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    • 4. 发明专利
    • 分析方法
    • JP2018091687A
    • 2018-06-14
    • JP2016234219
    • 2016-12-01
    • 新日鐵住金株式会社
    • 西野宮 卓辻 典宏
    • G01N27/62H01J49/04H01J49/14H01J49/40G01N23/2258G01N23/2202
    • 【課題】微粒子の発生源をより正確に特定すること。 【解決手段】本発明に係る分析方法は、試料2に対して分析装置1の分析室10の内部でイオンビームを照射し、試料2から飛来する物質を検出することにより試料2を分析する方法であって、試料2が設置された試料ホルダ4を液体窒素中に浸したまま、試料ホルダ4を囲って覆う試料ホルダカバーを試料ホルダ4に取り付ける試料ホルダカバー取付けステップと、試料ホルダカバーが取り付けられた試料ホルダ4を液体窒素中から取り出し、分析室10に接続された予備排気室11に設置する試料ホルダ設置ステップと、予備排気室11の内部を排気し、予備排気室11の内部が所定の真空度に到達した後に、予備排気室11の内部において試料ホルダカバーを試料ホルダ4から取り外す試料ホルダカバー取外しステップと、試料ホルダ4を予備排気室11から分析室10に搬送する試料ホルダ搬送ステップと、を含む。 【選択図】図1
    • 5. 发明专利
    • 粒子分析方法及び粒子分析装置
    • JP2017096701A
    • 2017-06-01
    • JP2015227597
    • 2015-11-20
    • 新日鐵住金株式会社
    • 西野宮 卓辻 典宏
    • G01N15/02G01N23/225G01N23/22G01N15/10
    • 【課題】周囲が液体によって被覆されている粒子であっても、粒子の粒子径に関する情報を含む粒子の構造を正確に分析すること。 【解決手段】本発明に係る粒子分析方法は、平均粒子径が3μm以下の粒子に対して、一次イオンの照射条件が1×10 14 〜1×10 17 イオン/cm 2 に設定された集束イオンビームを照射して粒子の表面を研削する研削ステップと、研削ステップの前後で実施され、一次イオンの照射条件が1×10 14 イオン/cm 2 未満に設定された集束イオンビームを粒子に照射して粒子から放出される二次イオンを検出し、粒子の構造を解析する解析ステップと、研削ステップの前後での粒子の構造に関する解析結果に基づいて、粒子の表面における液体の存在の有無を判断する判断ステップと、を含み、液体が存在していると判断された粒子に対して、研削ステップと当該研削ステップ後における解析ステップとを再度実施する。 【選択図】図1