会员体验
专利管家(专利管理)
工作空间(专利管理)
风险监控(情报监控)
数据分析(专利分析)
侵权分析(诉讼无效)
联系我们
交流群
官方交流:
QQ群: 891211   
微信请扫码    >>>
现在联系顾问~
热词
    • 1. 发明专利
    • 方法、装置、X線回折装置及び試料
    • 方法,装置,X射线衍射装置和样品
    • JP2017032482A
    • 2017-02-09
    • JP2015155024
    • 2015-08-05
    • 富士通株式会社
    • 野村 健二
    • G01N23/20G01N23/207
    • 【課題】汚染元素に汚染された超格子層の添加元素濃度を求める方法を提供する。 【解決手段】方法は、基板上に、結晶性を有する第1の層と、結晶性を有する第2の層と、第2の層と格子整合して積層され、第2元素を含み、結晶性を有する第3の層とを、第1の層及び第2の層及び第3の層内に第1元素が同じ濃度を含むように形成した後、基板を除去して、試料を形成し、試料のX線回折光強度の角度分布を測定し、第1の層に起因する第1ピークの位置と、第2の層及び第3の層に起因する第2のピークの位置とに基づいて、第3の層に含まれる第2元素の濃度を求める。 【選択図】図19
    • 确定污染的污染元素超格子层中的添加元素浓度的方法。 该方法包括在基板上,包括具有结晶度和具有结晶性的第二层,层压到晶格匹配的第二层,所述第二元件,晶体的第一层 具有性别,在第一层中的第一元件和所述第二层和内被形成为包含相同浓度的第三层后,通过去除所述衬底,以形成样品的第三层 测量样品中,第一峰值的位置的基础的X射线衍射强度的角度分布因第一层和所述第二峰的位置,由于第二层和第三层 特,确定包括在所述第三层中的第二元素的浓度。 .The 19
    • 2. 发明专利
    • X線分析方法及びX線分析装置
    • X射线分析方法和X射线分析装置
    • JP2015148443A
    • 2015-08-20
    • JP2014019699
    • 2014-02-04
    • 富士通株式会社
    • 野村 健二
    • G01N23/06G01N23/227
    • 【課題】化合物半導体デバイス等の結晶性の試料について、妨害回折線の影響のない正規のX線エネルギー依存性のスペクトルを容易且つ確実に、人手によらず自動的に得ることが可能であり、局所構造について信頼性の高い高精度の情報を得る。 【解決手段】電子収量XAFS法を用いたX線分析方法であって、試料にX線を照射し、試料から飛び出した電子、又は電子が周辺ガスをイオン化することにより流れる電流のX線エネルギー依存性を取得するに際し、照射するX線に対する試料の方位を変化させて、X線エネルギー依存性を取得する(具体的には、相異なる少なくとも3つの結晶方位でX線エネルギー依存性のスペクトルを取得し、取得した3種のスペクトルのうち2種のスペクトルで同一となるスペクトルを正規のものと判定する、或いは、試料を回転揺動させながらX線エネルギー依存性を取得する。)。 【選択図】図3
    • 要解决的问题:为了容易且可靠地获得关于诸如化学化合物半导体器件的结晶样品,不受干扰衍射线影响的正常X射线能量依赖谱,而不依赖于手工劳动,并且获得高可靠性 关于局部结构的高精度信息。解决方案:提供使用电子产生XAFS(X射线吸收精细结构)方法的X射线分析方法,其在用X射线照射样品并获得X 由于电子从样品中飞出而流过的电流或通过电子使周围气体离子化而导致的电流的能量依赖性,相对于照射的X射线改变样品的方向,并获得X射线能量依赖性( 具体地说,在彼此不同的至少三个晶体取向中获得X射线能量依赖性光谱,并且确定其中三分之三光谱中的三分之一的光谱 污染与正常光谱相同,或在旋转和摆动样品时获得X射线能量依赖谱。
    • 3. 发明专利
    • X線分析方法及びX線分析装置
    • X射线分析方法和X射线分析仪
    • JP2015075379A
    • 2015-04-20
    • JP2013211284
    • 2013-10-08
    • 富士通株式会社
    • 野村 健二
    • G01N23/20
    • 【課題】III−V化合物半導体の結晶の評価において、III族元素の原子空孔のみならず、V族元素の原子空孔の評価を行なうことのできるX線分析方法を提供する。 【解決手段】X線回折により、化合物半導体を含む試料における化合物半導体の原子空孔を分析するX線分析方法において、化合物半導体に原子空孔がある場合における消滅則ピークの強度を計算により導出する工程S102と、試料にX線を照射し、試料における化合物半導体の消滅則ピークの強度を測定する工程S104と、計算により算出された消滅則ピークの強度と、測定された消滅則ピークの強度とに基づき、X線の照射された試料における化合物半導体の原子空孔率を導出する工程S110と、を有することを特徴とするX線分析方法。 【選択図】図2
    • 要解决的问题:提供一种能够在III-V族化合物半导体的晶体评估中不仅评估III族元素的原子空位以及V族元素的X射线分析方法。解决方案:X射线分析 通过X射线衍射分析含有化合物半导体的样品中的化合物半导体的原子空位的方法包括:步骤S102,通过计算得到化合物半导体中原子空位存在的消光规则峰的强度 ; 步骤S104,用X射线照射样品,并测量样品中化合物半导体的消光规则峰的强度; 以及步骤S110,其基于由计算导出的消光规则峰值的强度和测定的消光规则峰值的强度,导出X射线照射的样品中的化合物半导体的原子空位率。
    • 4. 发明专利
    • 分析装置および分析方法
    • JP2020201070A
    • 2020-12-17
    • JP2019106904
    • 2019-06-07
    • 富士通株式会社
    • 野村 健二
    • G01N23/046
    • 【課題】測定時間を長くしなくても高分解能を実現することができる分析装置および分析方法を提供する。 【解決手段】分析装置100は、試料にX線を照射するためのX線照射装置10と、前記試料を透過した前記X線を検出する検出装置20と、前記試料が設置され、前記X線照射装置10から前記検出装置20に対して前記X線が照射される方向と交差する方向を軸として前記試料を回転させる回転機構を備える試料設置装置30と、前記検出装置20と前記試料との距離方向と、前記回転機構が前記試料を回転させる回転軸と交差する方向に、前記検出装置20を並進させる並進装置と、前記検出装置20のピクセルを2以上に分割した距離ずつ前記検出装置20が並進するごとに前記回転機構が前記試料を回転させた場合に、前記検出装置20の検出結果から得られる投影画像から、逐次近似再構成法による断層像を再構成する解析装置と、を備える。 【選択図】図1