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1. 发明专利

JP2014196215A 改質金属酸化物微粒子粉末およびその製造方法审中-公开
标题翻译：改性金属氧化物颗粒状粉末及其制造方法
公开(公告)号：JP2014196215A
公开(公告)日：2014-10-16
申请号：JP2013072919
申请日：2013-03-29
申请人：日揮触媒化成株式会社 , Jgc Catalysts & Chemicals Ltd
发明人： YAMAGUCHI JUN , MATSUDA MASAYUKI , MURAGUCHI MAKOTO
IPC分类号： C01B13/14 , C01B33/149 , C01G23/053 , C01G25/02 , C01G30/00
摘要：【課題】分散性、流動性および経済性にも優れた改質金属酸化物微粒子粉末の製造方法を提供する。【解決手段】(a)金属酸化物微粒子の水および/または有機溶媒分散液を調製したのち、(b)該分散液に、Rp-MXq-pで表される有機金属化合物を添加し、次いで、(d)分散液を噴霧乾燥することを特徴とする、粉末の平均粒子径(DMP)が1〜200μmの範囲にあり、一次粒子および二次粒子の集合体から構成されてなり、二次粒子のレーザー法で測定した平均二次粒子径(DM2)が5〜500nmの範囲にあり、一次粒子のTEM法で観察して測定した平均一次粒子径(DM1)が5〜500nmの範囲にあり、平均二次粒子径(DM2)と平均一次粒子径(DM1)との比(DM2)/(DM1)が1〜10の範囲にあり、安息角が40?以下である、改質金属酸化物微粒子粉末の製造方法。【選択図】なし
摘要翻译：要解决的问题：提供一种生产分散性，流动性和经济效率优异的改性金属氧化物颗粒粉末的方法。提供一种制备改性金属氧化物颗粒粉末的方法，所述改性金属氧化物颗粒粉末的平均粒径（D）在 1〜200μm的范围，其由初级粒子和二次粒子的聚集体构成，其通过激光法测定的二次粒子的平均二次粒径（D）在5〜500nm的范围内，平均一次粒子通过TEM法观察的一次粒子的直径（D）在5〜500nm的范围内，平均二次粒径（D）与平均一次粒径（D）的比（D）/（D）在1〜10的范围内，休止角为40°以下。制备改性金属氧化物颗粒粉末的方法包括：（a）在水和/或有机溶剂中制备金属氧化物颗粒的流体分散体，然后（b）将由R-MX表示的有机金属化合物加入到流体分散体中; 然后（d）雾化和干燥流体分散体。

2. 发明专利

JP2014086526A Light-emitting diode 审中-公开
标题翻译：发光二极管
公开(公告)号：JP2014086526A
公开(公告)日：2014-05-12
申请号：JP2012233590
申请日：2012-10-23
申请人： Jgc Catalysts & Chemicals Ltd , 日揮触媒化成株式会社
发明人： YAMAGUCHI JUN , MATSUDA MASAYUKI , MURAGUCHI MAKOTO
IPC分类号： H01L33/56 , H01L23/29 , H01L23/31
CPC分类号： H01L2224/48091 , H01L2224/8592 , H01L2924/00014
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a light-emitting diode excellent in sealing performance, heat resistance, light extraction efficiency, emission luminance, and the like.SOLUTION: The light-emitting diode including a die bond, a light-emitting element, and a sealing layer is characterized in that: the sealing layer comprises an organic resin and zirconia fine particles surface-treated with an organosilicon compound; the surface-treated zirconia fine particles have an average secondary particle diameter (D) in the range of 5-50 nm and an average primary particle diameter (D) in the range of 5-50 nm; and the ratio (D)/(D) of the average secondary particle diameter (D) to the average primary particle diameter (D) is in the range of 1-10.
摘要翻译：要解决的问题：提供密封性能，耐热性，光提取效率，发光亮度等优异的发光二极管。解决方案：包括管芯接合，发光元件和发光元件的发光二极管密封层的特征在于：密封层包括有机树脂和用有机硅化合物表面处理的氧化锆微粒; 表面处理的氧化锆微粒的平均二次粒径（D）在5-50nm的范围内，平均一次粒径（D）在5-50nm的范围内; 平均二次粒径（D）与平均一次粒径（D）的比（D）/（D）在1-10的范围内。

3. 发明专利

JP2013082609A Modified zirconia fine-particle powder, dispersion sol of modified zirconia fine-particle, and method for manufacturing the same powder and dispersion sol 有权
标题翻译：改性的ZIRCONIA微粒粉末，改性ZIRCONIA微粒的分散溶液及其制造相同粉末和分散溶胶的方法
公开(公告)号：JP2013082609A
公开(公告)日：2013-05-09
申请号：JP2012216202
申请日：2012-09-28
申请人： Jgc Catalysts & Chemicals Ltd , 日揮触媒化成株式会社
发明人： YAMAGUCHI JUN , MATSUDA MASAYUKI , MURAGUCHI MAKOTO
IPC分类号： C01G25/02 , C09C1/00 , C09C3/12
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a modified zirconia fine-particle powder excellent in dispersibility and flowability.SOLUTION: The modified zirconia fine-particle powder is a powder of modified zirconia fine-particles that is surface-treated with an organosilicon compound, has a mean secondary particle diameter in the range of 5-500 nm, has a mean primary particle diameter in the range of 5-500 nm, and the ratio of the mean secondary particle diameter/the mean primary particle diameter is in the range of 1-10. The organosilicon compound, which is represented by formula (1) below, is contained in the fine-particles within the range of 1-50 wt.% as R-SiO(n is an integer of 1-3), and has a half width of the main peak in 29Si MAS NMR spectrum within the range of 3-15 ppm. Formula (1) is represented by R-SiX, wherein R is 1-10C unsubstituted or substituted hydrocarbon groups, each of which may be the same as or different from each other; X is a 1-4C alkoxy group, a hydroxy group, a halogen, or hydrogen; and n is an integer of 1-3.
摘要翻译：要解决的问题：提供分散性和流动性优异的改性氧化锆微粒粉末。解决方案：改性氧化锆微粒粉末是用有机硅化合物表面处理的改性氧化锆微粒的粉末，平均二次粒径在5-500nm的范围内，具有平均初级粒径在5-500nm的范围内，平均二次粒径/平均一次粒径的比在1-10的范围内。由下式（1）表示的有机硅化合物以1-50重量％的范围包含在R -SiO （4-n）/ 2 （n为1-3的整数），并且在29Si MAS NMR光谱中的主峰的半宽度在3-15ppm的范围内。式（1）表示为R 4-n ，其中R为1-10C未取代或取代的烃基各自可以彼此相同或不同; X是1-4C烷氧基，羟基，卤素或氢; n为1-3的整数。版权所有（C）2013，JPO＆INPIT

4. 发明专利

JP2014196216A 改質金属酸化物微粒子粉末、改質金属酸化物微粒子分散体およびその製造方法审中-公开
标题翻译：改性金属氧化物颗粒粉末，改性金属氧化物颗粒分散体及其生产方法
公开(公告)号：JP2014196216A
公开(公告)日：2014-10-16
申请号：JP2013072920
申请日：2013-03-29
申请人：日揮触媒化成株式会社 , Jgc Catalysts & Chemicals Ltd
发明人： YAMAGUCHI JUN , MATSUDA MASAYUKI , MURAGUCHI MAKOTO
IPC分类号： C01B13/14 , C01B33/146 , C01G23/047 , C01G30/00
摘要：【課題】流動性、分散媒への分散性、分散安定性に優れた改質金属酸化物微粒子粉末を提供する。【解決手段】有機金属化合物で表面処理された金属酸化物微粒子(但し、ジルコニア微粒子を除く)の粉末であって、平均二次粒子径(DM2)(レーザー法)が5〜500nmの範囲にあり、平均一次粒子径(DM1)(TEM法)が5〜500nmの範囲にあり、平均二次粒子径(DM2)と平均一次粒子径(DM1)との比(DM2)/(DM1)が1〜10の範囲にあることを特徴とする改質金属酸化物微粒子粉末。前記有機金属化合物が下記式Rn-MXm-nで表される化合物であり、有機金属化合物の表面処理量が金属酸化物微粒子を固形分として100重量部に対し、Rn-MO(m-n)/2として1〜300重量部の範囲にある。【選択図】なし
摘要翻译：要解决的问题：提供流动性优异，分散性分散性和分散稳定性优异的改性金属氧化物颗粒粉末。溶解性：改性金属氧化物颗粒粉末是金属氧化物颗粒（氧化锆颗粒除外）的粉末，用有机金属化合物精制，平均二次粒径（D）（拉伸法）在5〜500nm的范围内，平均一次粒径（D）（TEM法）在5〜500nm的范围内，以及平均二次粒径（D）与平均一次粒径（D）的比（D）/（D）在1〜10的范围内。有机金属化合物为下式R-MX表示的化合物，有机金属化合物的表面光洁度在1〜300重量份的范围内。作为R-MOto 100 pt.wt. 的金属氧化物颗粒作为固体含量。

5. 发明专利

JP2014044984A Paste for mounting semiconductor device 有权
标题翻译： PASTE安装半导体器件
公开(公告)号：JP2014044984A
公开(公告)日：2014-03-13
申请号：JP2012185020
申请日：2012-08-24
申请人： Jgc Catalysts & Chemicals Ltd , 日揮触媒化成株式会社
发明人： KUMAZAWA MITSUAKI , YAMAGUCHI JUN , MURAGUCHI MAKOTO
IPC分类号： H01L21/52 , C01B33/18 , C09J11/04 , C09J201/02 , H01L23/29 , H01L23/31
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a paste for mounting a semiconductor device, comprising a resin and silica-based fine particles small in particle size, excellent in fluidity, and excellent in dispersibility into a resin.SOLUTION: A paste for mounting a semiconductor device comprises a resin and surface-treated silica-based fine particles having an average particle size in the range of 50-5,000 nm. In aSi MAS NMR spectrum of the surface-treated silica-based fine particles, a half value width of a main peak detected in a chemical shift in the range from -30 ppm to -80 ppm is in the range of 3-15 ppm.
摘要翻译：要解决的问题：提供一种用于安装半导体器件的糊状物，其包含树脂和粒径小，流动性好，分散性优异的树脂的二氧化硅系微粒。溶液：用于安装半导体器件的糊料包括平均粒度在50〜500nm范围内的树脂和经表面处理的二氧化硅基微粒。在表面处理的二氧化硅基微粒的Si MAS NMR光谱中，在-30ppm至-80ppm范围内的化学位移检测到的主峰的半值宽度在3-15ppm的范围内。

6. 发明专利

JP2014027262A Light-emitting diode 审中-公开
标题翻译：发光二极管
公开(公告)号：JP2014027262A
公开(公告)日：2014-02-06
申请号：JP2013122480
申请日：2013-06-11
申请人： Jgc Catalysts & Chemicals Ltd , 日揮触媒化成株式会社
发明人： YAMAGUCHI JUN , MATSUDA MASAYUKI , MURAGUCHI MAKOTO
IPC分类号： H01L33/56 , C08K3/22 , C08K3/36 , C08L63/00 , C08L83/04 , H01L23/29 , H01L23/31
CPC分类号： H01L2224/48091 , H01L2224/8592 , H01L2924/00014
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a light-emitting diode having excellent sealability, heat resistance, light extraction efficiency, emission luminance, and the like.SOLUTION: In a light-emitting diode including a die bond, a light-emitting element, and a sealing layer, a high refractive index metal oxide fine particle layer is provided between the light-emitting element and the sealing layer. The high refractive index metal oxide fine particle layer has a surface roughness (Ra) in the range of 1-25 nm. The high refractive index metal oxide fine particle layer has a refractive index in the range of 1.5-2.5. The high refractive index metal oxide fine particle layer has an average thickness in the range of 20-300 nm. The high refractive index metal oxide fine particle layer further contains a binding material.
摘要翻译：要解决的问题：提供具有优异的密封性，耐热性，光提取效率，发光亮度等的发光二极管。解决方案：在包括管芯接合的发光二极管，发光元件和在发光元件和密封层之间设置密封层，高折射率金属氧化物微粒层。高折射率金属氧化物微粒层的表面粗糙度（Ra）在1-25nm的范围内。高折射率金属氧化物微粒层的折射率在1.5〜2.5的范围内。高折射率金属氧化物微粒层的平均厚度在20〜300nm的范围内。高折射率金属氧化物微粒层还含有粘结材料。

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