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1. 发明专利

JP2014123616A Substrate processing apparatus 审中-公开
标题翻译：基板加工设备
公开(公告)号：JP2014123616A
公开(公告)日：2014-07-03
申请号：JP2012278100
申请日：2012-12-20
申请人： Nippon Steel & Sumitomo Metal , 新日鐵住金株式会社 , Nippon Steel Sumikin Materials Co Ltd , 新日鉄住金マテリアルズ株式会社 , Hitachi Kokusai Electric Inc , 株式会社日立国際電気
发明人： ITO WATARU , AISATO TAKASHI , HOSHINO TAIZO , TACHIKAWA AKIYOSHI , FUKUDA MASANAO , HARA DAISUKE , SASAKI TAKASHI , HIRAMATSU HIROO
IPC分类号： H01L21/205 , C23C16/42
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a vertical batch type SiC epitaxial growth apparatus properly controlling an impurity concentration of an SiC epitaxial growth film formed on a plurality of substrates.SOLUTION: A substrate processing apparatus includes a processing chamber in which substrates in a horizontal state are vertically arranged at predetermined intervals, a heating unit for heating the substrates stored in the processing chamber, a gas supply unit for supplying a gas into the processing chamber, and an exhaust unit for discharging the gas from the inside of the processing chamber. The gas supply unit includes a first gas supply nozzle having a gas supply hole for supplying a silicon atom-containing gas in the vertical substrate arrangement region, a second gas supply nozzle having a gas supply hole for supplying a carbon atom-containing gas and a reducing gas in the vertical substrate arrangement region, and a doping gas-dedicated nozzle having a gas supply hole for supplying a doping gas in a partial region of the vertical substrate arrangement region, and supplies the doping gas to at least one of the first gas supply nozzle and the second gas supply nozzle.
摘要翻译：要解决的问题：提供一种适当地控制形成在多个基板上的SiC外延生长膜的杂质浓度的立方批式SiC外延生长装置。解决方案：基板处理装置包括处理室，其中处于水平状态的基板以规定的间隔垂直配置，加热单元，用于加热存储在处理室中的基板;气体供给单元，用于向处理室供应气体;以及排气单元，用于从处理室的内部排出气体。气体供给单元包括具有用于在垂直基板排列区域供给含硅原子的气体的气体供给孔的第一气体供给喷嘴，具有供给含有碳原子的气体的气体供给孔的第二气体供给喷嘴和以及掺杂气体专用喷嘴，其具有用于在所述垂直基板排列区域的部分区域中供给掺杂气体的气体供给孔，并且将所述掺杂气体供给到所述第一气体中的至少一个供给喷嘴和第二气体供给喷嘴。

2. 发明专利

JP2014103188A Method of manufacturing epitaxial silicon carbide wafer 有权
标题翻译：制造外延硅碳膜的方法
公开(公告)号：JP2014103188A
公开(公告)日：2014-06-05
申请号：JP2012252887
申请日：2012-11-19
申请人： Nippon Steel & Sumitomo Metal , 新日鐵住金株式会社 , Nippon Steel Sumikin Materials Co Ltd , 新日鉄住金マテリアルズ株式会社 , Hitachi Kokusai Electric Inc , 株式会社日立国際電気
发明人： ITO WATARU , AISATO TAKASHI , HOSHINO TAIZO , TACHIKAWA AKIYOSHI , HIRAMATSU HIROO , FUKUDA MASANAO , HARA DAISUKE , SASAKI TAKASHI
IPC分类号： H01L21/205 , C01B31/36 , C23C16/42
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a method of manufacturing an epitaxial SiC wafer which allows for epitaxial growth of a SiC single crystal thin film with excellent productivity while suppressing variation in doping density, by using a substrate processing apparatus of vertical arrangement structure.SOLUTION: In a method of manufacturing an epitaxial silicon carbide wafer, doping gas is supplied while mixing a rare gas as a carrier gas, when forming a silicon carbide single crystal thin film on the surface of each silicon carbide single crystal substrate by a thermal CVD method, where a silicon material gas, a carbon material gas, and a doping gas are introduced individually through a silicon material gas introduction pipe, a carbon material gas introduction pipe, and a doping gas introduction pipe arranged vertically in a growth chamber, and gas outlets are provided at positions corresponding to the gaps between the silicon carbide single crystal substrates where the gas introduction pipes are arranged vertically.
摘要翻译：要解决的问题：提供一种制造外延SiC晶片的方法，其通过使用垂直布置结构的基板处理装置，可以抑制掺杂密度的变化，从而以优异的生产率外延生长SiC单晶薄膜。解决方案：在制造外延碳化硅晶片的方法中，当通过热CVD法在每个碳化硅单晶衬底的表面上形成碳化硅单晶薄膜时，在混合稀有气体作为载气的同时供给掺杂气体，其中硅材料气体，碳材料气体和掺杂气体通过硅材料气体导入管，碳材料气体导入管和在生长室中垂直布置的掺杂气体引入管单独引入，气体出口是设置在与碳纳米管单晶基板之间的间隙对应的位置处，其中气体引入管道垂直排列。

3. 发明专利

JP2015018869A 基板処理装置审中-公开
标题翻译：基板加工设备
公开(公告)号：JP2015018869A
公开(公告)日：2015-01-29
申请号：JP2013143741
申请日：2013-07-09
申请人：新日鐵住金株式会社 , Nippon Steel & Sumitomo Metal , 新日鉄住金マテリアルズ株式会社 , Nippon Steel Sumikin Materials Co Ltd , 株式会社日立国際電気 , Hitachi Kokusai Electric Inc
发明人： ITO WATARU , AISATO TAKASHI , HOSHINO TAIZO , TACHIKAWA AKIYOSHI , HIRAMATSU HIROO , SASAKI TAKASHI , IMAI YOSHINORI , KURIBAYASHI YUKINAGA , FUKUDA MASANAO
IPC分类号： H01L21/205
摘要：【課題】基板上に均一なSiCエピタキシャル膜を成膜する。【解決手段】基板上にドープト炭化ケイ素エピタキシャル膜を成膜する処理室と、基板を加熱する加熱部と、基板を回転させる回転機構と、基板の周囲に配置され炭素原子含有ガスと還元ガスとを処理室内へ供給するためのn個(nは3以上の奇数)の第1のガス供給ノズルと、シリコン原子含有ガスを処理室内へ供給するために第1のガス供給ノズルと交互に基板の周囲に配置された(n−1)個の第2のガス供給ノズルと、ドーピングガスを処理室内へ供給するためのドーピングガス供給ノズルと、第1のガス供給ノズルのうち中央のガス供給ノズルの炭素原子含有ガスと還元ガスの流量が、それぞれ、第1のガス供給ノズルのうち端のガス供給ノズルの炭素原子含有ガスと還元ガスの流量よりも大きくなるよう制御する制御部と、を備えるように基板処理装置を構成する。【選択図】図2
摘要翻译：要解决的问题：在衬底上沉积均匀的SiC外延膜。解决方案：衬底处理设备包括：用于在衬底上沉积掺杂碳化硅外延膜的处理室; 用于加热衬底的加热部件; 用于旋转衬底的旋转机构; n（n是不少于3的奇数）第一气体供给喷嘴，其布置在所述基板周围，用于向所述处理室供给含有碳原子的气体和还原气体; （n-1）个第二气体供给喷嘴，其与所述第一气体供给喷嘴在所述基板周围交替排列，用于向所述处理室供给含硅原子的气体; 掺杂气体供给喷嘴，用于将掺杂气体供给到所述处理室中; 并且用于控制第一气体供给喷嘴中心处的气体供给喷嘴的含碳原子的气体和还原气体的流量的控制部变得比各碳原子含有气体气体和第一气体供给喷嘴之间的气体供给喷嘴的还原气体。

4. 发明专利

JP2013216554A Apparatus for producing silicon carbide epitaxial wafer and method for producing silicon carbide epitaxial wafer 有权
标题翻译：用于生产碳化硅外延层的装置及其生产碳化硅外延层的方法
公开(公告)号：JP2013216554A
公开(公告)日：2013-10-24
申请号：JP2012090732
申请日：2012-04-12
申请人： Nippon Steel & Sumitomo Metal Corp , 新日鐵住金株式会社 , Nippon Steel & Sumikin Materials Co Ltd , 新日鉄住金マテリアルズ株式会社
发明人： ITO WATARU , AIGO TAKASHI , TACHIKAWA AKIYOSHI , HOSHINO TAIZO
IPC分类号： C30B29/36 , C23C16/42 , C30B25/20 , C30B30/02 , H01L21/205
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide: an apparatus for producing a silicon carbide epitaxial wafer in which step bunching is prevented from occurring even when an epitaxial film is grown on a silicon carbide single crystal substrate of a low off angle; and a method for producing the silicon carbide epitaxial wafer.SOLUTION: In an apparatus for producing a silicon carbide epitaxial wafer by epitaxially growing a silicon carbide single crystal on a silicon carbide single crystal substrate by means of a CVD technique, a power source is connected to a platform to place the silicon carbide single crystal substrate thereon, such that a voltage is applied to the placed silicon carbide single crystal substrate. Furthermore, according to a method for producing the silicon carbide epitaxial wafer, the silicon carbide single crystal is grown epitaxially while applying a voltage of 100V or lower to the silicon carbide monocrystal substrate.
摘要翻译：要解决的问题：提供：即使在低偏角的碳化硅单晶基板上生长外延膜也能防止发生阶梯聚集的碳化硅外延晶片的制造装置; 以及碳化硅外延片的制造方法。在通过CVD技术在碳化硅单晶衬底上外延生长碳化硅单晶的碳化硅外延片的制造装置中，连接电源到将碳化硅单晶衬底放置在其上的平台，使得向所放置的碳化硅单晶衬底施加电压。此外，根据碳化硅外延晶片的制造方法，向碳化硅单晶衬底施加100V以下的电压，外延生长碳化硅单晶。

5. 发明专利

JP2014114192A Method for producing silicon carbide epitaxial wafer 有权
标题翻译：生产碳化硅外延层的方法
公开(公告)号：JP2014114192A
公开(公告)日：2014-06-26
申请号：JP2012270736
申请日：2012-12-11
申请人： Nippon Steel & Sumitomo Metal , 新日鐵住金株式会社 , Nippon Steel Sumikin Materials Co Ltd , 新日鉄住金マテリアルズ株式会社
发明人： ITO WATARU , AISATO TAKASHI , HOSHINO TAIZO , TACHIKAWA AKIYOSHI
IPC分类号： C30B29/36 , C23C16/42 , C30B25/14 , H01L21/205
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a method for producing a silicon carbide epitaxial wafer that may produce a high quality silicon carbide wafer having low defect density and having few step bunching by treating a surface of a substrate to adapt its condition for an epitaxial growth just before the growth on epitaxially growing a silicon carbide film on a silicon carbide substrate.SOLUTION: On epitaxially growing silicon carbide on a silicon carbide single crystal substrate using a thermal CVD process, the epitaxial growth of silicon carbide is started by supplying a raw material gas after starting and stopping of the supply of the raw material gas are repeated two times or more.
摘要翻译：要解决的问题：提供一种制造碳化硅外延晶片的方法，其可以生产具有低缺陷密度的高质量碳化硅晶片，并且通过处理衬底的表面以适应其外延生长条件仅具有很少的步骤聚束在碳化硅衬底上外延生长碳化硅膜之前的生长之前。解决方案：在使用热CVD工艺在碳化硅单晶衬底上外延生长碳化硅的情况下，通过供应原料气体开始碳化硅的外延生长在原料气体的供应开始和停止之后重复两次或更多次。

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