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1. 发明专利

JP6718479B2 半導体装置の製造方法有权
公开(公告)号：JP6718479B2
公开(公告)日：2020-07-08
申请号：JP2018052282
申请日：2018-03-20
申请人：日亜化学工業株式会社 , 国立大学法人東北大学
发明人：市川将嗣 , 井上芳樹 , 粟飯原善之 , 島津武仁
IPC分类号： H01L33/62 , H01L21/60

2. 发明专利

JP6398323B2 半導体発光素子の製造方法有权
公开(公告)号：JP6398323B2
公开(公告)日：2018-10-03
申请号：JP2014107643
申请日：2014-05-25
申请人：日亜化学工業株式会社
发明人：市川将嗣
IPC分类号： H01L33/46 , H01L33/60
CPC分类号： H01L33/46 , H01L33/505 , H01L33/58 , H01L33/62 , H01L2224/16225 , H01L2224/32225 , H01L2224/73204 , H01L2933/0025 , H01L2933/0033 , H01L2933/0058 , H01L2924/00

3. 发明专利

JP2018078157A 半導体装置の製造方法审中-公开
公开(公告)号：JP2018078157A
公开(公告)日：2018-05-17
申请号：JP2016217799
申请日：2016-11-08
申请人：日亜化学工業株式会社
发明人：岡祐太 , 市川将嗣
IPC分类号： H01L23/14 , H01L23/12 , H01L21/60 , H01L33/62
CPC分类号： H01L33/647 , H01L25/0753 , H01L33/486 , H01L33/502 , H01L33/54 , H01L33/56 , H01L33/60 , H01L33/62 , H01L33/64 , H01L2224/48091 , H01L2224/48137 , H01L2933/0033 , H01L2933/0041 , H01L2933/005 , H01L2933/0058 , H01L2933/0066 , H01L2933/0075 , H01L2924/00014
摘要：【課題】第1素子及び第2素子で生じる熱の排熱性を向上させることができ、基板と配線との間の絶縁耐性に優れた半導体装置を簡便に製造する。【解決手段】金属からなる基板の上面に、基板用金属膜を形成する工程と、第1素子の下面に、第1素子用金属膜を形成する工程と、第2素子の下面に、第2素子用金属膜を形成する工程と、前記基板用金属膜の上面と、前記第1素子用金属膜の下面及び前記第2素子用金属膜の下面と、が接するように、前記基板に前記第1素子及び前記第2素子を接合する工程と、前記基板用金属膜の上面のうち、前記第1素子用金属膜が接する領域と前記第2素子用金属膜が接する領域とを除いた領域の少なくとも一部を酸化する工程と、前記酸化する工程において酸化された領域の上方に、前記第1素子と前記第2素子とを電気的に接続する配線を形成する工程と、を有する半導体装置の製造方法。【選択図】図2

4. 发明专利

JP6299478B2 発光装置およびその製造方法有权
公开(公告)号：JP6299478B2
公开(公告)日：2018-03-28
申请号：JP2014128490
申请日：2014-06-23
申请人：日亜化学工業株式会社
发明人：市川将嗣 , 島津武仁
IPC分类号： H01L33/50
CPC分类号： H01L33/507 , B23K20/00 , H01L33/405 , H01L33/50 , H01L33/501 , H01L33/502 , H01L33/504 , H01L33/58 , H01L2933/0016 , H01L2933/0041 , H01L2933/0058

5. 发明专利

JP6265227B2 配光部材の製造方法、発光装置の製造方法、配光部材、及び発光装置有权
公开(公告)号：JP6265227B2
公开(公告)日：2018-01-24
申请号：JP2016092633
申请日：2016-05-02
申请人：日亜化学工業株式会社
发明人：若松大 , 市川将嗣 , 佐野雅彦
IPC分类号： H01S5/022 , G02B5/00 , F21V5/00 , F21V5/10 , F21Y115/10 , F21Y115/30 , H01L33/50

6. 发明专利

JP2015225862A 半導体発光素子及びその製造方法审中-公开
标题翻译：半导体发光元件及其制造方法
公开(公告)号：JP2015225862A
公开(公告)日：2015-12-14
申请号：JP2014107643
申请日：2014-05-25
申请人：日亜化学工業株式会社
发明人：市川将嗣
IPC分类号： H01L33/46 , H01L33/60
CPC分类号： H01L33/46 , H01L33/62 , H01L2224/16225 , H01L2224/32225 , H01L2224/73204 , H01L2933/0025 , H01L33/505 , H01L33/58
摘要：【課題】膜厚を均一にした光反射層を形成する。【解決手段】基板10の下面側に半導体層20を有する発光素子を準備する発光素子準備工程と、支持部材2上に、前記発光素子を半導体層20側から載置する発光素子載置工程と、原子層堆積法により、前記基板10の上面の少なくとも一部又は側面の一部を光取り出し領域として露出させるように、前記基板10の表面及び前記半導体層20の表面を前記光反射層30で被覆する光反射層30被覆工程とを、この順に含む。これにより、光反射層30を所期の設計通りに機能させることができ、信頼性の高い光反射層30でもって高品質な半導体発光装置を実現できる。【選択図】図1
摘要翻译：要解决的问题：形成具有均匀膜厚的光反射层。解决方案：一种制造半导体发光元件的方法包括：制备具有半导体层20的发光元件的发光元件制备步骤基板10的下表面侧，从半导体层20侧将发光元件安装在支撑部件2上的发光元件安装工序以及涂布基板表面的光反射层30的涂布工序 10和半导体层20的表面通过原子层沉积方法具有光反射层30，使得基板10的上表面或侧面的一部分的至少一部分作为光提取区域露出，按此顺序因此，光反射层30可以如所设计的那样起作用，并且可以通过高度可靠的光反射层30实现高质量的半导体发光器件。

7. 发明专利

JP2015099940A 発光装置审中-公开
标题翻译：发光装置
公开(公告)号：JP2015099940A
公开(公告)日：2015-05-28
申请号：JP2015032797
申请日：2015-02-23
申请人：日亜化学工業株式会社
发明人：市川将嗣
IPC分类号： H01L33/50 , H01L33/54 , H01L33/58
CPC分类号： H01L2224/14
摘要：【課題】発光素子から出射される光の取り出し効率を向上させること、小型化できること、発光効率を高くすること、色むら、輝度むらを抑えた発光特性とすること、が可能な発光装置を提供する。【解決手段】光反射性材料を含有する被覆部材と、発光側の表面と、前記被覆部材の表面に対向し、該表面内に配置された光入射側の表面とを有する光透過部材と、前記光透過部材の光入射側表面において、外側の反射領域に囲まれた入射領域に結合し、前記被覆部材に一部が埋め込まれた光源部に、発光素子と、該発光素子の前記入射領域側に結合され、該発光素子に励起される波長変換部材と、を備える発光装置。【選択図】図1
摘要翻译：要解决的问题：提供一种能够提高从发光元件发出的光的提取效率的发光装置，小型化，提高发光效率，并且具有抑制的颜色不均匀性和亮度不均匀性的发光特性。解决方案：发光装置包括含有光反射材料的覆盖部件和透光部件，该透光部件的发光侧面和面向覆盖部件的表面的光入射侧面配置在该表面。发光装置还包括在光源部分中，该光源部分耦合到由透光部件的光入射侧表面上的外部反射区域包围并且部分地嵌入覆盖部件中的入射区域，发光元件和耦合到发光元件的入射区域侧并由发光元件激发的波长转换构件。

8. 发明专利

JP2021168376A 放熱基板の製造方法及び複合基板の製造方法审中-公开
公开(公告)号：JP2021168376A
公开(公告)日：2021-10-21
申请号：JP2021009002
申请日：2021-01-22
申请人：日亜化学工業株式会社
发明人：山田正一 , 木原虎 , 市川将嗣
IPC分类号： H05K7/20 , C22C26/00 , C22C1/05 , B22F3/14 , H01L23/373
摘要：【課題】製造工程中の薄肉化処理によって低下した熱伝導率を高めることが可能な放熱基板の製造方法及び複合基板の製造方法を提供する。【解決手段】本開示の放熱基板の製造方法は、ダイヤモンドと金属とを含む複合材料を準備する工程と、前記複合材料の表面を薄肉化処理して、前記複合材料に加工面を形成する工程と、パルス通電焼結により、前記複合材料に50MPa未満の圧力を印加した状態で前記複合材料を加熱する工程とを含む。【選択図】図3A

9. 发明专利

JP2021034450A 半導体レーザ装置及びその製造方法审中-公开
公开(公告)号：JP2021034450A
公开(公告)日：2021-03-01
申请号：JP2019150572
申请日：2019-08-20
申请人：日亜化学工業株式会社
发明人：小川尚史 , 市川将嗣 , 高野哲至
IPC分类号： H01S5/022
摘要：【課題】光学特性が精度良く制御された半導体レーザ装置及びその製造方法を提供する。【解決手段】半導体レーザ装置1は、支持体41と、支持体41に接合された半導体レーザ素子21と、半導体レーザ素子21の光出射面21aに直接接合され、無機材料からなる透光性部材31と、を備える。このため、光出射面21aが大気に曝されることがなく、光集塵を抑制できるため光学特性が精度よく制御され、半導体レーザ素子21が破損することを抑制できる。【選択図】図1

10. 发明专利

JP6668608B2 発光装置の製造方法有权
公开(公告)号：JP6668608B2
公开(公告)日：2020-03-18
申请号：JP2015090419
申请日：2015-04-27
申请人：日亜化学工業株式会社
发明人：市川将嗣 , 島津武仁
IPC分类号： H01L33/50 , H01L33/58 , H01L33/22

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