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1. 发明专利

JP6149542B2 磁気検査装置および磁気検査方法有权
公开(公告)号：JP6149542B2
公开(公告)日：2017-06-21
申请号：JP2013135651
申请日：2013-06-27
申请人：愛知製鋼株式会社
发明人：山本道治 , 濱田典彦 , 立松峻一
IPC分类号： G01R33/02 , G07D7/04 , G07D7/00 , H01L43/00 , G01N27/72

2. 发明专利

JP6791227B2 磁気センサ用感磁ワイヤおよびその製造方法有权
公开(公告)号：JP6791227B2
公开(公告)日：2020-11-25
申请号：JP2018206986
申请日：2018-11-02
申请人：愛知製鋼株式会社
发明人：立松峻一 , 下出晃広
IPC分类号： G01R33/02 , H01F1/03 , C22F1/00 , C22F1/10 , C22C45/04 , C22C19/07

3. 发明专利

JP2021150632A 感磁ワイヤおよびその製造方法审中-公开
公开(公告)号：JP2021150632A
公开(公告)日：2021-09-27
申请号：JP2020052064
申请日：2020-03-24
申请人：愛知製鋼株式会社
发明人：下出晃広 , 立松峻一
IPC分类号： G01R33/06 , C22C19/07 , C22F1/10 , H01F1/153
摘要：【課題】測定レンジの拡張と耐環境性能の向上を両立できる磁気センサに適した感磁ワイヤを提供する。【解決手段】本発明の感磁ワイヤは、Feを含むCo基合金からなる。Co基合金は、全体が非晶質で零磁歪となる基準組成よりもFeを多く含む。具体的にいうと、Co基合金は、例えば、Co、FeおよびNiからなる磁性元素群の合計量に対するFe量の原子割合であるFe比(Fe/(Co+Fe+Ni))が6.1〜9.5%であるとよい。感磁ワイヤは、そのようなCo基合金からなる非晶質ワイヤを、結晶化開始温度以上かつ結晶化終了温度未満の特定温度で加熱する熱処理工程を経て得られる。これにより、感磁ワイヤは非晶質相中に結晶粒が分散した複合組織となる。本発明の感磁ワイヤは、例えば、異方性磁界が5〜70Oeで、磁歪を指標する応力感受性が−30〜30mOe/MPaとなる。【選択図】図1A

4. 发明专利

JP2020070480A 磁気センサ用感磁ワイヤおよびその製造方法审中-公开
公开(公告)号：JP2020070480A
公开(公告)日：2020-05-07
申请号：JP2018206986
申请日：2018-11-02
申请人：愛知製鋼株式会社
发明人：立松峻一 , 下出晃広
IPC分类号： G01R33/02 , H01F1/03 , C22F1/00 , C22F1/10 , C22C45/04 , C22C19/07
摘要：【課題】高温環境下でも安定した異方性磁界を発揮し、MIセンサの測定レンジの拡大等を図れる感磁ワイヤを提供する。【解決手段】本発明は、非晶質相中に結晶粒が分散した複合組織を有するCo基合金からなる磁気センサ用感磁ワイヤである。Co基合金は、その全体を100at%として、Cuを0.05〜0.80at%含み、好ましくは0.10〜0.60at%である。Co基合金は、さらに、Co、FeおよびNiからなる磁性元素群を合計で65〜90at%、Siおよび/またはBの合計:15〜27at%、Mo:0.5〜2.5at%含むとよい。このような感磁ワイヤは、耐熱性に優れ、高温環境下でも安定した異方性磁界を発揮する。本発明の感磁ワイヤを用いることにより、例えば、測定レンジを拡大したMIセンサを効率的に生産することが可能となる。【選択図】図2

5. 发明专利

JP6331452B2 有機膜のエッチング方法有权
公开(公告)号：JP6331452B2
公开(公告)日：2018-05-30
申请号：JP2014029708
申请日：2014-02-19
申请人：愛知製鋼株式会社
发明人：山本道治 , 立松峻一 , 山下隆介 , 濱田典彦 , 玄番弘栄
IPC分类号： H01L21/3065
CPC分类号： C23C16/045 , B81C1/00 , C23C16/401 , C23C16/44 , G01R33/00 , H01F41/04 , H01L21/31138

6. 发明专利

JP2015154054A 有機膜のエッチング方法有权
标题翻译：有机薄膜蚀刻方法
公开(公告)号：JP2015154054A
公开(公告)日：2015-08-24
申请号：JP2014029708
申请日：2014-02-19
申请人：愛知製鋼株式会社
发明人：山本道治 , 立松峻一 , 山下隆介 , 濱田典彦 , 玄番弘栄
IPC分类号： H01L21/3065
CPC分类号： C23C16/045 , B81C1/00 , C23C16/401 , C23C16/44 , G01R33/00 , H01F41/04 , H01L21/31138 , B81C2201/0195
摘要：【課題】ハードマスク層のパターンを正確に転写でき、かつエッチングレートが速い、有機膜のエッチング方法を提供する。【解決手段】ハードマスク層2によって表面が選択的に保護された有機膜1をエッチングする。この際、部分エッチング工程と成膜工程とを繰り返して行う。部分エッチング工程では、シリコン酸化膜を異方性エッチングするガスと、シリコン酸化膜をエッチングせず有機膜1を等方性エッチングするガスとの混合ガスを用いて、有機膜1を、該有機膜1の膜厚の一部のみエッチングする。また、成膜工程においては、部分エッチング工程において形成した凹状部10の側面12および底面11と、ハードマスク層2とに、シリコン酸化膜からなる保護膜3を成長させる。【選択図】図9
摘要翻译：要解决的问题：提供一种有机膜蚀刻方法，通过该方法可以精确地转印硬掩模层的图案并提高蚀刻速率。溶液：对其表面被有选择地保护的有机膜2进行蚀刻硬掩模层2.在这种情况下，迭代地实施部分蚀刻步骤和沉积步骤。在部分蚀刻步骤中，仅通过使用用于在氧化硅膜上执行各向异性蚀刻的气体的混合气体和用于执行各向同性的气体，在有机膜1的厚度的一部分中对有机膜1进行蚀刻在不对氧化硅膜进行蚀刻的情况下对有机膜1进行蚀刻。在沉积步骤中，在部分蚀刻步骤中形成的凹陷部分10的侧面12和底面11上以及在硬掩模层2中生长由氧化硅膜形成的保护膜3。

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