄膜デバイスおよびその製造方法审中-公开
标题翻译：薄膜器件及其制造的方法
公开(公告)号：JP2016213380A
公开(公告)日：2016-12-15
申请号：JP2015097510
申请日：2015-05-12
申请人：日本放送協会 , 株式会社日本触媒
发明人：中田充 , 深川弘彦 , 辻博史 , 本村玄一 , 中嶋宜樹 , 武井達哉 , 森井克行
IPC分类号： H01L51/50 , H05B33/08 , H05B33/10 , H01L21/336 , H01L21/306 , H01L29/786
摘要：【課題】有機電界発光素子と、この有機電界発光素子を駆動するTFT素子とを一体的に形成する際に、特に、TFT素子の酸化物半導体層またはソース/ドレイン電極をウエットエッチングによりパターニングすることを可能とする。【解決手段】有機電界発光素子10を、陰極と陽極との間に、酸化物を含む電子注入層3および発光層5を含む複数の層を積層して形成するとともに、TFT素子を、ウエットエッチングによって形成する酸化物半導体層14を含む複数の層を積層して形成し、有機電界発光素子10およびTFT素子20の各層を積層形成する際に、酸化物半導体層14のウエットエッチングで使用するエッチング液に対する電子注入層3のエッチングレートが、このエッチング液に対する酸化物半導体層14のエッチングレートの1/5以下となるように設定する。【選択図】図1
摘要翻译：甲机电致发光器件，用于驱动有机电致发光装置时形成为一体，特别是，由氧化物半导体层或TFT元件的源极/漏极电极的湿法蚀刻形成图案的TFT元件可能是。的一种有机发光元件10中，在阴极和阳极之间，从而通过堆叠多个层包括电子注入层3和发光层5含有氧化物，TFT元件，湿法蚀刻形成多个层包括氧化物半导体层14上形成通过层压由有机电致发光器件10的每个层和TFT元件20层叠形成的情况下，使用氧化物半导体层14的湿法蚀刻蚀刻形成用于液体电子注入层3的蚀刻速率被设定为1/5或更小的氧化物半导体层14的蚀刻速率的相对于所述蚀刻溶液。点域1

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