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1. 发明专利

JP2017032499A 磁気検出装置有权
标题翻译：磁检测装置
公开(公告)号：JP2017032499A
公开(公告)日：2017-02-09
申请号：JP2015155323
申请日：2015-08-05
申请人：愛知製鋼株式会社
发明人：下砥隆 , 中村潤 , 山下隆介 , 長尾知彦 , 山本道治
IPC分类号： H01L43/00 , G01R33/02
CPC分类号： G01R33/02 , H01L43/08
摘要：【課題】小型化・薄型化のみならず高精度化も図れる磁気検出装置を提供することを目的とする。【解決手段】本発明の磁気検出装置(1)は、基板(S1)と、基板に配設され、延在方向の外部磁場成分に感応する感磁ワイヤー(W1)と感磁ワイヤーを周回する検出コイル(C1)とを有するMI素子と、感磁ワイヤーの周囲の外部磁場を変向する磁場変向体(F1)を備える。本発明に係る磁場変向体は、非磁性材からなる芯部(F10)と、芯部の少なくとも一部の外側を覆う軟磁性材からなる殻部(F11)とを有する。このように磁場変向体が軟磁性材の中実構造ではなく、中空構造となっているため、従来よりも軟磁性材のボリュームが大幅に低減され、磁場変向体に生じるヒステリシスも大幅に縮小される。このため本発明の磁気検出装置によれば、基板に直交する磁場成分もより高精度に検出される。【選択図】図2A
摘要翻译：本发明的一个目的是提供实现甚至更高的精度不仅更小和更薄的磁性检测装置。本发明（1）的磁性检测装置轨道基板（S1），设置在基底上，一个磁敏线（W1），其是在磁性灵敏度线的延伸方向上的外部磁场分量敏感包括MI元件和检测线圈（C1），所述磁场被偏转绕磁敏线变化Kokarada的（F1）的外部磁场。磁场根据本发明变化的Kokarada包括由非磁性材料制成（F10）的芯，制成至少覆盖所述外芯部分的一部分和（F11）的软磁材料的壳体部。因此而不是在软磁性材料的固体结构的磁场偏转体，由于中空结构，软磁材料比常规可大大减少的体积，滞后显著发生磁偏转体它降低。因此，根据本发明的磁检测装置中，垂直于基片的磁场分量它也以更高的精度进行检测。 .The 2A

2. 发明专利

JP6036938B1 磁気検出装置有权
标题翻译：磁检测装置
公开(公告)号：JP6036938B1
公开(公告)日：2016-11-30
申请号：JP2015155323
申请日：2015-08-05
申请人：愛知製鋼株式会社
发明人：下砥隆 , 中村潤 , 山下隆介 , 長尾知彦 , 山本道治
IPC分类号： H01L43/00 , G01R33/02
CPC分类号： G01R33/02 , H01L43/08
摘要：【課題】小型化・薄型化のみならず高精度化も図れる磁気検出装置を提供することを目的とする。【解決手段】本発明の磁気検出装置(1)は、基板(S1)と、基板に配設され、延在方向の外部磁場成分に感応する感磁ワイヤー(W1)と感磁ワイヤーを周回する検出コイル(C1)とを有するMI素子と、感磁ワイヤーの周囲の外部磁場を変向する磁場変向体(F1)を備える。本発明に係る磁場変向体は、非磁性材からなる芯部(F10)と、芯部の少なくとも一部の外側を覆う軟磁性材からなる殻部(F11)とを有する。このように磁場変向体が軟磁性材の中実構造ではなく、中空構造となっているため、従来よりも軟磁性材のボリュームが大幅に低減され、磁場変向体に生じるヒステリシスも大幅に縮小される。このため本発明の磁気検出装置によれば、基板に直交する磁場成分もより高精度に検出される。【選択図】図2A
摘要翻译：本发明的一个目的是提供实现甚至更高的精度不仅更小和更薄的磁性检测装置。本发明（1）的磁性检测装置轨道基板（S1），设置在基底上，一个磁敏线（W1），其是在磁性灵敏度线的延伸方向上的外部磁场分量敏感包括MI元件和检测线圈（C1），所述磁场被偏转绕磁敏线变化Kokarada的（F1）的外部磁场。磁场根据本发明变化的Kokarada包括由非磁性材料制成（F10）的芯，制成至少覆盖所述外芯部分的一部分和（F11）的软磁材料的壳体部。因此而不是在软磁性材料的固体结构的磁场偏转体，由于中空结构，软磁材料比常规可大大减少的体积，滞后显著发生磁偏转体它降低。因此，根据本发明的磁检测装置中，垂直于基片的磁场分量它也以更高的精度进行检测。 .The 2A

3. 发明专利

JP6331452B2 有機膜のエッチング方法有权
公开(公告)号：JP6331452B2
公开(公告)日：2018-05-30
申请号：JP2014029708
申请日：2014-02-19
申请人：愛知製鋼株式会社
发明人：山本道治 , 立松峻一 , 山下隆介 , 濱田典彦 , 玄番弘栄
IPC分类号： H01L21/3065
CPC分类号： C23C16/045 , B81C1/00 , C23C16/401 , C23C16/44 , G01R33/00 , H01F41/04 , H01L21/31138

4. 发明专利

JP2015154054A 有機膜のエッチング方法有权
标题翻译：有机薄膜蚀刻方法
公开(公告)号：JP2015154054A
公开(公告)日：2015-08-24
申请号：JP2014029708
申请日：2014-02-19
申请人：愛知製鋼株式会社
发明人：山本道治 , 立松峻一 , 山下隆介 , 濱田典彦 , 玄番弘栄
IPC分类号： H01L21/3065
CPC分类号： C23C16/045 , B81C1/00 , C23C16/401 , C23C16/44 , G01R33/00 , H01F41/04 , H01L21/31138 , B81C2201/0195
摘要：【課題】ハードマスク層のパターンを正確に転写でき、かつエッチングレートが速い、有機膜のエッチング方法を提供する。【解決手段】ハードマスク層2によって表面が選択的に保護された有機膜1をエッチングする。この際、部分エッチング工程と成膜工程とを繰り返して行う。部分エッチング工程では、シリコン酸化膜を異方性エッチングするガスと、シリコン酸化膜をエッチングせず有機膜1を等方性エッチングするガスとの混合ガスを用いて、有機膜1を、該有機膜1の膜厚の一部のみエッチングする。また、成膜工程においては、部分エッチング工程において形成した凹状部10の側面12および底面11と、ハードマスク層2とに、シリコン酸化膜からなる保護膜3を成長させる。【選択図】図9
摘要翻译：要解决的问题：提供一种有机膜蚀刻方法，通过该方法可以精确地转印硬掩模层的图案并提高蚀刻速率。溶液：对其表面被有选择地保护的有机膜2进行蚀刻硬掩模层2.在这种情况下，迭代地实施部分蚀刻步骤和沉积步骤。在部分蚀刻步骤中，仅通过使用用于在氧化硅膜上执行各向异性蚀刻的气体的混合气体和用于执行各向同性的气体，在有机膜1的厚度的一部分中对有机膜1进行蚀刻在不对氧化硅膜进行蚀刻的情况下对有机膜1进行蚀刻。在沉积步骤中，在部分蚀刻步骤中形成的凹陷部分10的侧面12和底面11上以及在硬掩模层2中生长由氧化硅膜形成的保护膜3。

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